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如果變壓器的磁芯掉了一塊，將導致磁通回路不完整，增加漏磁通，從而降低變壓器的效率、增加損耗，可能引發(fā)過熱和降低電流承載能力。

MOS晶體管是一種通用的場效應晶體管，而功率型MOSFET主要用于高功率應用，具有較低的導通阻抗和快速開關特性；IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）結合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的優(yōu)良導通性能，適合高電壓和高電流的功率應用。

  EAS，全稱為單次雪崩能量（SinglePulseAvalancheEnergy），是MOSFET器件手冊中一個關鍵參數(shù)，用于衡量器件在DS端過壓極端條件下的能量耐受能力。

MOSFET是一種通過柵極電壓控制源極與漏極之間電流的半導體器件，其重要參數(shù)包括閾值電壓、漏極電流、導通阻抗等，廣泛應用于開關電源和電機驅動等領域。

米勒效應（Miller effect）是在電子學中，反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會擴大1+K倍，其中K是該級放大電路電壓放大倍數(shù)。

InnoSwitch5-Pro內部集成了750V或900V的PowiGaN初級開關、FluxLink隔離反饋和具備I²C接口的次級控制器，這種高集成度的設計，不僅讓電路更加簡潔，還大大提升了性能和可靠性。

反激電源的EMI設計關鍵在于優(yōu)化布局、選擇合適的元件和設計有效的濾波器。通過確保短路徑布局并使用地平面，可以降低電流回路的電感，從而減少EMI。此外，使用低EMI的開關元件和高質量的磁性元件能進一步降低電磁干擾，而設計輸入和輸出的LC濾波器則可以有效抑制高頻噪聲。同時，加裝金屬屏蔽對敏感電路部分進行保護也是降低EMI的重要措施。

PI強大的芯片設計，內部集成了GaN功率器件，750V耐壓值可以覆蓋很多場景使用，一般不會擊穿，可靠性高，空載損耗也很低，可小于70mW。

InnoMux開關振鈴的成因主要包括電源質量不穩(wěn)定、開關速度與特性、PCB布局不合理、負載阻抗不匹配，以及外部環(huán)境干擾等因素。這些問題可能導致信號反射和干擾，從而產(chǎn)生振鈴現(xiàn)象。解決此問題可以通過優(yōu)化電路設計、配備適當?shù)臑V波措施及負載匹配等方法來改善電路的整體性能。

輸出整流在LNK3209GQ的導通時間內，由于L1的作用，電流呈斜坡上升并同時輸送至負載。