反激電路占空比問題
其實不能完全說匝比確定占空比,他們是相互影響的。Uo=(Uin*D)/(1-D)N;Uo,Uin已經給出,D和N可以相互影響,設計之前N也是不確定的。那么如果要求最大占空比在0.5以內的話,可以根據最大占空比確定N;如果要求N取一個范圍內的話(大部分N都小于10),也可以根據N確定占空比。
我想問的是能不能為了把最大占空比調整到0.5而改變匝比?此時的匝比可能大于20。
或者把匝比控制在10以內,而是最大占空比也很小,大概在0.25?這兩者之間怎么平衡?
之前找過一些資料:
一、種是知道了MOS管的耐壓,去掉一部分余量,之后的耐壓值=輸入電壓最大值+匝比*(主輸出電壓+1);這種方法得出的匝比,按資料給的例子算出來的占空比D正好在0.5附近,匝比也合適。
但是我懷疑這是一種巧合,因為:1.這種方法余量取得不同,算出來的結果差別很大;2.一般是根據需求選所需耐壓的MOS管吧,而不是選好了MOS管來算電路的其他參數;;3.作者算出來的結果有沒有湊數的成分就不知道了
二、提前確定反射電壓Vor,之后通過D=Vor/(Vmin-Vds+Vor) 即:反射電壓除以最小輸入電壓—MOS導通壓降+反射電壓。計算出占空比,再確定匝比N。
感覺這樣比較合理,但是疑問1.這樣得出來的匝比N可能大于20(因為這個電路輸入寬泛而且電壓高),這樣的匝比能不能用?2.這個反射電壓Vor選取有沒有什么經驗值,或者依據什么的?
您好!感謝您寫了那么多的經驗貼,很辛苦,呵呵!
看了那個帖子,理解是:通過器件的降額得到了反射電壓Vf,從而計算最大占空比;通過最小輸入電壓、最大占空比、峰值電流和頻率計算得到電感量;利用AP法選磁芯;之后計算得到原邊匝數Np;最后利用輸出電壓,原邊匝數和反饋電壓Vf得到副邊匝數。
那么有幾個疑問:
1.這樣計算可能最大占空比能控制在合理的范圍(最大值在0.45—0.5),但是最后出來的匝比可能很大,大于20甚至30;這該怎么調整,或者說變比有沒有一個經驗值,超出這個值就不穩定或其他問題。
2.對于同一個電壓輸入,不考慮成本的時候可以選很大容量的MOS,這樣的出來的Vf差別很大,根據這個確定最大占空比不行吧。
謝謝,輸入是150V—600VDC要求是四路輸出:5V/2A;正負15V/0.5A;24V/1A;總輸出功率是49W。不大也不小。
之前做的效果不好,300V以下還湊合能用,到600V的時候TOP和MOS發熱嚴重,二十分鐘散熱器能上80度,沒法用。主要原因是開通的時候有非常大的電流和電壓尖峰重疊區,損耗非常大。這個不像正常的尖峰,電流尖峰比正常值大3倍以上,電壓尖峰大2倍。
想換成單管,3842或45驅動,不知道行不行?像上面擔心的一樣,是不是要控制一下變比和占空比?
這個輸出怎么感覺有點似曾相識?
用3842再加外掛的MOS管吧,其余上面都說了