占樓編輯

申請理由：1. 學(xué)習(xí)羅姆siC-MOSFET及的波形

                         2.測試效率

                         3.為以后產(chǎn)品上應(yīng)用打個基礎(chǔ)

試用規(guī)劃：1.測試驅(qū)動波形

                2.測試輸入輸出波形及效率

                3.學(xué)習(xí)板子的設(shè)計 

尊敬的主辦方：

本人是南京韋茲科技的新人所以本人對此很有興趣，本人的申請理由下：

1. SIC MOSFET 取代IGBT是趨勢，本人有做過IGBT的項目，現(xiàn)在想試用下SIC  MOSFET的評估板來和IGBT做個比較。

2. 未試用過羅姆的SIC  器件， 想以此機會評測羅姆公司的SIC 產(chǎn)品，也為本公司儲備器件供應(yīng)商資料。

試用規(guī)劃是：

1.根據(jù)評估板的參 先評測下評估各項電源指標：效率、對應(yīng)帶寬的紋波、澡音、電壓調(diào)整率、負載調(diào)整率、溫飄系數(shù)等；

2.與本評估板相類似功率的電源且使用IGBT器件的電源對行各參數(shù)進行比較優(yōu)劣；

3.最后本網(wǎng)站發(fā)布使用心得。

申請理由:

1.本人自己按照參考圖做的板子，運行不起來。準備利用參考板對照一下，查找問題所在。

2.學(xué)習(xí)使用羅姆的Sic和驅(qū)動器IC產(chǎn)品，方便近期做SiC替代IGBT項目。

使用規(guī)劃：

1.評估參考板的各項指標，電壓調(diào)整率，負載調(diào)整率，效率和反饋環(huán)路的設(shè)計。

2.對比原來的IGBT方案，評估優(yōu)勢。

3.購買羅姆產(chǎn)品，自己做設(shè)計，然后調(diào)試ok生產(chǎn)。

3.電源網(wǎng)發(fā)表心得。

伸請理由：

  感受新一代AC-DC（orDC-DC）方案與原來通用（如TL494,SG3525,及LLC）在全方位的驅(qū)動方面的改進程度 ；以及新催向的碳化硅之類的特性，及早進入新材料的領(lǐng)域.......

規(guī)劃：詳細消化羅姆提供的技術(shù)資料，結(jié)合之前常規(guī)開發(fā)手段其他電源方案，進行橫向和縱向?qū)Ρ龋剂啃路桨冈诟鞣N條件下的應(yīng)用表現(xiàn)，若能和羅姆公司或資深開發(fā)行家真誠溝通，以變開出更完整合更接地氣的實用方案，等等

  

  付出努力，在摸投后，希望利用這羅目方案能構(gòu)建一個實用可行或更完善的整體方案。

申請理由：1. 對于MOS管引用了解較多，我們預(yù)研的項目準備使用SIC。對于SIC有簡單的了解，但是實際SIC模塊沒有實際使用過

                         2.對比SIC模塊與MOS管的性能，

                 

試用規(guī)劃：1.測試DEMO板的相關(guān)性能指標，

                2.根據(jù)現(xiàn)在使用的SIC型號，尋找可以做替換的IGBT,測試相關(guān)性能指標；

                3.學(xué)習(xí)DEMO的相關(guān)布局

尊敬的主辦方：

本人是在校研究生，專業(yè)方向是電力電子方面的，對電源設(shè)計有濃厚興趣，曾多次參加電子設(shè)計競賽等相關(guān)活動，申請理由如下：

1. SIC、GaN是近年來大家一直提倡發(fā)展的功率器件，相比于 MOSFET 、IGBT更具有優(yōu)勢，但是由于能力和精力有限，自己做的板子和工程實際應(yīng)用還是有很大差距的，所以想申請貴公司的評估板                              研究一下。

2. 沒有使用過貴公司的相關(guān)產(chǎn)品，想借此機會了解一下，作為實驗室采購渠道的參考。

試用規(guī)劃如下：

1.根據(jù)提供的使用手冊先評測額定負載下板子的各項電源指標包括效率，紋波，負載調(diào)整率等，然后加大負載持續(xù)工作評估其穩(wěn)定性。

2.針對于評估板的測量數(shù)據(jù)與其他商家相關(guān)類似的電源做對比分析；

3.最后本網(wǎng)站發(fā)布使用心得。

申請理由:驗證SIC電源電路與MOSFET電源電路在同等電壓/功率/溫度下的

            1.效率對比

            2.溫升對比

            3.可靠性對比

試用規(guī)劃:測試用于可否替代我現(xiàn)有系統(tǒng)中的三相輔助電源電路.

            1.先期測試樣件的各個工作狀態(tài),負載變化率,極限工作電壓情況

            2.滿載狀態(tài)下,在老化箱內(nèi)工作狀態(tài)

            3.負載異常及電路異常時,樣品的保護性能

申請理由:

1.我開發(fā)的產(chǎn)品中有多款用于三相電中，控制部分的電源本來是要求能夠只接任意兩線也能工作的，但試過多款電源，未有滿意的。

2.產(chǎn)品出口多個國家，應(yīng)用場合多種多樣，對耐高壓要求嚴格。

3.可靠性對比，看是否能代替現(xiàn)有方案。

試用規(guī)劃:

            1.與現(xiàn)用方案對比測試各種參數(shù)。

            2.安裝到產(chǎn)品中，測試各種工況下電源的表現(xiàn)。

            3.購買羅姆產(chǎn)品，自行設(shè)計生產(chǎn)。

尊敬的主辦方您好：

      本人是在校研究生一枚，有幸看到這則消息，想要申請貴公司的評估版，申請理由如下：

1.本人大論文課題是sic mosfet模型的研究，現(xiàn)在正在進行雙脈沖實驗，以后打算做一個基于sic mosfet的PFC電路，故想申請貴公司的評估板。

2.本人手里有幾顆cree公司的c3m0065090d,還有幾顆貴公司的sct2080ke,打算做一些這兩個產(chǎn)品的對比性實驗。

3.本人在恩智浦半導(dǎo)體實習(xí)，有幸了解到IGBT驅(qū)動的芯片以及外圍電路，想要研究一下IGBT的驅(qū)動和mosfet的驅(qū)動的差異主要體現(xiàn)在哪些方面，以及有多大。

       使用計劃：

1.做雙脈沖實驗，對比兩種產(chǎn)品的差異，以及動態(tài)特性的差異，還有柵極電阻在不同電路下的影響程度。

2.用IGBT的驅(qū)動電路驅(qū)動sic mosfet，與貴公司的驅(qū)動電路進行對比，看優(yōu)勢有多大。

3.測試基于sic mosfet的電源相關(guān)參數(shù)，如效率，功率因數(shù)，過流，紋波等。

主辦方您好，本人在職EE一枚，最近產(chǎn)品需求最近需要設(shè)計一款SIC的100~550V輸入的功率電源

申請理由及使用規(guī)劃：

1.因未接觸過羅姆的芯片，故申請目的更多在于評估羅姆SIC對比CREE SIC，新節(jié)能SI，英飛凌SI等管子的性能價格優(yōu)劣

2.反激尖峰很好，測試學(xué)習(xí)RCD在不同變壓器不同繞法不同頻率情況下對于尖峰效率的影響

此外對評估板幾點表示懷疑：

1母線上限1000V為什么元件上了個600VAC的33nF MKP？

2初級側(cè)變壓器1HV+,3SW腳高達1.2KV極限脈沖電壓，絕緣間距這么小是否合適？

申請理由：

1.產(chǎn)品有此規(guī)格需要，目前用1500V的MOS，應(yīng)力不合格

2.測試與目前使用的區(qū)別

3.同時測試一下QR芯片

規(guī)劃：測試樣板的各項應(yīng)力是否符合標準

蘇州韻浩電源有限公司

1. 機器人電源模塊,現(xiàn)有方案復(fù)雜;

2. 現(xiàn)在有使用ROHM MOS R6015;

3.評估板測試各項電源指標：效率、對應(yīng)帶寬的紋波、澡音、電壓調(diào)整率、負載調(diào)整率、溫飄系數(shù)等；

4.評估板可靠性測試；

5.與現(xiàn)有模塊對比;

6.最后本網(wǎng)站發(fā)布使用心得。

申請理由：

             1. 對比mos管與SIC之間的性能

             2. 在不同工況下測試效率、溫升、可靠性等因素

試用規(guī)劃：

            1.測試sic 的各種性能參數(shù)與現(xiàn)有的應(yīng)用做對比。

            2.根據(jù)測試性能進行小批試制，測試。

東西是好，把輸入電解換成薄膜電容就比較漂亮了，3個電解瞬間拉低了可靠性，用這種3電容串聯(lián)的方案，可以不使用1700v的sic管子，用普通的3顆650v管子，一個管子接一個初級繞組回路，并到一個電解上，三個繞組同一個線圈，實現(xiàn)電容的主動均壓，和平攤mos應(yīng)力，驅(qū)動就用雙管正激的驅(qū)動就可以了，只是多一個繞組而已。

申請理由：

一直都想做一款三相沒有零線的開關(guān)電源，奈何開關(guān)電源剛?cè)腴T，沒有合適的方案。今天看到這個試用方案滿心歡喜，正是我需要的。1700V的高耐壓完全勝任3相電整流后的電壓。

二是看變壓器應(yīng)該是EFD15，這么小的變壓器能做成24W，頻率應(yīng)該不小，很好奇這個方案。

我的試用規(guī)劃是：

先整體評估一下工作參數(shù)，比如輸入電壓，輸出功率，效率，工作頻率，紋波等。看能否滿足我的預(yù)期需求。

如能滿足，可能會自己做一套板子，用于商品化。

碳化硅MOS是好東西，我已經(jīng)用了7-8年年多了

Rohm的SCT2H12NZ是1700V 1ohm的SiC MOSFET

Demo 板做的380V輸入其實都保守了，690V輸入都是OK的，功率做50-100W不是問題

好想申請來學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)，奈何實力不允許

主辦方您好，我是在校電氣小碩，目前研究方向是LLC軟開關(guān)方面的，申請理由如下：

1. 我想測試對比一下，使用SiC器件的全橋拓撲的效率跟使用Si器件的LLC拓撲的相同功率的情況下軟開關(guān)效率方面能提高多少，查找SiC相關(guān)論文，在理論方面分析損耗的來源。

2，實驗室有用過GaN器件的師兄，采集電源數(shù)據(jù)和與GaN器件進行對比分析。

3，測出原理圖，學(xué)習(xí)PCB布局，爭取自己畫一套。

3. 將測試結(jié)果加到我的論文中，增加調(diào)試經(jīng)驗，為找工作增加籌碼。

試用規(guī)劃如下：

1.根據(jù)提供的使用手冊先評測額定負載下板子的各項電源指標包括效率，紋波，負載調(diào)整率等，然后加大負載持續(xù)工作評估其穩(wěn)定性。

2.在相同功率下測試實驗室LLC板子與評估板的效率差距，查找來源分布，采集GaN板子數(shù)據(jù)，進行與SiC的對比

3,畫出原理圖，出一份設(shè)計注意事項。

3.最后本網(wǎng)站發(fā)布使用心得以及軟開關(guān)效率分析文檔。

申請理由:之前使用過SiC和MOS管子，想學(xué)習(xí)下SIC 電源電路與MOSFET電源電路

            1.兩種產(chǎn)品的效率及功耗。

            2.工作頻率范圍。

            3.電源輸出的穩(wěn)定性

試用規(guī)劃:測試電源DEMO板，后期設(shè)計進行參考.

            1.測試樣件的各個工作狀態(tài)

            2.測試滿載和輕載的效率

            3.電路的保護功能。

申請理由：

1. 感受SIC各方面的優(yōu)勢  

2.對于氮化硅，我比較信賴ROHM                

3.我們公司是做電源驅(qū)動IC的，經(jīng)常會去電源工廠推廣產(chǎn)品，在了解了SiC各方面性能之后，可給客戶工程師分享羅姆半導(dǎo)體SiC的優(yōu)勢

試用規(guī)劃：

1.為本產(chǎn)品拍下美麗的照片，給網(wǎng)友們分享              

2.測試各項參數(shù)，如效率，并記錄數(shù)據(jù)，分享給電源網(wǎng)網(wǎng)友       

3.發(fā)個帖子，分享測試心得

申請理由：1.從事電源設(shè)計及測試工作將近20年

                2.參與過使用rohm公司SIC MOSFET 的產(chǎn)品開發(fā)，完成產(chǎn)品測試工作。所用產(chǎn)品型號SCT3040KL。

                3.公司主要做電源，測試儀器齊全。

試用規(guī)劃：1.驅(qū)動波形測試。

                2.效率測試

                3.熱測試 

                4.新產(chǎn)品開發(fā)考慮導(dǎo)入

申請理由：

1.MSOFET管的耐壓及應(yīng)用設(shè)計有需求

2.測試學(xué)習(xí)，積累設(shè)計經(jīng)驗。

3.Sic的設(shè)計學(xué)習(xí)

規(guī)劃：測試樣板的主要參數(shù)指標。

申請理由:以前一直使用MOS管，對SIC沒有了解過，想試用性能咋樣

            1.管子的功耗和發(fā)熱程度。

            2.導(dǎo)通時間。

       

試用規(guī)劃:測試一下這個電源板，和以往的MOS控制的板子對比

            1.滿負載工作時的功耗和效率

            2.主要的一些波形Vds，紋波等

      

申請理由：1. 帥

                  2.免費

                  3.抱著學(xué)習(xí)的態(tài)度

試用規(guī)劃：1.可能會拆成三個單相的AC/DC嘗試各種拓撲，比如不加RCD吸收的反激……

申請理由:1.對比下碳化硅與普通半導(dǎo)體的區(qū)別 2.測試下Rohm與其他家碳化硅的優(yōu)劣勢 3.測試下該款產(chǎn)品的性能。規(guī)劃:測試該電源的輸入輸出特性，EMC測試，溫升測試等

申請理由：1. 公司在研發(fā)應(yīng)用SiC的MOS

                 2.三相的電源應(yīng)用，搭配用1700V的碳化硅，竟然這么強悍，有些好奇

                 3.為以后產(chǎn)品上應(yīng)用打個基礎(chǔ)

試用規(guī)劃：1.用示波器了解，各個驅(qū)動MOS的驅(qū)動電壓和電流波形,證明SiC可以有1700V的應(yīng)用

                2.測試該板子的電氣相關(guān)的參數(shù)

                3.學(xué)習(xí)板子的Layout設(shè)計 ，還有安規(guī)，傳導(dǎo)，輻射設(shè)計

申請理由：

1.SiC MOSFET在很多領(lǐng)域?qū)⑷〈鶬GBT，但驅(qū)動比較復(fù)雜，希望通過開發(fā)板做一定評估

2.SiC MOSFET是很多國外知名廠家將來的應(yīng)用主力器件，經(jīng)過研發(fā)測試即將推向市場，希望利用本次開發(fā)板的機會，掌握器件的動態(tài)與保護特性，為新產(chǎn)品的開發(fā)做技術(shù)支撐。

3.熟悉ROHM公司的產(chǎn)品，希望開展合作。

試用規(guī)劃：

1.初步了解BD7682FJ-EVK-401電路原理，SiC MOSFET器件特性；

2.上電測試，加三相AC400V輸入，帶24VDC負載進行測試，對驅(qū)動、主回路、直流紋波、效率、功耗、溫升、器件的瞬態(tài)性能進行測試

3.結(jié)合現(xiàn)有工程進行相關(guān)開發(fā)

4.總結(jié)發(fā)帖