
傳統(tǒng)的 SDR SDRAM 只能在信號(hào)的上升沿進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,而 DDR SDRAM 卻可以在信號(hào)的上升沿和下降沿都進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,所以 DDR 內(nèi)存在每個(gè)時(shí)鐘周期都可以完成兩倍于 SDRAM 的數(shù)據(jù)傳輸量,這也是 DDR 的意義——Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。舉例來說,DDR266 標(biāo)準(zhǔn)的 DDR SDRAM 能提供 2.1GB/s 的內(nèi)存帶寬,而傳統(tǒng)的 PC133 SDRAM 卻只能提供 1.06GB/s 的內(nèi)存帶寬。
一般的內(nèi)存條會(huì)注明 CL 值,此數(shù)值越低表明內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取周期越短,性能也就越好,DDR SDRAM 的 CL 常見值一般為 2 和 2.5 兩種。
DDR
DDR 是雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate)。DDR 與普通同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)非常相象。普通同步 DRAM(現(xiàn)在被稱為 SDR)與標(biāo)準(zhǔn) DRAM 有所不同。
標(biāo)準(zhǔn)的 DRAM 接收的地址命令由二個(gè)地址字組成。為接省輸入管腳,采用了多路傳輸?shù)姆桨?。第一地址字由原始地址選通(RAS)鎖存在 DRAM 芯片。緊隨 RAS 命令之后,列地址選通(CAS)鎖存第二地址字。經(jīng)過 RAS 和 CAS,存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可以被讀取。
同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SDR DRAM)由一個(gè)標(biāo)準(zhǔn) DRAM 和時(shí)鐘組成,RAS、CAS、數(shù)據(jù)有效均在時(shí)鐘脈沖的上升邊沿被啟動(dòng)。根據(jù)時(shí)鐘指示,可以預(yù)測數(shù)據(jù)和剩余指令的位置。因而,數(shù)據(jù)鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據(jù)有效窗口的可預(yù)計(jì)性,所以可將存儲(chǔ)器劃分成 4 個(gè)區(qū)進(jìn)行內(nèi)部單元的預(yù)充電和預(yù)獲取。通過脈沖串模式,可進(jìn)行連續(xù)地址獲取而不必重復(fù) RAS 選通。連續(xù) CAS 選通可對來自相同源的數(shù)據(jù)進(jìn)行再現(xiàn)。
DDR 存儲(chǔ)器與 SDR 存儲(chǔ)器工作原理基本相同,只不過 DDR 在時(shí)鐘脈沖的上升和下降沿均讀取數(shù)據(jù)。新一代 DDR 存儲(chǔ)器的工作頻率和數(shù)據(jù)速率分別為 200MHz 和 266MHz,與此對應(yīng)的時(shí)鐘頻率為 100MHz 和 133MHz。
SDR
DRAM 是動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DynaMIC RAM)的縮寫 SDRAM 是英文 SynchronousDRAM 的縮寫,譯成中文就是同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的意思。從技術(shù)角度上講,同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(SDRAM)是在現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中加入同步控制邏輯(一個(gè)狀態(tài)機(jī)),利用一個(gè)單一的系統(tǒng)時(shí)鐘同步所有的地址數(shù)據(jù)和控制信號(hào)。使用 SDRAM 不但能提高系統(tǒng)表現(xiàn),還能簡化設(shè)計(jì)、提供高速的數(shù)據(jù)傳輸。在功能上,它類似常規(guī)的 DRAM,且也需時(shí)鐘進(jìn)行刷新。可以說,SDRAM 是一種改善了結(jié)構(gòu)的增強(qiáng)型 DRAM。目前的 SDRAM 有 10ns 和 8ns。
聲明:本內(nèi)容為作者獨(dú)立觀點(diǎn),不代表電源網(wǎng)。本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容,如需轉(zhuǎn)載,請注明出處;本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容(文章、圖片、視頻)等資料版權(quán)歸原作者所有。如我們采用了您不宜公開的文章或圖片,未能及時(shí)和您確認(rèn),避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,請電郵聯(lián)系我們,以便迅速采取適當(dāng)處理措施;歡迎投稿,郵箱∶editor@netbroad.com。
Crucial 英睿達(dá)為游戲玩家、創(chuàng)意人員和專業(yè)人士推出 第五代消費(fèi)級 NVMe SSD 和即插即用的高性能 DRAM 產(chǎn)品選擇 | 23-06-29 15:56 |
---|---|
美光面向數(shù)據(jù)中心客戶推出 DDR5 服務(wù)器 DRAM, 推動(dòng)下一代服務(wù)器平臺(tái)發(fā)展 | 22-07-07 14:38 |
半導(dǎo)體超級周期來了 上游“吃肉”下游卻“明爭暗斗” | 21-06-22 14:37 |
2021年增長最快的十類IC排名預(yù)測,DRAM登頂 | 21-02-04 11:39 |
作為電源工程師掌握必要的英文還是很有必要的! | 20-09-29 10:14 |
微信關(guān)注 | ||
![]() |
技術(shù)專題 | 更多>> | |
![]() |
技術(shù)專題之EMC |
![]() |
技術(shù)專題之PCB |