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14號參賽作品+higel+10票

其實，MOSFET上還是有很多參數非常有用，接下來請higel給大家講講動態特性方面的參數[圖片]這些參數對于軟開關電源參數的設計，損耗的計算，驅動電路的設計都是不可或缺的期待樓主的精彩講解[圖片]

那些黑色的晶胞就是損壞點？但從圖片看似乎損壞的具體位置幾乎全部集中是邊緣，請教下其具體的原因。謝謝

溫升的測試點非常關鍵

10路，交叉調整率想想都是個頭疼的問題坐看樓主怎么解決這個問題

樓主分析的很全面，辛苦了不過對于第一點的的回復我認為有值得商榷的地方。雪崩失效開始是電壓被鉗位，接著就是電流產生的熱讓MOSFET抗，抗住了就不會失效，否則就掛掉了，其本質就是超出了SOA的范疇。具體可以參照論壇里面higel的那個帖子http://www.laiyangyintong.cn/bbs/1508625.html以上在于個人的理解，不對請指教。

這個是有個換算公式的，Infineon的資料上有，我記得分享過這個資料

[圖片]l樓主辛苦了，奉上的都是干貨

此種結構將漏極跟本體金屬結構分開了，在正常工作的時候會不會造成MOSFET本身的結溫更高？對于MOSFET內部來講，因為TO-220S此種結構的熱阻是大于傳統的TO-220的，但是MOSFET本身的金屬散熱片到外部的金屬散熱片之間的熱阻，TO-220S就有很大的優勢了，但這種熱阻上的優勢是否能抵消其內部熱阻的劣勢？請Javike版主奉上測試對比數據，大家就一目了然了

[圖片][圖片][圖片]雷擊浪涌測試，因為是沒有地線，所以決定按照2類電源來測試，只測試L-N2KV的組合波4個相角各10次很不幸的是第一個波形時刻，這個機子已經駕鶴西去，檢查了一下，發現輸入保險絲已經熔斷