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INN3673設計的9W隔離反激式設計

      PI將初級的高壓開關以及次級的控制電路集成到同一個緊湊的封裝內部,同時具備高達4000VAC的隔離電壓要求,目前沒有其他廠家可以實現類似的技術。InnoSwitch3-EP同時集成了次級檢測以及同步整流驅動器,進一步降低了設計復雜度并提高了電源效率。其中以INN3690C為例,其可以在超過93%的效率下輸出高達100W的功率。能夠有效縮小散熱器尺寸,甚至完全省去散熱器,僅靠PCB板進行散熱。

電源用INN3673芯片設計的用于9W隔離反激式設計,輸出為9V,電流大小為1 A,在115VAC輸入下,滿載時效率為91%,在10%負載下效率為89%,同時具備出色的CV/CC精度,且不受外部組件參數誤差的影響。可通過調整外部電流檢測電阻的數值來調整整個電源的輸出過載保護點。其中750V以上的PowiGaN開關型號可實現更低的導通損耗和開關損耗,無需金屬散熱片并減少相關的振動影響。基于PowiGaN的器件也非常可靠耐用,即使在持續時間較長的輸入浪涌期間也能保護系統免受電壓尖峰的影響,并在浪涌結束后快速恢復。

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k6666
LV.9
2
2024-11-07 08:53

FluxLink是一項磁感電氣隔離通信技術。由兩個間距為0.4mm的磁感耦合導體構成,并且嵌入在同質絕緣材料中。

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trllgh
LV.10
3
2024-11-14 08:36

InnoSwitch3-EP反激式開關IC產品系列提供了不同耐壓水平、靈活多樣的選項。

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cwm4610
LV.6
4
2024-11-14 15:16

縮小散熱器尺寸,靠PCB板進行散熱還是要注意一些具體的事項,確保溫度是可控,不影響性能發揮。

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飛翔2004
LV.10
5
2024-11-16 13:12
@cwm4610
縮小散熱器尺寸,靠PCB板進行散熱還是要注意一些具體的事項,確保溫度是可控,不影響性能發揮。

InnoSwitch3-EP器件均具有同步整流控制、波谷開通的非連續導通模式(DCM)和連續導通模式(CCM)反激式控制器。

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2024-11-18 13:20
@trllgh
InnoSwitch3-EP反激式開關IC產品系列提供了不同耐壓水平、靈活多樣的選項。

FluxLink通信技術可使IC封裝位于安規隔離帶上,從而省去光耦器。

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spowergg
LV.10
7
2024-11-21 08:41
@trllgh
InnoSwitch3-EP反激式開關IC產品系列提供了不同耐壓水平、靈活多樣的選項。

設計時可根據其應用選擇最佳的開關技術,從而簡化設計,體積也可以做的相對小。

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2024-11-22 23:40

INN3690C可以在超過93%的效率下輸出高達100W的功率,從而有效縮小散熱器尺寸,甚至完全省去散熱器,僅靠PCB板進行散熱。

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xxbw6868
LV.10
9
2024-11-23 16:33
@大海的兒子
FluxLink通信技術可使IC封裝位于安規隔離帶上,從而省去光耦器。

為了提高效率,還必須選擇具有較低傳導損耗的有源器件。比如導通損耗低的MOS管。

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dy-StTIVH1p
LV.8
10
2024-11-23 16:44

反激輸出過程需要考慮信號毛刺帶來的影響么

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dy-StTIVH1p
LV.8
11
2024-11-23 16:49

怎么樣確保信號傳輸的隔離傳輸一直穩定

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dy-TMelSvc9
LV.8
12
2024-11-23 17:14

反擊隔離傳輸對信號頻率有哪些特殊要求

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聽聽1234
LV.5
13
2024-11-25 19:01

電源用INN3673芯片設計的用于9W隔離反激式設計,輸出為9V,電流大小為1 A,在115VAC輸入下,滿載時效率為91%,在10%負載下效率為89%,同時具備出色的CV/CC精度,且不受外部組件參數誤差的影響。

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沈夜
LV.8
14
2024-11-27 01:29

如何實現高壓開關與次級控制電路的緊湊集成?

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千影
LV.6
15
2024-11-27 20:45

如何實現更高電壓隔離等級且保持高效率的電源設計?

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trllgh
LV.10
16
2024-12-07 16:51
@spowergg
設計時可根據其應用選擇最佳的開關技術,從而簡化設計,體積也可以做的相對小。

該系列器件提供標準輸出功率和峰值輸出功率選項。

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旻旻旻
LV.8
17
2024-12-08 22:33

PowiGaN器件能夠輕松耐受全球范圍內的輸入浪涌和電壓驟升,電路設計值得推薦

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飛翔2004
LV.10
18
2024-12-10 13:33
@xxbw6868
為了提高效率,還必須選擇具有較低傳導損耗的有源器件。比如導通損耗低的MOS管。

額外增加的與SR MOSFET并聯的肖特基二極管可以略微提高效率。

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2024-12-21 22:51

PowiGaN耐應力比較高嗎,持續時間較長的輸入浪涌,高的電壓尖峰也可以抗住啊

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飛翔2004
LV.10
20
01-09 13:17
@trllgh
該系列器件提供標準輸出功率和峰值輸出功率選項。

GaN具有極快的開關速度和優異反向恢復性能,在低損耗、高效率應用場合優勢明顯。

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trllgh
LV.10
21
01-11 13:15
@飛翔2004
額外增加的與SRMOSFET并聯的肖特基二極管可以略微提高效率。

在次級MOSFET導通開始期間以及次級電流達到零或次級MOSFET關斷之前,該二極管導通而不是MOSFET體二極管導通。

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01-13 13:54
@trllgh
在次級MOSFET導通開始期間以及次級電流達到零或次級MOSFET關斷之前,該二極管導通而不是MOSFET體二極管導通。

該系列的開關電源有較高的輸出功率,而不同型號的的開關電源IC有不同的輸出功率。

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tmpeger
LV.10
23
01-13 21:55

電路配合標準的變壓器結構技術即可提供優于線性變壓器電源的輸出負載穩壓精度

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dy-XU5vrphW
LV.8
24
01-14 09:21

反激電源設計有哪些特點

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xxbw6868
LV.10
25
01-14 13:42

PI特有的PowiGaN技術可提供實現900V耐壓所需的可靠性和耐用性。同時還能提高功率和效率。

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飛翔2004
LV.10
26
02-13 19:07
@xxbw6868
PI特有的PowiGaN技術可提供實現900V耐壓所需的可靠性和耐用性。同時還能提高功率和效率。

INN3679內置的同步整流(SR)驅動器,允許使用低成本的低壓MOSFET進行同步整流,并可提高系統效率。

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02-14 11:44
@飛翔2004
INN3679內置的同步整流(SR)驅動器,允許使用低成本的低壓MOSFET進行同步整流,并可提高系統效率。

集成了初級和次級多模準諧振反激式控制器,高電壓場效應管,次級傳感和同步整流驅動器,且在不同負載條件下效率均可達94%。

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trllgh
LV.10
28
02-15 16:25

INN3679采用InSOP-24D封裝,該封裝為引腳封裝,具備安全、可靠、成本低的特點。

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飛翔2004
LV.10
29
03-10 16:46
@trllgh
INN3679采用InSOP-24D封裝,該封裝為引腳封裝,具備安全、可靠、成本低的特點。

INN3679優異的恒壓/恒流精度,不受變壓器設計或外圍元件的影響。

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06-10 14:01
@trllgh
在次級MOSFET導通開始期間以及次級電流達到零或次級MOSFET關斷之前,該二極管導通而不是MOSFET體二極管導通。

InnoSwitch3在整個負載范圍內表現出卓越的高效能運行能力,采用了先進的PowiGaN技術

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黑夜公爵
LV.10
31
06-13 22:45

在功率MOSFET處于關斷期間,初級旁路引腳中的內部穩壓器器會從漏極引腳電壓吸收電流

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