超聲波變壓器
我的超聲霧化器驅動是采用三腳電感,用單片機輸出一個脈沖后,諧振片自動振蕩的頻率怎么低于自諧振頻率呢?
是電感量影響到了壓電陶瓷片固有頻率了嗎?
原理是采用了電磁爐的單管諧振原理,單片機輸出脈沖的高電平后關斷,等待開關管電壓下降到0V才開通,實現ZVS
但振蕩的頻率不在壓電陶瓷片的固有頻率上,要低很多,我的陶瓷片是113KHZ的,實際振蕩是74KHZ
我想陶瓷片應該是工作在了并聯的諧振頻率上了,要工作在串聯諧振上,實現ZVS,該怎么改善好?
我上面做的目的是想做成ZVS功能是開關控制,減少開關損耗。
你那應該類似這電路
三腳電感一樣分成兩個電感來看, 使用單片機, 單管諧振
上圖諧振頻率由串連電感決定屬於自激式
有源驅動則頻率是由你的單片機輸出決定, 電感與震動子電容抗諧振出一個正弦, 使用三腳電感屬於開放式DR Core 感量只能有圈數決定..
是這樣的驅動電路 ,檢測MOS管的電壓,在電壓低的時候開通,實現ZVS,但現在頻率是偏小的,實現不了霧化
我現在頻率不是由單片機輸出的信號決定的,單片機只負責輸出一個脈寬高電平,每到低電壓時,又輸出一個高電平,最終的頻率是由陶瓷片自身的特性決定的,實現了ZVS功能,但就 是工作頻率不對,低于113KHZ, 好像工作在并聯諧振頻率上了,陶瓷片的電路模型中的靜態電容參與其中了。
哪有這種"ZVS"? 不是偵測MOS低電壓開通就是ZVS,MOS低壓只在MOS TURN ON時,其余不導通則電壓是VIN
你那電路等于將二次電感當二次變壓器用 :
當MOS TURN ON時,L2 PIN2-PIN1將能量轉移到PIN2-PIN3提供給換能器,
當MOS TURN OFF時,殘于能量再往換能器放,實際能量只有半周期,而換能器只在半周諧振
且提供換能器電壓并不高,因為高點只在 MOS TURN ON那一段周期
假如要將諧振頻率變高,那要降感量,降了感量等于減了圈數,減了圈數等于降了電壓,換能器更推不動
給的第二圖,是利用主圈數偶荷,再串連電感,初始電壓為兩圈數電壓比,MOS TURN OFF后為兩電感的電壓和
這樣才能保持電感與換能器的諧振,這種振出一個正弦就是ZVS...
實現在MOS管的低電壓開通就是ZVS了,電磁爐的單管諧振就是這樣的
唯一不同的是電磁爐的諧振是由線盤和諧振電容決定的,而陶瓷片現在
本身的參數不可變,應該是工作在了并聯諧振上了,
我現在單片機是在MOS管輸出低電壓才打開的,就是通過MOS管的D極
電壓送比較器比較后完成的,每次在電壓的時候打開,振蕩頻率是由陶瓷片
決定的。如果我用單片機輸出一個固定的陶瓷片諧振頻率,存在一個問題
就是陶瓷片本身的固有頻率有個偏差,每一個不一樣,這樣頻率就不能跟蹤
需要調整,而且開通的時候,不是在MOS管電壓低的時候開通,造成很大的損耗。
我就想用陶瓷片本身的特性來決定頻率,實現頻率的跟蹤,同時實現準諧振,降低功耗。
現在問題是這樣實現ZVS功能的話,頻率并不工作在串聯諧振上了,而是并聯諧振上了,
就是那個靜態電容影響的,實際頻率比陶瓷片的固有頻率低,造成不能霧化。
看一個圖
說明下,在上圖中,我單片機只輸出高的電平部分,低電平部分是由陶瓷片特性決定的
問題是現在陶瓷片靜態電容影響,造成在低電平階段周期過長。工作在了并聯諧振上了。
串聯諧振頻率高,并聯諧振頻率低。
陶瓷片的電路模型中,如果電阻為0,那么固有振蕩頻率就等于串聯諧振頻率,為阻抗最小
時的頻率;并聯諧振頻率等于阻抗最大時的頻率。