在5G、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯網等新基建戰略方向下，以SiC、GaN為代表的寬禁帶半導體成為全球半導體技術和產業競爭焦點。Cree Wolfspeed 是全球領先的寬禁帶半導體創新者和制造商，提供經過驗證的SiC功率和GaN射頻解決方案；泰克科技作為測試儀器及方案的提供商，提供解決傳統測試難題的創新方案。雙方在寬禁帶半導體發展與測試有很多共同的話題和研究，攜手分享契機與挑戰。

寬禁帶半導體具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能，切合節能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰略需求，是支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯網等產業自主創新發展和轉型升級的重點核心材料和電子元器件，已成為全球半導體技術和產業競爭焦點。

不同技術的功率器件的區別，下圖可以看到傳統的Si基的IGBT或者MOSFET管要么分布在高壓低速的區間，要么分布在低壓高速的區間，市面上傳統的探測技術可以覆蓋器件特性的測試需求。寬禁帶半導體器件SiC / GaN的技術趨于成熟，高速，高耐壓，抗高溫，體積小，低功耗被越來越多的應用在電源轉換產品上，從性能區別于傳統Si基的功率器件卻大大擴展了分布的區間，覆蓋以往沒有出現過的高壓高速區域，這就對器件的測試工具提出非常嚴苛的挑戰。

Cree Wolfspeed與泰克共同應對寬禁帶半導體器件的挑戰，共同促進寬禁帶半導體行業的發展。Cree Wolfspeed SiC 器件經過優化設計，幫助設計者實現更高效率、更高開關頻率、減小系統尺寸、降低系統成本，提供業界領先的更低導通電阻和開關損耗，是包括電動汽車充電系統、高性能工業電源、服務器/電信電源、儲能系統、不間斷電源和電池管理系統等在內諸多應用的理想選擇。

12月23日，Cree Wolfspeed與泰克工程師將聯手登臺，共同出鏡為大家講解寬禁帶半導體器件的使用特點與產品優勢，在車載充電機（OBC）應用中給系統帶來的好處，并結合實際波形對比傳統IGBT在關鍵參數上的優勢，以及如何準確的測試驗證關鍵波形來優化設計，解答關于寬禁帶半導體器件的設計與測試難題。直播入口http://live.vhall.com/754653483，或掃描如下二維碼注冊直播