如題,此問題經(jīng)我調(diào)查業(yè)界包含臺達(dá),光寶等均有此現(xiàn)象發(fā)生,不良率在100-200PPM 左右
我司是專業(yè)臺系電源生產(chǎn)商,目前經(jīng)確認(rèn)的是OB ,IWATT,通嘉,以及立錡還有綠達(dá)的PWM IC 均有生產(chǎn)(主要是反激式架構(gòu))
但是產(chǎn)線每個機(jī)種均存在多少不一從100-200ppm 的炸機(jī)不良,等到炸完后再來分析視乎5年以來沒有任何有效的實際對策
是不是真的這個問題無法解決,目前我個人分析到的幾個方面真的無法提供有效的對策
1. 開機(jī)炸機(jī),除了測試開機(jī)的mosfet 的spike外,以及變壓器飽和之外,目前無有效對策
2.短路保護(hù)炸機(jī),除了測試mopsfet 的spike 以及計算mosfet Eas 重復(fù)雪崩能量之外視乎無任何對策
還有測試
3.MOS是否完全工作在導(dǎo)通狀態(tài)(也可以通過波形來計算此時MOS管的功耗),正常狀態(tài)下,短路時開關(guān)管要完全導(dǎo)通且不能有大小波-此類問題可調(diào)整供電電容或驅(qū)動電阻。
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本人是foxlink apple BU senior quality engineer