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通過調(diào)整使能與禁止開關(guān)周期的比例，可以維持穩(wěn)壓。

在設(shè)計(jì)中為了保證電路的可靠性，對(duì)電路中的不同器件和不同關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)進(jìn)行了開路、短路試驗(yàn)。

這有效地增加了MOSFET漏-源極(RDS(ON))的導(dǎo)通電阻，但是，降低了轉(zhuǎn)換器的效率。

嚴(yán)格指定的反饋(FB)引腳電壓參考能使可實(shí)現(xiàn)通用輸入初級(jí)側(cè)穩(wěn)壓電源，并且在5%負(fù)載到滿載之間實(shí)現(xiàn)精確恒壓。

無論是電源保護(hù)特性的響應(yīng)機(jī)制還是各種保護(hù)的觸發(fā)閾值均可通過軟件進(jìn)行外部設(shè)定，這極大地增加了電源設(shè)計(jì)性能的設(shè)計(jì)靈活性。

恒定功率（CP）配置，通過連續(xù)調(diào)節(jié)輸出電流和電壓，最大限度地縮短充電時(shí)間

以SR驅(qū)動(dòng)FET的Q1為核心的，接有降低紋波的輸出濾波電容及進(jìn)一步降低高頻尖峰電壓的二級(jí)LC(L2-C8)濾波回路。

每種布局都有不同的最大輸出電流或功率限制，必須要留有一定的余量。

GaN晶體管硅晶體管電源的效率更高、溫度更低、尺寸更小，率先實(shí)現(xiàn)大功率電源的無散熱片設(shè)計(jì)。

變壓器的漏感和分布電容必須減至最小，因?yàn)檫@些因素會(huì)引起浪涌電流和尖峰電壓，導(dǎo)致?lián)p耗增加。