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 Qg——TotalGateCharge 總柵電荷. Qg:反映了驅(qū)動(dòng)的電流需求.如果象仙童公司的就比較大,這種情況下驅(qū)動(dòng)他就要較大電流的芯片.要不就要采用例如PUSH-PULL結(jié)構(gòu)來(lái)達(dá)到快速開(kāi)通的目的,IRFB4110Qg150Hunteck037N10 Qg118 Hunteck驅(qū)動(dòng)更容易。 

大電流，小體積，是hunteck的特點(diǎn)。

雪崩擊穿是最關(guān)鍵hunteck的不錯(cuò)[圖片]

infinion確實(shí)貴，我們是海歸hunteck 原廠，質(zhì)量好，價(jià)格便宜，QQ：1937108157，中壓低壓SGTmos,高壓coolmos 中壓MOS工藝比較 溝槽工藝：開(kāi)關(guān)損耗大，內(nèi)阻大 。代表：國(guó)內(nèi)廠家植入工藝：開(kāi)關(guān)損耗小，內(nèi)阻小。 代表：VishaySGT工藝：開(kāi)關(guān)損耗更小，內(nèi)阻更小。代表：InfineonHunteck  高壓MOS工藝比較平面工藝：開(kāi)關(guān)損耗大，內(nèi)阻大。      代表：國(guó)內(nèi)廠家coolmos工藝：開(kāi)關(guān)損耗小，內(nèi)阻小，價(jià)格高。代表infinion 超結(jié)工藝：開(kāi)關(guān)損耗小，內(nèi)阻小，價(jià)格低  。代表：hunteck 中壓mos晶圓尺寸比較HuntestSGT        100InfineonOptiMOS3     102        InfineonOptiMOS2     165 IR             193AOSnewSGT        114 AOSoldSGT        148Magnachip         142MOS抗沖擊電流，雪崩EASUIS比較Infineon100Hunteck 100IR   80Toshiba 75AOS   75and33電壓變化破壞試驗(yàn)Hunteck中壓100vSGTmos設(shè)計(jì)有增強(qiáng)型寄生二極管 在60v30A500A/us230度沒(méi)有破壞Hunteck高壓mos設(shè)計(jì)有長(zhǎng)壽命控制寄生二極管降低逆向恢復(fù)電荷10個(gè)點(diǎn)。平滑的開(kāi)關(guān)性能 平滑開(kāi)關(guān)曲線保證好的EMI 性能，線路設(shè)計(jì)比較容易可靠。開(kāi)關(guān)速度可以在SGT和普通mos之間控制，其他參數(shù)保持不變。 大電流開(kāi)關(guān)的好處高溫大電流關(guān)斷是衡量mos好壞的關(guān)鍵點(diǎn)。 MOS關(guān)斷前通過(guò)飽和區(qū)域發(fā)生在以下情景：馬達(dá)鎖死；輸出短路；上電瞬間。關(guān)閉失效與熱失控 實(shí)際上一個(gè)好的設(shè)計(jì)可以做到熱失控。MOS開(kāi)始泄漏直到飽和失效。Hunteck熱失控可以高到250度不好的設(shè)計(jì)在熱失控前溫度低的時(shí)候就崩潰了。崩潰前并沒(méi)有泄漏，在關(guān)閉的時(shí)候就崩潰了。 [圖片]

可以加我Q1937108157

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你這個(gè)成本高，前級(jí)ic,后級(jí)ic,功率mos ,沒(méi)有短路保護(hù)。還是8510好。小電流，改變pwm頻率。效果就好了。

SE8510測(cè)試調(diào)光效果還是認(rèn)可嘚

SE8322效率是非常不錯(cuò)的，在防水電源上，發(fā)熱比OB3330小很多。

SE8510是不錯(cuò)的，可以q1937108157