LYTSwitch-5系列屬于拓撲中立型器件，支持的拓撲結構非常多，在降壓式拓撲結構電路中，只需20多個外圍元件電路。

LYTSwitch-5提供650 V和725 V 的MOS管耐壓選項，可根據不同產品類型和要求來選擇不同的耐壓值。

降壓拓撲結構使用的輸入電容容量很小，可進一步降低THD及改善PF。

支持降壓、降壓-升壓、抽頭降壓、升壓和隔離或非隔離反激式拓撲結構。

主要是用于優化設計成本，選擇725 V的耐壓在通用輸入AC應用中比較大的電壓裕量，優化電源的抗浪涌性能

同時能夠在不同輸入電壓、負載、生產條件、溫度和多種拓撲結構下提供90%以上的效率。

原理就是當MOS處于關斷狀態時，非連續導通模式工作實質上消除了輸出二極管上出現反向電流的可能，降低了高頻率噪聲

輔助供電需要始終工作，才能保證微處理器的正常工作。

電壓和電流均在次級側進行控制，做到恒壓恒流精度達±3%

在隔離反激式拓撲結構電路中，僅需20多個外圍元件，可以說外圍器件非常的少。

LYT5216的內部反饋控制器能夠進行輸出電流感測，能夠省去光耦過程，也適用于隔離式設計。

這樣允許使用更簡單、更小的EMI過濾器，同時還可提高效率。

選擇625 V MOSFET的產品，主要是在MOSFET電壓應力較低的應用可以降低成本。

再搭配PI的設計軟件軟件Expert Suite，該軟件提供了詳細的拓撲結構設計，縮短了開發時間。

同時功率因數也可以做到0.96以上、低于5%的THD以及+/-3%的電流調整精度，參數性能還是很好的。

采用了集成通訊鏈路FluxLink，體積比較小。

集成了多模式準諧振(QR)/CCM反激式控制器、高壓開關、次級側控制和同步整流驅動器

恒壓/恒流精度不受變壓器設計或外圍元件的影響

PI自行研發的氮化鎵技術，高達110 W輸出，無需散熱片

但是設計時如果將濾波電容值減小，其結果有可能是橋式整流器的 導通角增加，PF 增大。

使電 源變換器的功率管等損耗劇增，很容易損壞功率管、高頻變壓器、高頻輸出整流管元件。

YTSwitch系列高集成度LED驅動器IC與分立式解決方案相比，元件數目可減少很多，且調試簡單。

采用LYTSwitch IC的LED驅動器與同類電源相比更小、更輕且兼容性更高。

無論是采用隔離式還是非隔離式拓撲結構，LYTSwitch器件都能提供比較低的THD。

準諧振芯片還是對效率有一定的幫助的。一般提高在1個百分點左右的效率。

準諧振芯片能讓電源運行在130KHZ左右的工作頻率，而一般芯片多數都只能運行在60KHZ左右。

相較于傳統的硅基半導體，氮化鎵能夠提供更大功率輸出的應用。

意味著變壓器的尺寸接近能縮小1半，對電源小型化還是挺有幫助的

準諧振開通損耗，比較小，一般就只剩下關斷損耗了。。。。

如果做成非隔離輸出，當然可以用電阻分壓，如果是隔離輸出就要用光耦。