芯片的次級側控制器提供輸出電壓檢測、輸出電流檢測并提供驅動給同步整流（SR）的MOSFET。

集成了FluxLink技術以及帶有HIPOT隔離保護的反饋鏈路，同步整流驅動器，可提高效率

使用開/關控制實現輸出調節，根據輸出負載調整啟用的開關周期數。

在高負載時，大多數開關周期被啟用，而在輕載或空載時，大多數周期被禁用或跳過。

輸出電流是在IS和GND引腳之間進行內部檢測，閾值設定為35 mV，這樣可以最大限度地降低損耗。

一旦超過內部電流檢測閾值，器件就會調整啟用的開關周期數，以保持固定的輸出電流。

同時電路中若檢測到低于CC閾值，則器件以恒定電壓模式工作。

充電器要用具有CC/CV功能的IC，還需要具有電纜壓降補償功能。

InnoSwitch-CH型號的第三位代表該芯片是否有電纜壓降補償功能。

INN2025最大可以設計到25W,20W電源應用中能夠實現90%的效率，同時將空載功耗降到30mW以下。

配置四種操作狀態電流限制，使得初級電流開關模式的頻率成分保持在可聽頻率范圍之外。

x=0為無電纜補償功能，可以用來做普通電源適配器等。x=2為6%電纜補償， 可以用來設計充電器類。

這樣直到在低負載情況下，其中變壓器磁通密度和可聽噪聲仍處于非常低的水平。

同步整流驅動器性能非常出色，可提高效率平均效率大于90%。

InnoSwitch-CH具有次級側控制的所有優點，以及初級側調節的簡單性

如果變壓器的磁通密度選的太低的話，就是鐵芯截面選太大了。

空載輸入功率<10 mW，CC和CV的精度也都比較高，適用于手機/ USB充電器。

會增加磁損耗，使得變壓器的效率略降低一點，同時使得變壓器 造價增大

磁通密度取值太低每伏匝數會增加，浪費導線，發熱降低

如果充電器沒有電纜壓降補償功能，將導致施加于電池的電壓較低，且提升速度非常緩慢，導致總充電時間延長

所以要根據負載電流的壓降比，對充電器進行輸出電壓補償來加快充電。

因為Bs增加會使感應電動勢增加，因此線圈匝數可以減少，也能平衡外加電壓。

采用PWM控制器的電源在輕負載時效率和穩定性通常將明顯降低。

還有采用脈沖比控制器，是利用初級反饋，通過逐脈沖選通固定寬度和固定周期的功率脈沖來實現穩壓

頻率高于 50KHZ,必須選用低損耗的磁芯,或者適當減小峰值磁通密度值。

要實現良好的電纜壓降補償，須要對負載電流進行精確測量或估算。