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直擊氮化鎵領(lǐng)域的無限可能!讓氮化鎵不再神秘,泰克攜手英諾賽科一起加速未來科技

2022-04-22 15:47 來源:泰克 編輯:電源網(wǎng)

中國北京2022年4月22日 — 近年來一直發(fā)力第三代半導(dǎo)體測試解決方案的泰克科技,最近攜手英諾賽科一起致力于開發(fā)氮化鎵的應(yīng)用未來。未來,雙方將攜手克服氮化鎵更快開關(guān)速度、更高開關(guān)頻率等等一系列挑戰(zhàn),讓未來更多優(yōu)異的氮化鎵產(chǎn)品進(jìn)入更多應(yīng)用領(lǐng)域,一起為未來科技充電。

當(dāng)前整個電源產(chǎn)業(yè)正發(fā)生著深刻的變革,以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)在眾多行業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用,也給電源的開發(fā)測試工作帶來了眾多的挑戰(zhàn)。氮化鎵器件柵極電荷和寄生電容小,可實現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更高的開關(guān)頻率,同時這也帶來了測試的挑戰(zhàn)。一方面開通關(guān)斷速度更快,需要測試到ps級的開關(guān)速度,這需要示波器有更高的帶寬和共模抑制比;另一方面氮化鎵自身的寄生參數(shù)非常小,測試探頭的連接以及探頭電容引入的干擾會導(dǎo)致測量的波形不準(zhǔn)確甚至損壞器件,特別是橋式驅(qū)動上管測試中,經(jīng)常遇到驅(qū)動信號的準(zhǔn)確測試問題。因此高帶寬,高共模抑制比,引入寄生參數(shù)小是測量氮化鎵器件時需要注意的。

近年來,泰克科技始終密切跟蹤最新技術(shù)的進(jìn)展,通過和業(yè)內(nèi)領(lǐng)軍企業(yè)的密切合作來開發(fā)針對性的測試方案?;谄湫阅芤恢Κ毿愕墓飧綦x探頭以及示波器等產(chǎn)品,泰克為廣大電源工程師們提供了卓越的完整測試解決方案。

成立于2015年的英諾賽科,是一家專注于硅基氮化鎵研發(fā)與制造的IDM企業(yè),率先建立起了全球首條8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線,主要生產(chǎn)30V-150V的低壓氮化鎵、650V及以上的高壓氮化鎵,應(yīng)用于5G基站、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、自動駕駛、5G通訊、快充等領(lǐng)域,在全球氮化鎵功率廠商出貨量排行榜中名列前三。

英諾賽科通過自主研發(fā),攻克了8英寸硅晶圓襯底上外延生長氮化鎵單晶材料的世界級難題,首次實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵外延與芯片的大規(guī)模量產(chǎn),同時填補(bǔ)了國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白。氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料,具有寬禁帶、高擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率、高電子飽和漂移速度等特點。這些特點使得氮化鎵功率器件柵極電荷和輸出電容更小,無反向恢復(fù),單位面積的導(dǎo)通電阻更小等特性。由此可以實現(xiàn)應(yīng)用系統(tǒng)的高頻率、高效率和高功率密度。

憑借優(yōu)異的物理特性,氮化鎵給產(chǎn)業(yè)應(yīng)用帶來巨大的系統(tǒng)優(yōu)勢,應(yīng)用前景非常廣闊。隨著規(guī)?;a(chǎn)技術(shù)成熟,氮化鎵將成為未來功率半導(dǎo)體的主流,在消費電子、數(shù)據(jù)中心、5G基站、新能源車等多個領(lǐng)域,氮化鎵需求將迎來爆發(fā)式增長。這些應(yīng)用領(lǐng)域也是泰克近年的業(yè)務(wù)側(cè)重方向。未來,泰克科技和英諾賽科雙方將共同致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵芯片的研發(fā)與測試,攜手克服氮化鎵一系列挑戰(zhàn),用創(chuàng)新和科學(xué)改變未來。

作為測試測量行業(yè)的領(lǐng)先者,泰克始終堅持其先進(jìn)技術(shù)貫穿第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)及應(yīng)用的整個鏈條。泰克除了協(xié)助上游廠家設(shè)計生產(chǎn)更加可靠高質(zhì)量的功率器件,更會加力幫助功率器件應(yīng)用領(lǐng)域開拓者,發(fā)揮其最優(yōu)性能以設(shè)計更好的電源產(chǎn)品,攜手創(chuàng)建氮化鎵領(lǐng)域的無限可能!

標(biāo)簽: 氮化鎵 泰克 英諾賽科

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