【討論】RC、RCD緩沖的比較

單端反激式電源，在主功率MOSFET關(guān)斷的時(shí)候，由于變壓器漏感及MOSFET節(jié)電容、分布電容的存在，會(huì)產(chǎn)生幅值很高的振蕩。這個(gè)原級(jí)的振蕩波形會(huì)通過變壓器傳遞至次級(jí)。而當(dāng)MOSFET關(guān)斷的時(shí)候，反激變壓器的次級(jí)正好處于導(dǎo)通狀態(tài)，振蕩波形形成噪聲，疊加在直流輸出波形上.......

目前，完全解決這種噪聲的方法不太多。分析其產(chǎn)生根源，我們可以降低變壓器的漏感，從而降低整檔所產(chǎn)生的尖峰電壓峰峰值，但由于大部分電源廠商不生產(chǎn)變壓器，而大批量生產(chǎn)又不可能對(duì)變壓器漏感進(jìn)行逐一測試，所以我們經(jīng)常在電路上做優(yōu)化處理。

目前主要的優(yōu)化措施有RCD吸收、RC吸收，但不知有沒有人對(duì)RC吸收和RCD吸收的效果做過比較？

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cheng111

LV.11

2011-03-01 22:36

我也沒有做這樣的實(shí)驗(yàn)，關(guān)注一下。

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holyfaith

LV.8

2011-03-02 10:45

期待著講解

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feibingliuabc

LV.8

2011-03-02 16:01

@holyfaith

期待著講解

學(xué)習(xí)

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hong_chen

LV.4

2011-03-04 18:31

@feibingliuabc

學(xué)習(xí)

一般使用RCD.因?yàn)镈IODE在MOS關(guān)斷期間起到鉗位MOS DS電壓的作用.從而保證了MOS 的安全工作.而RC只能在MOS關(guān)斷的時(shí)候吸收部分能量.卻不能保證MOS關(guān)斷時(shí)震蕩的幅值.如果你MOS管電壓足夠大.且輸出電壓不是很高的話.可以用RC

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btma

LV.8

2011-03-05 02:52

從效果說，RCD肯定是比RC好了。有很多文章或書介紹原理了。

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chenren_1981

LV.2

2011-03-05 11:38

@btma

從效果說，RCD肯定是比RC好了。有很多文章或書介紹原理了。

有做過實(shí)際的測試么？我們做的是模塊電源，想盡量縮小PCB的面積，現(xiàn)在的措施是

1.增大圈比，降低原邊到付邊的震蕩副值

2.盡量讓變壓器廠家控制漏感了

第3補(bǔ)還是準(zhǔn)備加RC吸收

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czynwpu

LV.2

2011-03-05 16:04

@hong_chen

一般使用RCD.因?yàn)镈IODE在MOS關(guān)斷期間起到鉗位MOSDS電壓的作用.從而保證了MOS的安全工作.而RC只能在MOS關(guān)斷的時(shí)候吸收部分能量.卻不能保證MOS關(guān)斷時(shí)震蕩的幅值.如果你MOS管電壓足夠大.且輸出電壓不是很高的話.可以用RC

頂一下，二極管就是鉗位的作用

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銀杏大道

LV.2

2011-03-06 07:49

我也是在做這個(gè)單端反擊開關(guān)電源！但是我是新手。一般都是選用RCD，選用RCD有接電源正極也有接負(fù)極的。接正極端要好以一些，這樣可以減小一半的電容上的分壓。

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flttxlj

LV.1

2011-03-06 14:57

@czynwpu

頂一下，二極管就是鉗位的作用

那二極管不是續(xù)流，它是怎樣鉗位的呢？

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btma

LV.8

2011-03-06 23:03

@chenren_1981

有做過實(shí)際的測試么？我們做的是模塊電源，想盡量縮小PCB的面積，現(xiàn)在的措施是1.增大圈比，降低原邊到付邊的震蕩副值2.盡量讓變壓器廠家控制漏感了第3補(bǔ)還是準(zhǔn)備加RC吸收

本人沒做過測試。但根據(jù)你的目的用RCD比較合適。

1、增大匝比不太合適，會(huì)使電壓調(diào)節(jié)余量減小，選擇合適的就好。

2、控制漏感也有限度，畢竟會(huì)增加成本和工期。

3、要做到同樣的效果RC吸收就會(huì)比RCD吸收參數(shù)大一些，效率低一些。

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hch311321

LV.2

2011-03-07 14:51

@銀杏大道

學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)

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shenyang0628

LV.4

2011-03-08 19:13

@銀杏大道

RCD比單純的RC好，RCD可以有效的鉗位住震蕩的幅值

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eqver

LV.4

2011-03-09 21:26

@hong_chen

一般使用RCD.因?yàn)镈IODE在MOS關(guān)斷期間起到鉗位MOSDS電壓的作用.從而保證了MOS的安全工作.而RC只能在MOS關(guān)斷的時(shí)候吸收部分能量.卻不能保證MOS關(guān)斷時(shí)震蕩的幅值.如果你MOS管電壓足夠大.且輸出電壓不是很高的話.可以用RC

這個(gè)問題，并沒有觸及兩個(gè)電路的實(shí)質(zhì)；應(yīng)該問一下，為什么在變壓器原邊使用RCD，整流二極管使用RC來吸收會(huì)更為合理呢？其原理是什么，每個(gè)原件的作用是什么？

1、分析兩個(gè)電路的差異：RC是串聯(lián)的，RCD中的RC先并聯(lián)再和D串聯(lián)；

2、RC和RCD中的R都是用來消耗能量的，作用一樣；

3、但是C的作用卻有所不同：對(duì)于RC來說，C的作用是用來改變總阻抗（注意，C在交變信號(hào)下呈現(xiàn)容抗）的，低頻時(shí)高阻抗，高頻時(shí)低阻抗；對(duì)于RCD來說，C的作用是貯存能量，或者說與漏感諧振，都可以；

4、D的作用：說成是箝位是欠缺考慮的，因?yàn)槿绻皇菫榱梭槲唬遣灰O管，直接一根導(dǎo)線接在C上，豈不是箝位效果更好？這里D的作用就是單向?qū)щ姷淖饔茫唤忉屓缦拢喝绻灰狣，那么在整個(gè)MOS管導(dǎo)通期間,R都會(huì)消耗能量。

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chenren_1981

LV.2

2011-03-11 08:21

@btma

本人沒做過測試。但根據(jù)你的目的用RCD比較合適。1、增大匝比不太合適，會(huì)使電壓調(diào)節(jié)余量減小，選擇合適的就好。2、控制漏感也有限度，畢竟會(huì)增加成本和工期。3、要做到同樣的效果RC吸收就會(huì)比RCD吸收參數(shù)大一些，效率低一些。

1.增大匝比會(huì)影響最小電源工作電壓，我們也知道不太合適

2.總感覺漏感才是這個(gè)問題的根源，控制漏感，就需要多增加變壓器的供應(yīng)商，不知道各位兄弟，你們的變壓器供應(yīng)商，有沒有將此項(xiàng)參數(shù)控制得非常合理的，我們的骨架是FEY12.8和FEY15.3

3.另外，如果RC吸收實(shí)在不能解決問題的話，也只能用RCD了

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邵天嵐

LV.2

2013-08-30 10:55

@eqver

這個(gè)問題，并沒有觸及兩個(gè)電路的實(shí)質(zhì)；應(yīng)該問一下，為什么在變壓器原邊使用RCD，整流二極管使用RC來吸收會(huì)更為合理呢？其原理是什么，每個(gè)原件的作用是什么？1、分析兩個(gè)電路的差異：RC是串聯(lián)的，RCD中的RC先并聯(lián)再和D串聯(lián)；2、RC和RCD中的R都是用來消耗能量的，作用一樣；3、但是C的作用卻有所不同：對(duì)于RC來說，C的作用是用來改變總阻抗（注意，C在交變信號(hào)下呈現(xiàn)容抗）的，低頻時(shí)高阻抗，高頻時(shí)低阻抗；對(duì)于RCD來說，C的作用是貯存能量，或者說與漏感諧振，都可以；4、D的作用：說成是箝位是欠缺考慮的，因?yàn)槿绻皇菫榱梭槲唬遣灰O管，直接一根導(dǎo)線接在C上，豈不是箝位效果更好？這里D的作用就是單向?qū)щ姷淖饔茫唤忉屓缦拢喝绻灰狣，那么在整個(gè)MOS管導(dǎo)通期間,R都會(huì)消耗能量。

RC并聯(lián)再串D是RCD Clamp

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