SCALE-iDriver系列門極驅動器IC可同時為IGBT、MOSFET和SiC MOSEFT提供驅動，也是首款將Power Integrations首創的FluxLink磁感雙向通信技術引入1200 V和1700 V驅動器應用的產品。
FluxLink技術可省去壽命相對較短的光電器件和相關補償電路，從而增強系統運行的可靠性，同時降低系統的復雜度先進的系統安全和保護功能（常用于中壓和高壓應用）可增強產品可靠性創新的eSOP封裝具有9.5 mm爬電距離，并且相對漏電起痕指數(CTI)為600，可確保實現更大的工作電壓裕量和更高的系統可靠性碳化硅(SiC) MOSFET門極驅動器IC可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級，經過設定后可支持不同的門極驅動電壓，來滿足市售SiC MOSFET的需求AEC-Q100認證汽車應用SCALE-iDriver IC可在125°C結溫下提供8A驅動，并且可在不使用推動級的情況下支持輸出功率在數百千瓦以內的600V、650V、750V和1200V IGBT和SiC逆變器設計
SIC1181KQ和SIC1182KQ是適合SiC MOSFET的單通道門極驅動器。該器件利用Power Integrations革命性的固體絕緣FluxLink技術實現了加強絕緣。其峰值輸出驅動電流可達±8A，可直接驅動600A/800A（典型值）以下的開關器件。
該器件還具有原方和副方欠壓保護(UVLO)、帶溫度和過程補償輸出阻抗的軌到軌輸出等更多特性，可確保產品即使在嚴苛的條件下也能安全工作。
此外，這款門極驅動器IC還具有AAC高級有源鉗位（關斷時）特性，可通過一個檢測管腳同時提供短路保護（開通時和開通過程中）和過壓限制。 對于具有電流檢測端子的SIC MOSFET，可實現可調過流檢測。
