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東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產品線增添1200 V新成員,其將助力工業電源設備實現高效率

2024-09-25 15:38 來源:東芝 編輯:電源網

中國上海,2024年9月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)產品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產品,為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業設備降低功耗。東芝現已開始提供該系列的十款新產品,其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產品和采用TO-247封裝的五款產品。

最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產品,其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進型結勢壘肖特基(JBS)結構[1]。在結勢壘中使用新型金屬,有助于這些新產品實現業界領先的[2]1.27 V(典型值)低正向電壓、低總電容電荷和低反向電流。這可顯著降低較大電源應用中的設備功耗。

東芝將繼續壯大其SiC電源器件的產品線,并將一如既往地專注于提高可降低工業電源設備功耗的效率。

應用:

-光伏逆變器

-電動汽車充電站

-工業設備UPS的開關電源

特性:

-第3代1200 V SiC SBD

-業界領先的[2]低正向電壓:VF=1.27 V(典型值)(IF=IF(DC))

-低總電容電荷:TRS20H120H的QC=109 nC(典型值)(VR=800 V,f=1 MHz)

-低反向電流:TRS20H120H的IR=2.0 μA(典型值)(VR=1200 V)

主要規格:

(除非另有說明,Ta=25 °C)

微信截圖_20240925153934.png

微信截圖_20240925153934.png

注:

[1] 改進型結勢壘肖特基(JBS)結構:該結構將混合式PiN肖特基(MPS)結構(可在大電流下降低正向電壓)整合在JBS結構(不僅可降低肖特基接口的電場,而且還可減少電流泄漏)中。

[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的東芝調查。

如需了解新產品的更多信息,請訪問以下網址:

TRS10H120H

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/diodes/sic-schottky-barrier-diodes/detail.TRS10H120H.html

TRS15H120H

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/diodes/sic-schottky-barrier-diodes/detail.TRS15H120H.html

TRS20H120H

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/diodes/sic-schottky-barrier-diodes/detail.TRS20H120H.html

TRS30H120H

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TRS40H120H

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TRS10N120HB

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TRS15N120HB

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TRS20N120HB

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TRS40N120HB

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如需了解有關東芝SiC SBD的更多信息,請訪問以下網址:

SiC肖特基勢壘二極管

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/diodes/sic-schottky-barrier-diodes.html

第3代SiC肖特基勢壘二極管

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/diodes/sic-schottky-barrier-diodes/articles/3rd-generation-sic-schottky-barrier-diode.html

如需了解有關東芝SiC電源器件的更多信息,請訪問以下網址:

SiC電源器件

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如需了解在線分銷商新產品的供貨情況,請訪問:

TRS10H120H

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TRS10H120H.html

TRS15H120H

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TRS15H120H.html

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