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電源技術(shù)綜合區(qū)
3842的振蕩器參數(shù)
3842的振蕩器參數(shù)
DATASHEET中有2個(gè)時(shí)序圖,一個(gè)是大RT小CT,一個(gè)是小RT大CT.我個(gè)人感覺(jué)是小CT大RT好,因?yàn)檫@樣占空比能限制不超過(guò)50%.否則會(huì)產(chǎn)生分諧波振蕩.大家是怎么選擇的啊?
我第一次做45W的21V-2A和5V-0.5A電源,我選50KHz好,還是100KHz好?另外電流檢測(cè)電阻RS要選無(wú)感的,但選多大合適呢?
請(qǐng)大家指教~~:)
全部回復(fù)(17)
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現(xiàn)在還沒(méi)有回復(fù)呢,說(shuō)說(shuō)你的想法
czhlcai
LV.3
2
2007-03-27 09:58
大家做電路難道不設(shè)計(jì)元器件參數(shù)嗎?
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hutushen
LV.4
3
2007-03-27 10:06
看你有沒(méi)有體積限制,頻率高,變壓器小,電感小,但效率低,頻率低,相反
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未來(lái)世界
LV.5
4
2007-03-27 14:49
@hutushen
看你有沒(méi)有體積限制,頻率高,變壓器小,電感小,但效率低,頻率低,相反
我個(gè)人認(rèn)為,頻率低一點(diǎn)好,對(duì)輸出元件和開(kāi)關(guān)的要求好選擇一點(diǎn),損耗也比較小.
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zkybuaa
LV.5
5
2007-03-27 20:41
一般情況下,Rt選擇5K左右,Ct選擇2200p左右,
反激嗎?100K好了阿
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zkybuaa
LV.5
6
2007-03-27 20:46
@未來(lái)世界
我個(gè)人認(rèn)為,頻率低一點(diǎn)好,對(duì)輸出元件和開(kāi)關(guān)的要求好選擇一點(diǎn),損耗也比較小.
不懂你的說(shuō)法.
頻率高低,和輸出元件和開(kāi)關(guān)選擇有什么關(guān)系?
現(xiàn)在一般的mos管一般都是幾百K的開(kāi)關(guān)頻率阿.
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心中有冰
7
2007-03-27 23:33
@zkybuaa
一般情況下,Rt選擇5K左右,Ct選擇2200p左右,反激嗎?100K好了阿
那么高的頻率,你的MOS管的溫度會(huì)很高,可能會(huì)燒掉
而且你的EMI怎么過(guò)??
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zkybuaa
LV.5
8
2007-03-27 23:48
@心中有冰
那么高的頻率,你的MOS管的溫度會(huì)很高,可能會(huì)燒掉而且你的EMI怎么過(guò)??
不會(huì)加散熱片嗎?
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高加權(quán)
LV.3
9
2007-03-28 23:22
反激式選:50KHz左右頻率較好.如選100KHz,加載時(shí)功耗會(huì)增加,效率變低.
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wbz705
LV.4
10
2007-03-29 00:36
恰恰相反,在CT一定的情況下RT越大最大占空比就越大,如果你不想讓占空比超過(guò)50%,可以選擇3843.
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wayliuli
LV.4
11
2007-03-29 17:01
**此帖已被管理員刪除**
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wbz705
LV.4
12
2007-03-29 21:05
@wayliuli
**此帖已被管理員刪除**
請(qǐng)給出網(wǎng)址以便訪問(wèn)!謝謝
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高加權(quán)
LV.3
13
2007-03-30 21:52
@wbz705
恰恰相反,在CT一定的情況下RT越大最大占空比就越大,如果你不想讓占空比超過(guò)50%,可以選擇3843.
樓上記錯(cuò)了,X844/5最大占空比是:50%,即不會(huì)超過(guò):50%.X842/3最大占空比是:100%.
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反激電源
LV.2
14
2007-03-31 00:15
@高加權(quán)
反激式選:50KHz左右頻率較好.如選100KHz,加載時(shí)功耗會(huì)增加,效率變低.
弱問(wèn)一句:為什么開(kāi)關(guān)頻率越高效率就會(huì)越低啊?
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高加權(quán)
LV.3
15
2007-03-31 23:02
@反激電源
弱問(wèn)一句:為什么開(kāi)關(guān)頻率越高效率就會(huì)越低啊?
硬開(kāi)關(guān)電路中,開(kāi)關(guān)頻率越高,開(kāi)關(guān)(MOS管)開(kāi)通損耗,關(guān)斷損耗和門(mén)極驅(qū)動(dòng)損耗(包括軟開(kāi)關(guān)在內(nèi))也越大,相應(yīng)效率也就越低.
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反激電源
LV.2
16
2007-04-01 00:06
@高加權(quán)
硬開(kāi)關(guān)電路中,開(kāi)關(guān)頻率越高,開(kāi)關(guān)(MOS管)開(kāi)通損耗,關(guān)斷損耗和門(mén)極驅(qū)動(dòng)損耗(包括軟開(kāi)關(guān)在內(nèi))也越大,相應(yīng)效率也就越低.
謝謝解答!
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wbz705
LV.4
17
2007-04-08 03:39
@高加權(quán)
樓上記錯(cuò)了,X844/5最大占空比是:50%,即不會(huì)超過(guò):50%.X842/3最大占空比是:100%.
謝謝指正
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xdwu
LV.2
18
2007-06-05 15:15
@czhlcai
大家做電路難道不設(shè)計(jì)元器件參數(shù)嗎?
RT/CT腳對(duì)電流檢測(cè)腳接一個(gè)471電容是什么意思.知道嗎?
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