Inn3672電源設計方案具有系統極為簡單和元件數少的特點，可實現超緊湊的高可靠性電源。

INN3672C采用InSOP-24D封裝，該封裝為引腳封裝，具備安全、可靠、成本低的特點。

INN3679C也是InnoSwitch3-EP系列產品的一員，集成750V氮化鎵開關，可以降低電流流動期間的傳導損耗，輸出功率更大。

極大降低工作時的開關損耗，最終有助于大幅降低電源的能耗，從而提高效率。

可提供全面的輸入電壓及負載保護，并且具有出色的多路輸出交叉調整率。

采用PowiGaN技術，輸出功率可達100 W，且不用另外加散熱片。

消除了光耦元件，采用fluxlink計數進行通信，提升了產品的質量及壽命。

芯片采用的新型超薄InSOP封裝，保證爬電距離/電氣間隙超過11mm，滿足中國5000米海拔的CQC要求。

精確的初級開關管關斷與次級SR開通時序可降低同步整流管體二極管的導通時間，從而提高效率。

可編程的特性將數字電路集成于模擬的功率器件內部，從而實現高精度、智能化的功率輸出特性控制

在實現高效率和小尺寸方面，氮化鎵是一項明顯優于硅技術的關鍵技術。

次級整流管關斷后再由次級側發送初級側功率開關管開通指令的時序控制方式可以保證在CCM工作方式下同步整流的高可靠性。

省去其性能會隨時間下降的光耦器，從而增強了電源的可靠性。

一般是通過加大電源外殼表面積以及增加散熱片的方法來幫助散熱，這樣會造成成本的增加。

INN3672C主要時通過提高隔離電源IC的轉換效率來減小損耗，從而提高效率。

InnoSwitch3系列很多設計都差不多，相同的開關頻率，根據輸出功率的不同選取相應的外部電路元件，可以大大節約開發周期。

InnoSwitch 3還采用了CCM和準諧振開關的專利技術進一步提高了電源的轉換效率。

InnoSwitch3 EP系列設備具有多種保護功能，包括線路過壓和欠壓保護、輸出過壓和過流限制以及超溫停機。設備具有標準和峰值功率傳輸選項，以及常用的自動重啟保護行為。

PI采用了FluxLink技術，用磁感耦合來進行跨越初級側和次級側的通信，磁感耦合如何實現的?

消除了光耦隨適用壽命增加其性能下降的弱點，與傳統的光耦比，改進了哪些參數？增加了什么材料了？

如果能接外部功率管，提高輸出功率，可以有更多應用

這個方案消除了光耦隨適用壽命增加其性能下降的弱點

磁感耦合來進行跨越初級側和次級側的通信，配合CCM和準諧振開關，并對同步整流二極管進行主動控制

該方案轉換效率能達到多少，是否需要額外的散熱。

PI采用了FluxLink技術，用磁感耦合來進行跨越初級側和次級側的通信，不需要光耦，設計的產品更可靠。

該方案消除了光耦隨適用壽命增加其性能下降的弱點，極大地改善了電源的可靠性

消除了光耦隨適用壽命增加其性能下降的弱點

增強了光耦的壽命，使用時間上得到很大的改善

集成高壓GaN開關管，使得開關損耗更低，大大提高了整體的效率，Power Saving更低。

保險絲隔離電路并提供保護，防止組件故障和熱敏電阻 限制浪涌電流并用于浪涌保護。