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國產(chǎn)IGBT模塊可以考慮嘉興斯達(dá)，江蘇宏微，南京銀茂，寧波達(dá)新，中車時(shí)代電氣。斯達(dá)是上市公司，宏微是準(zhǔn)上市公司以上供參考

不涉及電磁輻射問題，只是器件的評(píng)估

先做一個(gè)階段性總結(jié)1.該評(píng)估板設(shè)計(jì)上很好的兼容了247-3和247-4的封裝器件，使得參數(shù)評(píng)估對(duì)比簡(jiǎn)化很多2.控制拓?fù)渖峡梢詫?shí)現(xiàn)半橋、BUCK降壓、BOOST升壓等拓?fù)?.驅(qū)動(dòng)信號(hào)也做了很多實(shí)用的設(shè)計(jì)，比如死區(qū)時(shí)間、互鎖、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)、同步驅(qū)動(dòng)等4.保護(hù)功能全面，過流保護(hù)點(diǎn)可調(diào)的過流保護(hù)電路、故障鎖存、故障復(fù)位、故障指示等5.可調(diào)的驅(qū)動(dòng)電壓，可以適用Rohm不同Gen的SiCMOSFET總體來說該評(píng)估板設(shè)計(jì)上是很完善的，所有器件采用Rohm的電子元器件，具有較好的生態(tài)解決方案等Rohm247-4L器件樣品拿到后再做進(jìn)一步測(cè)試

今天找到問題所在了，這個(gè)評(píng)估版默認(rèn)是按TO247-4L設(shè)計(jì)的，使用4L的器件測(cè)試驅(qū)動(dòng)是OK的，可以準(zhǔn)備上高壓進(jìn)行測(cè)試了設(shè)置驅(qū)動(dòng)電壓+18V/-2V,實(shí)測(cè)關(guān)斷電壓-1.918V[圖片]之前測(cè)試有問題主要是沒有焊接漏空的電阻[圖片]至此問題原因已分析清楚。[圖片]

找了一個(gè)TO247-4L的器件可以完美兼容安裝，驅(qū)動(dòng)問題解決了就可以上高壓測(cè)試了[圖片]

按照Rohm推薦，對(duì)板子供電12V，測(cè)試輸入電流約0.013mA,指示燈全部亮起[圖片][圖片]驅(qū)動(dòng)供電電源測(cè)試波形如下：從波形可以看出是反激拓?fù)洌_關(guān)頻率330kHz，電壓尖峰只有20.7V[圖片]在沒有輸入信號(hào)的情況下，Vgs驅(qū)動(dòng)電壓如下：下橋-10V，上橋-15V，和理論分析偏差較大鑒于此情況需要分析清楚原因才能繼續(xù)加高壓測(cè)試，否則容易損壞器件[圖片][圖片]

炸機(jī)的原因很多，不一定是變壓器引起的

單個(gè)變壓器估計(jì)在6-8kW左右

這個(gè)是套的鐵氟龍管

先來看一組SCT2080的測(cè)試數(shù)據(jù)VGSTHIDSSBVDSSIGSSFIGSSRRDSON3.036V195.7nA2300V9.1nA7.0nA75.5mohm3.077V203.1nA2309V10.5nA2.6nA75.2mohm額定電壓1200V的SICMOSFET,阻斷電壓居然到了2300V，可見余量很大最新的SCT3080KE測(cè)試結(jié)果如下，Vgsth稍有提高，阻斷電壓依然高于額定600多V，良心產(chǎn)品啊[圖片]IDSSBVDSSBVDSS VGSTHRDSON0.69uA1839V1885V3.354V81.1mohm0.71uA1839V1885V3.361V81.1mohmSCT3040KE測(cè)試數(shù)據(jù)IDSSBVDSSBVDSS VGSTHRDSON0.78uA1714V1764V3.527V40.4mohm0.81uA1714V1764V3.668V40.5mohm從測(cè)試結(jié)果看，RohmSICMOSFET器件的一致性都較好，電壓裕量大