殘荷聽雨：
針對你那個措施1，就算增加Cgs是不可能消除米勒效應(yīng)的，因為開關(guān)導(dǎo)通分四個階段（你可以查資料，這里不多說）第一階段是VGS電壓從零上升到VTH，此階段就是一個RC充電過程；第二階段是VGS電壓從VTH上升到VTH+IO/g，此階段就是電流開始增加，和MOS的跨導(dǎo)相關(guān)，VDS電壓不變；第三階段是VGS電壓為VTH+IO/g恒定不變，VGD的電壓由（VTH+IO/g-VIN）變成VTH+IO/g，這個階段才是米勒效應(yīng)階段，其米勒電容（Cgd）的一個放充電過程，米勒電容的充放電只有2個路徑，一個是Cgd——地——Cgs——Cgd，另外一個路徑就是Cgd——地——Rdrve——Cgd，但Vgs電壓不變，因此，只能通過Cgd——地——Rdrve——Cgd路徑放充電，而米勒效應(yīng)完全由Cgd與Rdrve決定，和Cgs電容沒有關(guān)系，增加它是不能消除米勒效應(yīng)的。針對措施3，前半句沒毛病，后半句不準(zhǔn)確，可以參考上面解釋。