PI的1700V氮化鎵InnoMux-2 芯片在新能源中應(yīng)用

長期致力于通過創(chuàng)新推動行業(yè)變革，尤其是在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域不斷實現(xiàn)突破。InnoMux-2產(chǎn)品采用PI獨有的PowiGaN技術(shù)和FluxLink次級側(cè)控制技術(shù)，其在1000VDC下效率高達(dá)90%，多路輸出調(diào)節(jié)精度控制在1%以內(nèi)，無需后級穩(wěn)壓器即可提升系統(tǒng)效率約10%。為太陽能逆變器、新能源汽車充電器、工業(yè)設(shè)備等高端市場提供了更具成本效益的替代方案。

PI開發(fā)的FluxLink數(shù)字隔離通信技術(shù)提供了高精度、多路輸出控制的革命性方案。這些創(chuàng)新不僅提升了產(chǎn)品效率，還顯著降低了系統(tǒng)復(fù)雜性，為客戶帶來更高性能和成本優(yōu)勢。

氮化鎵GaN和碳化硅SiC作為下一代功率器件的核心技術(shù)，正引領(lǐng)行業(yè)變革。兩種材料因技術(shù)特性和成本結(jié)構(gòu)的差異，定位于不同的市場應(yīng)用場景，形成了互補(bǔ)又競爭的格局。PI研發(fā)的氮化鎵產(chǎn)品的主要應(yīng)用領(lǐng)域及技術(shù)特點如下。

PI 的氮化鎵技術(shù)支持800V至1000V的高壓母線電壓，是推動電動車充電效率和續(xù)航能力提升的關(guān)鍵。通過零電壓開關(guān)（ZVS）技術(shù)和 FluxLink數(shù)字隔離通信技術(shù)，PI 不僅顯著降低充電過程中的開關(guān)損耗，還優(yōu)化了系統(tǒng)成本和體積，為高壓電池組的充電提供了更高效、更經(jīng)濟(jì)的解決方案。

InnoMux-2系列產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢及設(shè)計架構(gòu)，展示了其在高壓GaN技術(shù)中的領(lǐng)先能力，特別是在可靠性和散熱性能上的突破。

1700V氮化鎵開關(guān)雙路輸出的典型應(yīng)用板子：

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奮斗的青春

LV.10

05-10 16:38

PI的另一款系列產(chǎn)品INNOSWITCH-AQ，為汽車應(yīng)用提供了多種方案選擇,包括750V硅、900V硅、900V PowiGaN或1700V碳化硅開關(guān)。

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大海的兒子

LV.10

05-13 13:07

@奮斗的青春

PI的另一款系列產(chǎn)品INNOSWITCH-AQ，為汽車應(yīng)用提供了多種方案選擇,包括750V硅、900V硅、900VPowiGaN或1700V碳化硅開關(guān)。

InnoMux-2采用PI獨有的PowiGaN技術(shù)和FluxLink次級側(cè)控制技術(shù)，在技術(shù)參數(shù)和性能上均實現(xiàn)了跨越式升級。

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飛翔2004

LV.10

05-15 08:57

在多路輸出應(yīng)用中，PI通過ZVS技術(shù)和FluxLink技術(shù)的協(xié)同作用，不僅實現(xiàn)了高精度的電壓控制，還提升了系統(tǒng)的整體可靠性和響應(yīng)速度。

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trllgh

LV.10

05-16 08:37

@大海的兒子

InnoMux-2采用PI獨有的PowiGaN技術(shù)和FluxLink次級側(cè)控制技術(shù)，在技術(shù)參數(shù)和性能上均實現(xiàn)了跨越式升級。

其在1000VDC母線電壓下效率高達(dá)90%，多路輸出調(diào)節(jié)精度控制在1%以內(nèi)，無需后級穩(wěn)壓器即可提升系統(tǒng)效率約10%。

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spowergg

LV.10

05-21 09:17

@飛翔2004

與氮化鎵晶體管類似，碳化硅MOSFET同樣具有導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等特點，另外其體二極管特性也比硅MOSFET大為提升。

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only one

LV.8

05-23 00:25

氮化鎵GaN和碳化硅SiC作為下一代功率器件的核心技術(shù)，正引領(lǐng)行業(yè)變革。兩種材料因技術(shù)特性和成本結(jié)構(gòu)的差異，定位于不同的市場應(yīng)用場景，

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沈夜

LV.8

05-24 00:32

如何通過技術(shù)創(chuàng)新降低太陽能逆變器的成本？

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追魂幡℃

LV.8

05-24 22:03

1700V一般用在哪里

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dy-nmLUWFNr

LV.8

05-25 09:40

這個設(shè)計的主要應(yīng)用場景有哪些

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dy-nmLUWFNr

LV.8

05-25 09:42

非常不錯的應(yīng)用案例分享

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htwdb

LV.8

05-25 18:56

目前在新能源行業(yè)中氮化鎵GaN和碳化硅SiC的應(yīng)用比例為多少？

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tanb006

LV.10

05-25 19:52

干嘛不直接放在變壓器下面？這樣多浪費空間？

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dy-mb2U9pBf

LV.8

05-25 20:10

PI 的氮化鎵技術(shù)支持800V至1000V的高壓母線電壓，是推動電動車充電效率和續(xù)航能力提升的關(guān)鍵，今后的新能源領(lǐng)域會看到pi的身影。

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dy-StTIVH1p

LV.8

05-25 21:29

PI在這個模式下工作最大的傳輸效率可以達(dá)到多少

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dy-StTIVH1p

LV.8

05-25 21:35

怎么樣有效減小傳輸功耗對信號輸出的影響

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dy-TMelSvc9

LV.8

05-25 22:05

不斷提高信號傳輸效率對于改善性能有明顯幫助作用

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fzwwj95

LV.6

05-25 22:36

建議在光伏逆變器應(yīng)用中采用交錯式LLC架構(gòu)，結(jié)合1700V PowiGaN器件的dv/dt控制能力（典型值<50V/ns），可降低諧振回路損耗15%以上。實測數(shù)據(jù)顯示，在800VDC輸入時，采用ZVS技術(shù)可使開關(guān)損耗降低至傳統(tǒng)硬開關(guān)的1/3，建議通過柵極驅(qū)動電阻優(yōu)化將開關(guān)頻率穩(wěn)定在200-300kHz區(qū)間。

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