加州戈利塔--(新聞稿)-- (美國商業資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布推出七款參考設計，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發。該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項，覆蓋多種拓撲結構、輸出和功率（45W至140W）。

SuperGaN®技術的差異化優勢 電源適配器參考設計采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設計簡單、可靠性高和性能強勁的優勢，這些特點已經成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對比分析中，與175毫歐的e-mode氮化鎵器件 相比，Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時顯示出更低的導通電阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下擁有更高的性能。

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電源適配器參考設計 Transphorm的參考設計組合包括五款開放框架的USB-C PD參考設計，頻率范圍從140到300 kHz。其中包括Transphorm與Silanna Semiconductor合作開發的一款65W有源鉗位反激模式(ACF)參考設計，運行頻率為140kHz，峰值效率為94.5%。

(1x) 45W適配器參考設計采用準諧振反激模式(QRF)拓撲結構，可提供24 W/in3的功率密 度

(3x) 65W適配器參考設計采用ACF或QRF拓撲結構，可提供30 W/in3的功率密度

(1x) 100W適配器參考設計采用功率因數校正(PFC)+QRF拓撲結構，可提供18 W/in3的 功率密度

Transphorm的參考設計組合還包括兩款開放框架的USB-C PD/PPS參考設計，頻率范圍110到140 kHz。Transphorm與Diodes Inc.合作開發了這兩款解決方案，利用該公司的ACF控制器實現了超過93.5%的峰值效率。

(1x) 65W適配器參考設計采用ACF拓撲結構，可提供29 W/in3的功率密度

(1x) 140W適配器參考設計采用PFC+ACF拓撲結構，可提供20 W/in3的功率密度

Transphorm現場應用和技術銷售副總裁Tushar Dhayagude表示：“Transphorm獨具優勢，可提供唯一能適用于廣泛應用的、涵蓋眾多功率水平的氮化鎵FET組合。我們的電源適配器參考設計凸顯出我們的低 功率能力。我們提供與控制器無關的PQFN和TO-220器件，可以極大地簡化設計。這些優勢以及其他特點有助于客戶快速、輕松地將 具有突破性功率效率水平的氮化鎵解決方案推向市場。這正是Transphorm氮化鎵器件的價值所在。”

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