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[圖片]搞定了，是使能端的問題，MCU低壓復位了，低電壓下運行不斷的重啟動。

很多C語言都有介紹這個用法的

這個并不存在哪個好，哪個不好的問題，關鍵是要諧振在陶瓷片的固有的機械頻率上；另外我上面說的并聯諧振低是錯誤的，說反了，應該是并聯諧振頻率高，串聯諧振頻率低。沒有人在超聲波上用軟開關驅動嗎？

說明下，在上圖中，我單片機只輸出高的電平部分，低電平部分是由陶瓷片特性決定的問題是現在陶瓷片靜態電容影響，造成在低電平階段周期過長。工作在了并聯諧振上了。串聯諧振頻率高，并聯諧振頻率低。陶瓷片的電路模型中，如果電阻為0，那么固有振蕩頻率就等于串聯諧振頻率，為阻抗最小時的頻率；并聯諧振頻率等于阻抗最大時的頻率。

你的第一圖明顯是陶瓷片工作在串聯諧振上，陶瓷片串聯選頻作用，利用兩個三級管的相位實現自激振蕩。

實現在MOS管的低電壓開通就是ZVS了，電磁爐的單管諧振就是這樣的唯一不同的是電磁爐的諧振是由線盤和諧振電容決定的，而陶瓷片現在本身的參數不可變，應該是工作在了并聯諧振上了，我現在單片機是在MOS管輸出低電壓才打開的，就是通過MOS管的D極電壓送比較器比較后完成的，每次在電壓的時候打開，振蕩頻率是由陶瓷片決定的。如果我用單片機輸出一個固定的陶瓷片諧振頻率，存在一個問題就是陶瓷片本身的固有頻率有個偏差，每一個不一樣，這樣頻率就不能跟蹤需要調整，而且開通的時候，不是在MOS管電壓低的時候開通，造成很大的損耗。我就想用陶瓷片本身的特性來決定頻率，實現頻率的跟蹤，同時實現準諧振，降低功耗。現在問題是這樣實現ZVS功能的話，頻率并不工作在串聯諧振上了，而是并聯諧振上了，就是那個靜態電容影響的，實際頻率比陶瓷片的固有頻率低，造成不能霧化。看一個圖[圖片]

[圖片]是這樣的驅動電路，檢測MOS管的電壓，在電壓低的時候開通，實現ZVS，但現在頻率是偏小的，實現不了霧化我現在頻率不是由單片機輸出的信號決定的，單片機只負責輸出一個脈寬高電平，每到低電壓時，又輸出一個高電平，最終的頻率是由陶瓷片自身的特性決定的，實現了ZVS功能，但就是工作頻率不對，低于113KHZ,好像工作在并聯諧振頻率上了，陶瓷片的電路模型中的靜態電容參與其中了。

我的超聲霧化器驅動是采用三腳電感，用單片機輸出一個脈沖后，諧振片自動振蕩的頻率怎么低于自諧振頻率呢？是電感量影響到了壓電陶瓷片固有頻率了嗎？原理是采用了電磁爐的單管諧振原理，單片機輸出脈沖的高電平后關斷，等待開關管電壓下降到0V才開通，實現ZVS但振蕩的頻率不在壓電陶瓷片的固有頻率上，要低很多，我的陶瓷片是113KHZ的，實際振蕩是74KHZ我想陶瓷片應該是工作在了并聯的諧振頻率上了，要工作在串聯諧振上，實現ZVS，該怎么改善好？我上面做的目的是想做成ZVS功能是開關控制，減少開關損耗。[圖片]

搞電磁爐的高手呢？希望指點一二自己頂起來！

加上鍋后的等效電感為67.6uH,等效電阻為2.3Ω 以上這個值是怎么取得的？