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Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件

2024-04-25 14:14 來(lái)源:Transphorm 編輯:電源網(wǎng)

美國(guó)加利福尼亞州戈萊塔,中國(guó)臺(tái)灣新竹 — 2024年4月25日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(納斯達(dá)克:TGAN)與適配器USB PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者Weltrend Semiconductor Inc.(偉詮電子,TWSE:2436)今日宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵器件(SiP),與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起,組成首個(gè)基于 Transphorm SuperGaN® 平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵產(chǎn)品系列。

TGAN x Weltrend SiP PR-03.png

新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了偉詮電子的高頻多模(準(zhǔn)諧振/谷底開(kāi)關(guān))反激式PWM控制器和Transphorm的150毫歐和480毫歐SuperGaN FET。與上一款240毫歐器件(WT7162RHUG24A)相同,兩款全新器件與USB PD或可編程電源適配器控制器配對(duì)即可提供整體適配器解決方案。值得注意的是,它們還可提供更多創(chuàng)新功能,包括UHV谷底跟蹤充電模式、自適應(yīng)OCP補(bǔ)償和自適應(yīng)綠色模式控制等,使客戶能夠使用更少的器件、最精簡(jiǎn)的設(shè)計(jì)方案,更快地設(shè)計(jì)出高質(zhì)量的電源產(chǎn)品。

偉詮電子市場(chǎng)推廣副總裁Wayne Lo表示:“去年,我們推出了首款SiP氮化鎵器件,這是偉詮電子發(fā)展歷程中的一個(gè)重要里程碑。對(duì)于AC-DC電源產(chǎn)品市場(chǎng),SiP氮化鎵器件代表了一種全新的進(jìn)入市場(chǎng)策略(Go-To-Market Strategy)。今天發(fā)布的新產(chǎn)品表明,我們將繼續(xù)為該應(yīng)用領(lǐng)域提供更多的器件選擇,支持更廣泛的產(chǎn)品功率級(jí)。基于 Transphorm SuperGaN平臺(tái)并采用整體封裝解決方案,可以為從30瓦低功率USB-C PD電源適配器到接近200瓦功率充電器的各種裝置提供更易設(shè)計(jì)的高性能電源,這是 Transphorm氮化鎵器件的獨(dú)特之處。”

終端產(chǎn)品制造商想方設(shè)法開(kāi)發(fā)物料(BOM)成本更低、但同時(shí)又具備靈活、快速充電、和更高功率輸出的新型適配器。此外,針對(duì)許多應(yīng)用場(chǎng)景,制造商還希望提供具有多個(gè)端口和/或多種連接類型的更為通用的充電器。而所有這些方案,產(chǎn)品外形都要做到更小、更輕。

Transphorm常閉型d-mode SuperGaN 技術(shù)平臺(tái)的主要優(yōu)勢(shì)包括:同類最佳的穩(wěn)固性(+/-20V的柵極裕度和4V的抗擾性)及可靠性(FIT失效率<0.05),且功率密度比硅器件高50%。偉詮電子精簡(jiǎn)的SiP設(shè)計(jì),利用了上述GaN器件優(yōu)勢(shì)以及自身的創(chuàng)新技術(shù),打造出一款近乎即插即用的解決方案,縮小外形尺寸的同時(shí),加快設(shè)計(jì)速度。

Transphorm全球銷(xiāo)售及FAE副總裁 Tushar Dhayagude 表示:“從適配器和充電器制造商的需求考慮,SiP可以成為重要的器件選項(xiàng)。不僅能滿足系統(tǒng)電源轉(zhuǎn)換效率的要求,而且功能集成,器件更易使用,從而在最短的時(shí)間內(nèi)可設(shè)計(jì)出產(chǎn)品。偉詮電子此前推出的首款器件驗(yàn)證了SuperGaN SiP的性能和靈活性。本次發(fā)布新款器件,表明了我們兩家公司在深化并實(shí)踐為客戶提供更多選擇的承諾。”

產(chǎn)品規(guī)格

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主要特點(diǎn)

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目標(biāo)應(yīng)用和供貨情況

偉詮電子 SuperGaN SiP系列特別適用在用于智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、頭戴式耳機(jī)、無(wú)人機(jī)、揚(yáng)聲器、相機(jī)等移動(dòng)/物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等的輕薄、高性能的USB-C電源適配器。

器件規(guī)格詳見(jiàn)產(chǎn)品數(shù)據(jù)表:

-WT7162RHUG24A (240 mΩ): http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/610

-WT7162RHUG24B (150 mΩ): http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/633

-WT7162RHUG24C (480 mΩ): http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/634

新推出的兩款器件(WT7162RHUG24B 和 WT7162RHUG24C)現(xiàn)已開(kāi)始提供測(cè)試樣品。請(qǐng)聯(lián)系 Weltrend 銷(xiāo)售團(tuán)隊(duì):sales@weltrend.com.tw獲取更多信息。

關(guān)于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者,致力于設(shè)計(jì)、制造和銷(xiāo)售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導(dǎo)體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合之一,持有或取得授權(quán)的專利超過(guò)1,000多項(xiàng),在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證的高壓氮化鎵半導(dǎo)體器件。得益于垂直整合的業(yè)務(wù)模式,公司能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開(kāi)發(fā)的每一個(gè)階段進(jìn)行創(chuàng)新:設(shè)計(jì)、制造、器件和應(yīng)用支持。Transphorm的創(chuàng)新使電力電子設(shè)備突破硅的局限性,以使效率超過(guò)99%、將功率密度提高50%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm的總部位于美國(guó)加州戈利塔,并在戈利塔和日本會(huì)津設(shè)有制造工廠。

官網(wǎng):www.transphormusa.cn,歡迎關(guān)注微信公眾號(hào):TransphormGaN氮化鎵

關(guān)于偉詮電子

偉詮電子(TWSE:2436)成立于1989年,位于“臺(tái)灣硅谷”新竹科學(xué)園區(qū),是領(lǐng)先的無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司,專長(zhǎng)于混合信號(hào)/數(shù)字集成電路產(chǎn)品的規(guī)劃、設(shè)計(jì)、測(cè)試、應(yīng)用開(kāi)發(fā)和分銷(xiāo),產(chǎn)品用于電源、電機(jī)控制、圖像處理等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。官網(wǎng)www.weltrend.com


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