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精華問答一（泰克粉絲群）
ABC：
這個(gè)變壓器放鋁盒里用AB硅膠灌封，高溫老化電感量900uH變到400～600，后來拆開發(fā)現(xiàn)磁芯破了。灌封前后電感量是好的，高溫90度2H，120度2H發(fā)現(xiàn)電感量變小了，破了。想問下大家有無遇到過這種情況？是什么原因？膠的膨脹應(yīng)力把磁芯都擠破了嗎？
風(fēng)中的羽翼：
要用膨脹系數(shù)小的膠，估計(jì)膠比較差，可以找廠家解決，換膠看看。溫度高了，膠會膨脹，一般導(dǎo)熱系數(shù)小的膨脹會比較厲害，如果不想換膠就要把變壓器的縫隙堵住，不讓灌封膠滲入
ABC：
謝謝你了，高手！
精華問答二（LTspice學(xué)習(xí)營）
奔騰的芯：
各位好，LTspice軟件包有嗎？
雅撒西：
直接百度LTspice就可以了，這個(gè)是有官方免費(fèi)資源的仿真軟件。
奔騰的芯：
請教各位，L2 L3同名端 咋沒有出來？
Ghost：
phase dot選了嗎？
閑情偶寄：
網(wǎng)上搜語言，它是需要寫語言的，寫了之后就自動出來了。
凍月：
K1 L2 L3 1，中間沒加空格吧，加上空格應(yīng)該就有了。
奔騰的芯：
ok！感謝各位群友的幫助！
精華問答三（泰克粉絲群）
Forever：
請教大神們一個(gè)問題，如圖，大電流經(jīng)過電解電容，哪種好？
國瓷電容：
A型濾波干凈點(diǎn)。
馬曉彬：
A
Forever：
好的，感謝各位。
精華問答四（電源學(xué)習(xí)營）
天道酬勤：
請教大家一個(gè)問題：輸出電壓的紋波電壓的取值范圍是多少啊？
緣分：
20mv
天道酬勤：
感謝。再請教一下，反激輸出整流二極管的溫度一般不能超過多少啊？
沉默詮釋你的態(tài)度：
一般取輸出電壓的1%左右，越小越好。
緣分：
90
前任吉他手：
肯定要比結(jié)溫低。
xiang：
要根據(jù)損耗估算出結(jié)溫，小于額定溫度75-80%。
天道酬勤：
親們，有計(jì)算損耗的公式嗎？
前任吉他手：
二極管壓降乘電流，就是二極管的熱損耗。根據(jù)熱阻，計(jì)算二極管溫升。
star alliance：
二極管損耗好幾種，導(dǎo)通損耗，漏電流損耗，反向回復(fù)損耗。
前任吉他手：
導(dǎo)通損耗占大頭。
精華問答五（LTspice學(xué)習(xí)營）
懷瑾握瑜：
問個(gè)問題，同一型號sic mosfet的米勒平臺電壓是固定的嗎？還是不同驅(qū)動不一樣？
李燁ON：
變化不大。
周達(dá)：
Miller平臺電壓是器件本身的特性。
懷瑾握瑜：
是不是與測量方式有關(guān)呢？比較了兩篇頂刊論文，同一型號管子一個(gè)采用雙脈沖測試，另一個(gè)是同步buck交替導(dǎo)通測試，發(fā)現(xiàn)兩篇文章的驅(qū)動米勒平臺不同。
懷瑾握瑜：
是否雙脈沖測試結(jié)果更能準(zhǔn)確反映器件真實(shí)的米勒平臺大小？
李燁ON：
看你的應(yīng)用，如果是半橋應(yīng)用看雙脈沖。SIC速度很快，彌勒平臺很短，為何這么關(guān)心？
懷瑾握瑜：
測試一款新驅(qū)動，在同步buck下交替導(dǎo)通，發(fā)現(xiàn)還是能觀測出米勒平臺的，就想問這個(gè)問題。
多謝老師，還想問一下，主電路同步buck，兩mos交替導(dǎo)通，為什么我測的結(jié)果mos-h米勒明顯，而mos-L管子不明顯。是不是因?yàn)閙os-L是軟開通zvs？
鐵墨庭中書：
下管天然ZVS。
懷瑾握瑜：
感謝大神，那就能解釋下管開通波形沒有米勒平臺了。
精華問答六（LTspice學(xué)習(xí)營）
silence：
你好，請問SIC開關(guān)頻率用多高？串?dāng)_問題大不？
懷瑾握瑜：
100k。在200v下就已經(jīng)挺明顯了。
silence：
這頻率這么高。
懷瑾握瑜：
sic屬于正常啊，100k。
silence：
這么高頻率對驅(qū)動要求不得特別高啊。
懷瑾握瑜：
有配套的驅(qū)動模塊。
silence：
我可能也要測這個(gè)，嘗試做個(gè)驅(qū)動出來，正好看到你再做，取取經(jīng)。
李燁ON：
電機(jī)應(yīng)用還能用到sic？sic短路不行還貴，頻率低了沒啥優(yōu)勢。
王孝東：
sic牛逼的地方在于沒得啥子反向恢復(fù)。電機(jī)可能出現(xiàn)像同步buck那樣下管體二極管導(dǎo)通，上管在開通就是反向恢復(fù)，就像做逆變器。
silence：
剛開始看，不太懂
That Boy：
想削弱管子反向恢復(fù)電流減小開關(guān)損耗還得上SiC二極管，SiC Mos自帶的反并聯(lián)二極管并起不到相應(yīng)作用。
silence：
頻率太高驅(qū)動也會有問題吧？
That Boy：
SiC驅(qū)動要求比Si IGBT高，就短路的去飽和保護(hù)而言難度就高了一個(gè)級別。
silence：
SIC的去飽保護(hù)，我看資料說，需要快速動作，時(shí)間要短。還沒實(shí)際做過，只能看資料了。
王孝東：
sic mos自帶的二極管起不到作用，這是誰給你灌輸?shù)摹＿€是說你有實(shí)測過？
That Boy：
SiC自帶二極管反向恢復(fù)能力肯定比Si管好上很多。但我覺得SiC目前主要還是應(yīng)用在中大功率領(lǐng)域或高溫極端環(huán)境中，這些情況下對管子高頻工作時(shí)的開關(guān)損耗要求非常苛刻，很多時(shí)候光靠自帶二極管是不夠的，這也是為什么目前CREE、ROHM等公司的大部分SiC功率模塊都給每個(gè)SiC Mos封裝了反并聯(lián)SiC SBD，這成本并不低的。不過將來在模塊封裝中取消這個(gè)SBD是趨勢，現(xiàn)在這方面研究的人很多。
王孝東：
單管的sic mos，從來沒有見過外并二極管的，這有不是igbt。就一般的管子，足夠支持幾個(gè)kw到10kw的系統(tǒng)了，再大也沒有接觸過。Sic mos就用過2次，一個(gè)是llc，完全無視zcs的現(xiàn)象，效果非常好。
一個(gè)是450-700v轉(zhuǎn)380v 的雙管正激，200k的硬開關(guān)，效率還有95+，這個(gè)是普通si mos達(dá)不到的。
唐瀟棠：
自帶的PIN體二極管是雙極型器件，反向恢復(fù)時(shí)還是會有一定得尖峰電流吧。加上sic的pin二極管開啟壓降比較大，通態(tài)損耗高，所以一般選用反并聯(lián)sbd。目前sic mosfet一個(gè)研究熱點(diǎn)方向也在于集成sbd在sic mosfet內(nèi)部，器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)層面的。
精華問答七（LTspice學(xué)習(xí)營）
始于蓄千刃之勢：
老師，想問一下這種正輸入端是Vref的比例積分電路傳遞函數(shù)如何推導(dǎo)？
Hardware Designer：
@始于蓄千刃之勢?這個(gè)不就是二型補(bǔ)償器嗎？推導(dǎo)傳遞函數(shù)vref由于是直流，轉(zhuǎn)成s域的時(shí)候，是接地的。
始于蓄千刃之勢：
懂啦，謝謝！
Hardware Designer：
如果你懂得FACT，這種電路，一下子就看出零極點(diǎn)的表達(dá)式了，根本不用算。
精華問答八（Pspice學(xué)習(xí)營）
網(wǎng)博 蘭波：
我r2 C3一直調(diào)不好 大家知道怎么選參數(shù)么？30k 101感覺不穩(wěn)定。
悠然山主：
錯(cuò)了吧，軟件不認(rèn)識101。
網(wǎng)博 蘭波：
@悠然山主?這個(gè)不是軟件，我實(shí)際搭的電路圖，硬件實(shí)物。
悠然山主：
十年前調(diào)過3843，現(xiàn)在忘記了。
一米：
電容大就完事了。101不行 就102 再不行就103/104。
網(wǎng)博 蘭波：
@一米?都試過了，16種。
悠然山主：
Cr不是接地嗎？
網(wǎng)博 蘭波：
@悠然山主?怎么接地？
悠然山主：
網(wǎng)博 蘭波：
@悠然山主?把2腳屏蔽了。直接用1腳。這樣是不是就不要做環(huán)路補(bǔ)償了？
某人：
不行，不能屏蔽FB腳。這里沒外接運(yùn)放。R2 C3串聯(lián)試試。10K+104。屏蔽2腳的原因是在次級已經(jīng)有431內(nèi)部的運(yùn)放了，就不用2腳里的了。否則打架的厲害。
蘭總，你不是已經(jīng)調(diào)好了嗎？還在玩啥新東西啊？
網(wǎng)博 蘭波：
@某人?我以為我調(diào)好了，結(jié)果再裝一套就不行了。
某人：
串聯(lián)試試看。
悠然山主：
@蘭波?我記錯(cuò)了。
網(wǎng)博 蘭波：
串聯(lián)，pwm腳波型明顯不對吧。現(xiàn)在的問題是輸出電壓是對的。我是buck，輸出5V。就是波型看不清楚，我覺得是環(huán)路不對。
某人：
這個(gè)波如果是VGS，那是空載狀態(tài)吧？
悠然山主：
FB對地接101電容。
網(wǎng)博 蘭波：
我的是p mos。負(fù)載現(xiàn)在是5歐姆電阻。好，我焊個(gè)101試試。
對了，我3腳沒有參與工作。我屏蔽了，因?yàn)槲也恍枰蘖鳎瑳]問題吧？
某人：
沒問題。接地就好了。你的R6 R7分壓電阻取值偏小。阻值應(yīng)該再大些。用兩顆5K1的試試。分壓電阻流過來的電流大了，從1腳反饋回去的電流太小，不足以形成有效的負(fù)反饋。
網(wǎng)博 蘭波：
@某人 我試試
某人：
公版的電路圖，初級部分跟你的一樣。
網(wǎng)博 蘭波：
他這個(gè)是反擊，我那個(gè)是buck（15to5v）
某人：
一樣一樣。
網(wǎng)博 蘭波：
歐克。我這個(gè)環(huán)路面積很大。沒問題吧？
某人：
頻率不高沒啥事。以前電視機(jī)電源，環(huán)路扯了20--30厘米遠(yuǎn)。一樣沒事。頻率都在30--60K。
網(wǎng)博 蘭波：
mos的D級波型。輸入電壓從(10上升到32V）。
某人：
很穩(wěn)定了。咋整好的？
網(wǎng)博 蘭波：
我不敢相信。我再試試。我換個(gè)板子。復(fù)現(xiàn)一下。哎呀，咋燒了2個(gè)mos呀。輸入32V，必?zé)齪mos。
@某人?謝謝你的指導(dǎo)。我已經(jīng)搞定了，在兩塊板子上都很穩(wěn)定了。主要參數(shù)：反饋改成兩個(gè)5.1是核心問題。反饋那邊，還是1，2腳間用30K和101串聯(lián)。
網(wǎng)博 蘭波：
@某人 現(xiàn)在還有一個(gè)問題我百思不得其解。我如果在此電路上輸入端假如 470u 的輸入電容。就又不行了。輸入電容不是讓輸入更穩(wěn)定么？這個(gè)問題怎么辦呀？
加入輸入電容C1，好處是8-9伏輸入電壓，波型穩(wěn)定。當(dāng)時(shí)10v以上。波型就亂了。就不如不加電容了。
某人：
波形亂是顯示亂而已。波形是好的。觸發(fā)電平調(diào)整下就能看到穩(wěn)定的波形了。如果C1靠近mos，應(yīng)該是不會影響的。如果有影響，那么再調(diào)整1--2腳之間的反饋?zhàn)枞荨?/span>
網(wǎng)博 蘭波：
@某人 謝謝。按你的思路，我調(diào)成 100K + 101。現(xiàn)在效果不錯(cuò)。輸入電容也穩(wěn)定了。贊 ！