隨著現在手機等鋰電的容量要求越來越大,相應地其保護板也要求越來越小,目前市場上出現的TSOP-6封裝的雙N MOS體積只有TSOP-8封裝的一半還小,因此在許多應用場合有其獨特的功能.而且由于成本等上面的控制,TSOP-6的封裝更加有優勢.
2005年6月,我司推出了TSOP-6封裝的這種MOS.在廣大客戶和朋友的支持下,應用范圍不段擴大,也得到了一致好評,現在為市面上性價比最好的同類型MOS,傳上該產品的資料,歡迎大家的參與和來電!1136361379.pdf
關于雙N MOS的TSOP-6取代TSOP-8的趨勢討論 !
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@濁酒一杯
一班無知的家伙,6條腿的不可能替代8條腿的,不信你看幾大手機廠有改了沒有.根本原因在于,TSSOP-6的固定承受功率只有1.25W而TSSOP-8的在2.5W決定了當電池過流時很可能把TSSOP-6封裝燒掉.在歐美根本不可能過關.國內人做事不講游戲規則,遲早會出問題,看看做單管的就知道.
假設電池的容量為800MAH,算最快充電最大的充電電流400MA,MOSFET的內阻為60毫歐.算起來功率P=I2*R=0.4*0.4*0.06=0.0096W.
假設按照目前最大的1800MAH算,P=0.9*0.9*0.06=0.0486W.
不知道我算的是不是對?謝謝指正
如果沒有保護IC,那我就不好說了,估計TSSOP-8的一樣會被燒掉
假設按照目前最大的1800MAH算,P=0.9*0.9*0.06=0.0486W.
不知道我算的是不是對?謝謝指正
如果沒有保護IC,那我就不好說了,估計TSSOP-8的一樣會被燒掉
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@sevenchiang
TELLY;你好,你的問題,在于對MOSFET的電流值的理解,你要看測試條件,我們在定義電流值時,是根據其熱阻值,焊在FR4的PCB板上,測試出來,是有一定條件的!關于這個問題,你可以到美國國家半導體公司網站上有相關的資料可以查詢參考:)
江生:
你說的不錯,但每個應用有它特殊性,當電路過流或短路時,電流可高達6~8A過流的判斷時是V=IR來算,目前理光的過流的V植設定為0.2V,R代表MOS的內阻.所以I(過電流)=0.2/R,當R=60MR時,過電流可高達3.33A,如果用2017等就更大,這就是原裝電池為什么都加FUSE的原因.我研究工程的.你呢?
你說的不錯,但每個應用有它特殊性,當電路過流或短路時,電流可高達6~8A過流的判斷時是V=IR來算,目前理光的過流的V植設定為0.2V,R代表MOS的內阻.所以I(過電流)=0.2/R,當R=60MR時,過電流可高達3.33A,如果用2017等就更大,這就是原裝電池為什么都加FUSE的原因.我研究工程的.你呢?
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@濁酒一杯
江生: 你說的不錯,但每個應用有它特殊性,當電路過流或短路時,電流可高達6~8A過流的判斷時是V=IR來算,目前理光的過流的V植設定為0.2V,R代表MOS的內阻.所以I(過電流)=0.2/R,當R=60MR時,過電流可高達3.33A,如果用2017等就更大,這就是原裝電池為什么都加FUSE的原因.我研究工程的.你呢?
你好,加FUSE是為了二次保護,是為了在極端的情況下具有更高的安全性.短路的時候電流是瞬間的,如果保護IC正常工作,一般地是不會損害MOSFET的!
我是一個業務員而已:),知道的東西很有限,歡迎你有機會可以過來鄙司坐坐:)
我是一個業務員而已:),知道的東西很有限,歡迎你有機會可以過來鄙司坐坐:)
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