
電容的作用
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@11455355
像是軟啟動或者芯片復位電路,110V上電,C初始充電電流大,使得兩個三極管正偏導通,光耦發射端被短路,光耦得不到觸發電流,IO端低電平無輸出,當C充電到接近飽和程度,充電電流下降,三極管轉入負偏截止,光耦發射端有電流通過,IO端高電平輸出。C和周邊電阻以及兩只NPN三極管形成延時電路,延時開,通過光耦隔離輸出,具體延時時間常數,由C的容量和周邊電阻的阻值決定。這個電路典型特點是IO輸出高電平比110V上電晚,符合軟啟動電路和芯片復位電路基本特征。
意思就是電容充電的過程中有電流流過?兩個三極管就會相應的導通?當電容充滿電之后,電容右端的電壓變低,所以三極管就截止了。
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上圖示我幫你畫出的時序圖, 你看一下你的 KeyPoint 為何, 因為我也不知道你這作啥用
圖示, 當+110V電壓加入後,
1). R3開始對C1充電, A 點電壓最高為+110V*R4 / (R4+R3)
2). 當B 點的C1開始充電達到(Q1_Vbe+Q2_Vbe) 則達靈頓電路即啟動, 而為何使用達靈頓, 應該是要讓Q1瞬間飽和, 不要有線性區
3). 當Q1飽和後, C 點飽和電壓為(Q1_Vset+Q2_Vbe) , 所以會有電流從R8流過, 電流 I = +110V-(Q1_Vset+Q2_Vbe) / R8
4). B 點電壓被箝位在(Q1_Vbe+Q2_Vbe), 但 A 點電壓還在上升, 因此還有電流往 B 點流 , Q1 , Q2 會保持導通, 直到 A 點電壓不再上升 即
+110V*R4 / (R4+R3) = VC1 + (Q1_Vbe+Q2_Vbe)
C1則變成斷路, 當 B 點不再提供電流, Q1, Q2 隨即截止
5). 當Q1,Q2 截止後, I = 0
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這唯一變化為電流, 如果+110V Source 端有電流偵測, 那只要再Source 端監測, 則可以確保負載是接上的....可能吧..我猜.......
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@juntion
[圖片]上圖示我幫你畫出的時序圖,你看一下你的KeyPoint為何,因為我也不知道你這作啥用圖示,當+110V電壓加入後, 1).R3開始對C1充電,A點電壓最高為+110V*R4/(R4+R3)2).當B點的C1開始充電達到(Q1_Vbe+Q2_Vbe)則達靈頓電路即啟動,而為何使用達靈頓,應該是要讓Q1瞬間飽和,不要有線性區3).當Q1飽和後,C點飽和電壓為(Q1_Vset+Q2_Vbe),所以會有電流從R8流過,電流I=+110V-(Q1_Vset+Q2_Vbe)/R84).B點電壓被箝位在(Q1_Vbe+Q2_Vbe),但A點電壓還在上升,因此還有電流往B點流,Q1,Q2會保持導通,直到A點電壓不再上升 即 +110V*R4/(R4+R3)=VC1+ (Q1_Vbe+Q2_Vbe) C1則變成斷路, 當B點不再提供電流,Q1,Q2隨即截止5).當Q1,Q2截止後,I=0====================================這唯一變化為電流,如果+110VSource端有電流偵測,那只要再Source端監測,則可以確保負載是接上的....可能吧..我猜.......
斑竹好用心,這時序圖簡單明了解釋的很清楚。就是這電路確實不知道有啥作用。
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@juntion
[圖片]上圖示我幫你畫出的時序圖,你看一下你的KeyPoint為何,因為我也不知道你這作啥用圖示,當+110V電壓加入後, 1).R3開始對C1充電,A點電壓最高為+110V*R4/(R4+R3)2).當B點的C1開始充電達到(Q1_Vbe+Q2_Vbe)則達靈頓電路即啟動,而為何使用達靈頓,應該是要讓Q1瞬間飽和,不要有線性區3).當Q1飽和後,C點飽和電壓為(Q1_Vset+Q2_Vbe),所以會有電流從R8流過,電流I=+110V-(Q1_Vset+Q2_Vbe)/R84).B點電壓被箝位在(Q1_Vbe+Q2_Vbe),但A點電壓還在上升,因此還有電流往B點流,Q1,Q2會保持導通,直到A點電壓不再上升 即 +110V*R4/(R4+R3)=VC1+ (Q1_Vbe+Q2_Vbe) C1則變成斷路, 當B點不再提供電流,Q1,Q2隨即截止5).當Q1,Q2截止後,I=0====================================這唯一變化為電流,如果+110VSource端有電流偵測,那只要再Source端監測,則可以確保負載是接上的....可能吧..我猜.......
學習了,感謝。這個電路就是起一個上電瞬間增大輸入采集電流的功能。
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