米勒效應(yīng)（Miller Effect）是指在MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）中，由于柵極和漏極之間的電容（Cgd）在開關(guān)過程中引起的一種現(xiàn)象。當MOSFET從關(guān)閉狀態(tài)切換到打開狀態(tài)時，柵極和漏極之間的電壓會因為Cgd的存在而產(chǎn)生一個額外的電壓降，這個電壓降被稱為米勒平臺（Miller Plateau）。這個平臺會導(dǎo)致MOSFET的開關(guān)速度變慢，增加開關(guān)損耗，尤其是在高速開關(guān)應(yīng)用中，米勒效應(yīng)的影響更為顯著。

在MOSFET的柵極和漏極之間存在一個由氧化物層構(gòu)成的電容Cgd。當柵極電壓變化時，這個電容會存儲和釋放電荷。在MOSFET開啟時，柵極電壓需要達到閾值電壓以上，才能使通道形成并允許電流流動。但由于Cgd的存在，漏極電壓的變化會通過Cgd對柵極電壓產(chǎn)生反饋，導(dǎo)致柵極電壓不能立即達到所需的閾值電壓，從而產(chǎn)生延遲。在MOSFET開啟過程中，由于Cgd的反饋作用，柵極電壓會暫時停留在一個較低的水平，形成一個平臺，這就是米勒平臺。在這個平臺上，MOSFET的導(dǎo)通電阻較高，導(dǎo)致較大的功耗。米勒效應(yīng)的影響主要是以下幾個方面：

1.由于米勒平臺的存在，MOSFET的開關(guān)時間會增加，影響電路的響應(yīng)速度；

2.在米勒平臺上，MOSFET的導(dǎo)通電阻較高，導(dǎo)致較大的功耗，尤其是在高頻開關(guān)應(yīng)用中；

3.米勒效應(yīng)還可能引起電路的振蕩，影響電路的穩(wěn)定性。

為了減輕或消除米勒效應(yīng)的影響，可以采取一些措施，如使用零電壓開關(guān)技術(shù)、優(yōu)化PCB布線、選擇合適的柵極驅(qū)動電阻等。

1.在MOS管的柵極（G）和源極（S）之間加入足夠大的電容可以消除米勒效應(yīng)，但這樣做會延長開關(guān)時間。一般推薦值是加0.1Ciess的電容；

2.在PCB布線時，盡量縮短驅(qū)動信號的布線長度，以減少寄生電感導(dǎo)致的震蕩和電壓過充，并選擇合適的柵極驅(qū)動電阻；

3.減小柵極電阻Rg可以減少米勒效應(yīng)的影響，因為Rg越小，Cgs充電越快，MOS管開啟就越快；

4.如果能在Vds等于零時將MOSFET導(dǎo)通，即利用ZVS（零電壓開關(guān)）技術(shù)，就不會產(chǎn)生米勒效應(yīng)