在PCB設計的時候需要注意環(huán)路布局，確保環(huán)路面積小，減小干擾。

這個方案還是比較簡潔呀，外圍器件都比較少

電路主控IC的集成度比較高，性能強，這樣外圍電路的設計就簡單化了很多。

電路中的初級和次級反激式控制器使用特有的FluxLink通信通道進行耦合，縮小了產(chǎn)品的體積。

先進的保護/安全特性 ，內(nèi)部集成輸出過壓保護(OVP)， SR FET柵極驅(qū)動開路檢測、 遲滯熱關(guān)斷保護等功能

基于PowiGaN的INN3279設計的電源在整個負載范圍內(nèi)的效率高達95％，功耗也低。

Inno3279該芯片內(nèi)部集成準諧振反激控制器和集成的主開關(guān)管，同步整流控制器和內(nèi)置反饋，以及恒功率輸出,適合和其它芯片物理接口實現(xiàn)快充功能。

除了采用氮化鎵可以縮小體積外，采用貼片保險絲、Y電容等小器件，電容、工字電感等柱狀器件橫置，變壓器沉板處理等設計也很大程度上幫助縮小充電器體積

局部簡潔，尺寸還可以，不錯

需要增加外接隔離器件來保護電路么

FluxLink通信技術(shù)取代光耦器，具有隔離作用，可大幅增強絕緣性能，增加了可靠性。

GaN切換開關(guān)取代了 IC 一次側(cè)的傳統(tǒng)硅高壓電晶體，減少了電流流過時的導通損耗

降壓式變換器拓撲結(jié)構(gòu)，最小直流輸入電壓輸入電容的值應足夠大才能滿足標準

只有在整流橋堆導通期間，傳導干擾的電流才會流向交流電網(wǎng)輸入端

GaN 開關(guān)管可以減少電流流過時的導通損耗

INN3279C內(nèi)置750V PowiGaN技術(shù),適配器密閉環(huán)境中寬電壓輸入可輸出65W,這里降額使用是為了降低發(fā)熱。

滿載時所有的開關(guān)周期都將被使能;在極輕負載時幾乎所有的開關(guān)周期都將被關(guān)閉

除了改善傳導損耗外,使用GaN還可以降低開關(guān)損耗，更高的效率、更小的占地面積和更輕的重量。

隔離電源的輸出和輸入之間都絕緣隔離，不會形成回路，更加安全

自適應開關(guān)周期導通延長是指在初級電流未達到電流限流點前繼續(xù)保持此開關(guān)周期導通

通過有源鉗位的方式實現(xiàn)功率管軟開關(guān),既減小開關(guān)損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,又支持更高開關(guān)頻率,可充分發(fā)揮新型功率管氮化鎵GaN的優(yōu)勢。

施加的電流用于控制輸入過壓的停止邏輯， 并提供前饋信號以控制輸出電流和遠程開關(guān)功能

自適應開關(guān)周期導通延長是指在初級電流未達到電流限流點前繼續(xù)保持此開關(guān)周期導通

當功率MOSFET導通時，器件利用儲存在初級旁路引腳電容內(nèi)的能量工作

最大的實際持續(xù)輸出功率是在開放式設計及有足夠的散熱

GaN HEMT的高電子遷移率使其在高頻應用中表現(xiàn)尤為突出，能夠提供更快的開關(guān)速度和更高的頻率響應

Inn3279反激式開關(guān)電源IC則采用FluxLink技術(shù)，支持無損輸入過壓保護檢測。

對于電源來說，各種保護也是很重要的，例如過電流保護、過電壓保護及欠電壓保護等

能夠在輸入電壓超過選定閾值時自動中斷開關(guān)，從而防止電源在嚴重輸入過壓情況下?lián)p壞。

其效率高達90%，可實現(xiàn)無散熱器的緊湊型35 W電源設計。