新聞摘要：

· 與Gen1 DDR5設備相比，數(shù)據(jù)速率和帶寬提高了33%

· 為未來的服務器平臺提供運行速度高達6400 MT/s的DDR5 RDIMM服務器主內存

· 擴展了領先的DDR5內存接口芯片產品陣容，該系列產品現(xiàn)包括Gen1 4800 MT/s RCD、Gen2 5600 MT/s RCD和Gen3 6400 MT/s RCD

中國北京，2023年2月22日——作為業(yè)界領先的芯片和半導體IP供應商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布推出全新6400 MT/s DDR5寄存時鐘驅動器（RCD），并向各大DDR5內存模塊（RDIMM）制造商提供樣品。相比第一代 4800 MT/s解決方案，Rambus 第三代6400 MT/s DDR5 RCD的數(shù)據(jù)傳輸速率和帶寬提高了33%，使數(shù)據(jù)中心服務器的主內存性能達到了一個新的水平。該產品的延遲和功耗均達到業(yè)內領先水平，其經過優(yōu)化的時序參數(shù)將提高RDIMM的裕量。

Rambus Gen3 6400 MT/s DDR5 RCD

Rambus Gen3 6400 MT/s DDR5 RCD眼圖

Rambus首席運營官范賢志表示：“數(shù)據(jù)中心工作負載對內存帶寬和容量的需求永遠在增加，我們的使命就是提高服務器內存解決方案的性能，滿足每一代新服務器平臺的內存需求。我們在業(yè)內率先實現(xiàn)了5600 MT/s的性能，現(xiàn)在我們再度突破，將第三代DDR5 RCD的性能提升到6400 MT/s，為新一代RDIMM服務器主內存保駕護航。”

IDC內存半導體部門副總裁Soo-Kyoum Kim表示：“DDR5大幅提升了計算系統(tǒng)的性能。隨著數(shù)據(jù)中心應用更加頻繁地要求越來越高的內存帶寬，DDR5生態(tài)系統(tǒng)將成為提升下一代數(shù)據(jù)中心性能提升這一基本需求的關鍵。”

Rambus DDR5內存接口芯片包含RCD、串行檢測（SPD）集線器和溫度傳感器，對于提升領先服務器的性能水平十分重要。憑借DDR5內存，RDIMM更智能，同時將數(shù)據(jù)傳輸速度提升了一倍以上，容量達到DDR4 RDIMMs的四倍，內存和電源效率也有所提高。憑借在高性能內存領域積累30多年的經驗，Rambus以其信號完整性（SI）/電源完整性（PI）方面的專業(yè)技術著稱。這種專長大大有利于DDR5內存接口芯片確保從主機內存控制器發(fā)送到RDIMM的命令/地址和時鐘信號具有出色的信號完整性。