InnoSwitch3-EP IC使用FluxLink反饋鏈路，可為次級側控制提供高達5000VRMS的加強絕緣。

電路設計可以省去光耦器件，采用創新性的FluxLink技術，提升質量。

PI高度集成的離線反激式開關IC中采用PowiGaN開關替代初級側的傳統硅晶體管

AC/DC電源分為初級側控制（PSR）和次級側控制（SSR）兩種結構，它們各有利弊：前者結構簡單、具有BOM成本優勢

輸出紋波如何，諧波含量咋樣

FluxLink技術可直接檢測輸出電壓，其優勢在于可提供高精度的控制以及極其快速的動態響應特性。

但是性能欠佳，需要后級穩壓來提高精度，后者性能高，但是需要光耦等器件，會增加系統的復雜性和成本。

省去光耦器的創新性的FluxLink技術，具有極高可靠性，外形緊湊且高效

在這個電源方案中，有沒有考慮到過電流保護的問題？如果電流超過了閾值，會對電源產生什么影響？

這東西積熱怎么樣，

能過得了認證嗎？（CE／VDE）？

采用獨特的FluxLink技術，省去了SSR中光耦等器件，無需后級穩壓電路，可實現高效率

INN3672C電源芯片做成的18w方案，輸入電壓范圍寬，其滿載時效率很高，空載功耗非常低。

鏈路的最低DC偏置要求可以使得系統能夠實現低于10 mW的空載功耗

PI搞一個18W的電路可以很優秀

PowiGaN型號的器件也非常可靠耐用，即使在持續時間較長的輸入浪涌期間也能保護系統免受電壓尖峰的影響，并在浪涌結束后快速恢復，而且也可以大大提高電源的功率密度。

芯片內部集成了輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關斷等多項保護特性。

在PI產品系列中，功率開關IC主要采用Si、GaN及SiC。900V耐壓的GaN與900V耐壓的硅器件相比效率更高，功率更大。

PI的該技術可以省掉了光耦元件，提高了產品的質量，縮小了體積，效率也更高。

采用了集成通訊鏈路FluxLink，能夠對次級側同步整流MOSFET進行精確控制以及對初級側集成高壓MOSFET進行準諧振開關

同步整流旨在通過用低導通電阻的MOSFET代替常規的肖特基二極管進行整流來減小損耗,提升能效。

如果同步整流器死區時間受到布局和已降低噪聲的影響，檢測RDSON電壓的方法可以使得變化最小。

死區時間的存在是為了防止同時導通造成的短路和損壞功率開關器件。

合理設置死區時間可以提高同步整流器的工作效率和穩定性。

如果死區時間設置不當,會導致功率開關器件在切換過程中出現過大的電流沖擊和電壓跳躍,從而增加功率損耗、降低轉換效率,甚至損壞功率開關器件。

電壓跳躍,從而增加功率損耗、降低轉換效率,甚至損壞功率開關器件。