我本次調試用的主控IC是來自成都啟臣微及深圳思睿達的CR52168BSG，此IC是核封了一顆耐壓800V的BJT管，工作頻率在40KHz~65KHz之間，此IC主要優(yōu)勢為價格低廉、整體成本很低、外圍電路簡單、EMC性能較好。廢話不多說，直接進入調試正題。我將把我的調試過程一步一步寫下來。
我覺得實際調試是最容易學到東西的過程，下圖為我實際調試的樣機圖片：
【應用】小家電/燈具/適配器/充電器等
【規(guī)格】12V1A
大家可以看到上述圖片的樣機的濾波器只有一個差模電感，所以成本是比較低的，也是比較有難度。EMI輻射未達到要求,以下是優(yōu)化了差不多的測試圖片，當然沒調試之前EMC的效果肯定是很差的，這是調試的差不多時候的圖片，接下來再進行更深度的調試。
可以看到500K之前藍線超的很多，500K以前主要差模干擾為主，傳導冷機時在 0.15-1MHZ 超標，熱機時就有 7DB 余量。主要原因是初級 BULK 電容 DF 值過大造成的，冷機時 ESR 比較大，熱機時 ESR 比較小，開關電流在 ESR上形成開關電壓，它會壓在一個電流 LN 線間流動，這就是差模干擾。此時最簡單的解決辦法就是在整流橋前放一個X電容，或者在整流橋后修改電感，但這都會極大的增加成本。我選擇把常規(guī)橋堆ABS210換成軟橋堆FBS210，以下是調整后的圖片
可以看到藍線冷機時已經下來很多，現在我們來解決500K~600K之間的干擾，一用一個電阻串個電容后再并到丫電容的引腳上，用示波器測電阻兩引腳的電壓可以測共模干擾，我們一般把它叫做Y電壓，此時可以通過把Y電壓減小來改善。如何做呢？更改變壓器屏蔽繞組的圈數，以此來減小Y電壓，以下是調整后的圖片
可以看到500K~600K此時已經完全達標，能滿足需求，且意外的是大家可以明顯看到連輻射30M~60M處也下來了，原因是因為改變壓器屏蔽繞組時是由半層增加至了整層，此時Y電壓降到很小，并且繞了整層屏蔽圈數類似于銅箔屏蔽，對輻射抑制的效果較好。接下來是優(yōu)化30M~60M處，這里最簡單暴力的辦法就是增加DS電容，以下是增加后的效果。
至此這個電源的EMC就已經調試完成了，大家可以看到實物的板框其實還算蠻大的，如果調試外圍很難調試成功，也可以通過優(yōu)化PCB來解決。大家如果遇到有關小功率反激開關電源的問題歡迎一起討論和解決，我也是在一個探討和學習的過程，歡迎大家來討論。也希望我分享我的實例操作可以幫助到大家。
