FluxLink技術可安全地越過隔離層，提供非常大的通訊帶寬，實現極快的負載瞬態響應，并省去光耦器，具有極高的可靠性

ZVS反激式拓撲本身就減少了一些傳統反激式拓撲中需要的元件，如鉗位電路和額外的驅動電路。

ZVS反激式拓撲與GaN互相結合是一個很好的思路，但是具體問題需要具體分析的

采用 InnoSwitch-3 IC 的設計很容易滿足所有全球能效法規，并且具有低散熱的特點。

零電壓開關設計值得思考和反思。

由于集成了 SR FET 柵極驅動器，它還配備了先進的直通和交叉傳導防止機制。

INN5396最大的特點就是采用了無需有源鉗位開關的零電壓開關（ZVS）操作，同時更加精準的SR FET控制技術，，這種技術有優勢嗎？

INN5396最大的特點就是采用了無需有源鉗位開關的零電壓開關（ZVS）操作，同時更加精準的SR FET控制技術，這種控制是如何操作的？

隨著器件溫升的降低，可以實現更加緊湊的適配器布局，其元件數量遠遠少于非對稱半橋（AHB）電路或有源鉗位的方案設計。有源鉗位比較難理解

無需有源鉗位開關的零電壓開關操作，那ZVS是如何實現的呢

InnoSwitch3對同步整流的開關時序進行了優化，確保實現對初級側的功率開關管和次級側的同步整流開關管的開關時序更加精準。

非常不錯的設計，拓撲結構非常有利于傳輸效率的提高

非常不錯的設計使信號傳輸效率一直維持在較高水平

使用的是氮化鎵（GaN）的功率開關和零電壓開關，因此可以降低開關損耗，使變換效率超過95%，可用輸出多大功率？

使用的是氮化鎵（GaN）的功率開關和零電壓開關，因此可以降低開關損耗，使變換效率超過95%。這樣的設計可以省去熱管理所需的散熱片、導熱片和灌封材料，從而進一步減小尺寸，降低元件成本和制造復雜性。

筆記本現在也都是大功率GAN了

如何通過ZVS和GaN提高反激電源的效率？

INN5396如何在保證高效率的同時實現器件小型化和成本降低？

筆記本充電器一般都是啥拓撲結構？

盡量延長次級側SR整流管的導通時間，從而充分利用次級側同步整流高效的特性，實現整體效率的提升。

根據干擾電壓幅值優化變壓器屏蔽圈數，通過改變寄生電容進而減小共模電壓。

InnoSwith3同時集成了很多保護功能，其中增加了次級整流管短路保護功能。

氮化鎵開關損耗低，效率高，不需要散熱片，有利于減小產品尺寸

通過調整變壓器寄生電容，實現共模電流抵消，可明顯改善傳導性能。

選擇開關速度較快的功率開關管，減小寄生電容Ceq1及電壓電流交叉時間

完全符合安全和法規要求，具有出色的抗噪性，并具有增強絕緣和絕緣電壓 > 4000 VAC。

這些器件減少了驅動器布局的復雜性和EMI 的產生，同時也減少了傳導和開關損耗。

如果次級側SR整流管短路，則初級側的開關管即停止開關操作，無需額外的瞬態抑制二極管（TVS）對初級側功率開關管進行保護。

inn5396設計的電路使得適配器和充電器以及開放式框架電源更有效、更輕、更小。

零電壓開關意味著開關過程中電磁能量的釋放減少，從而有助于降低電磁干擾