在IGBT開關時，由于寄生米勒電容開通而容易產生米勒平臺。本文就讓我們來探討IGBT驅動波形中米勒平臺產生的原理，以及有源米勒鉗位解決方案。

IGBT驅動波形中米勒平臺產生的原理

當IGBT在開關時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門極驅動的應用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產生一個很高的瞬態dv/dt，這樣會引發門極VGE間電壓升高而導通，這是一個潛在的風險，因此為了規避這個風險，有源米勒鉗位功能應運而生。

圖1：下管IGBT因寄生米勒電容而導通

有源米勒鉗位解決方案

要想避免RG優化、CG損耗和效率、負電源供電成本增加等問題，另一種方法是使門極和發射極之間發生短路，這種方法可以避免IGBT不經意的打開。具體操作方法是在門極與射極之間增加三級管，當VGE電壓達到某個值時，門極與射極的短路開關(三級管)將被觸發。這樣流經米勒電容的電流將被增加的三極管截斷而不會流向VOUT。這種技術被稱為有源米勒鉗位技術，具體方法見如下圖2。

圖2：有源米勒鉗位采用外加三極管

一般選用的隔離驅動芯片（以Silicon Labs Si8285為例）通過IGBT柵極和集電極間寄生電容C_CG及Si8285副邊VH pin、外部RH及內部PMOS源極電阻RSS、內部NMOS等對IGBT門極電荷進行放電來達到軟關斷效果。直至最后退飽和工作完成，故障通過FLT pin隔離輸出，反饋給MCU。