認識功率mos

我們電動車上用的功率mos和平常cmos集成電路中的小功率mos結構是不一樣的。

小功率mos是平面型結構。而電動車上上用的功率mos是立體結構。

平面型結構是指，mos柵極，源級和漏級都在芯片表面（或者說正面）.

而功率mos的立體結構（溝道是深槽立體結構）

下面介紹下對普通用戶實用點的。Mos挑選的重要參數簡要說明。以datasheet舉例說明。

柵極電荷。Qgs, Qgd。

Qgs:指的是柵極從0v充電到對應電流米勒平臺時總充入電荷（實際電流不同，這個平臺高度不同，電流越大，平臺越高，這個值越大）。這個階段是給Cgs充電（也相當于Ciss，輸入電容）。Qgd:指的是整個米勒平臺的總充電電荷（在這稱為米勒電荷）。 這個過程給Cgd（Crss，這個電容隨著gd電壓不同迅速變化）充電。

理論上選擇Qgs和Qgd小的mos管能快速度過開關區。

導通內阻。Rds（on）。

這個耐壓一定情況下是越低越好。同一管子，溫度越高內阻越大（這是硅半導體材料在mos制造工藝的特性，改變不了，能稍改善）。所以大電流測試內阻會增大（大電流下結溫會顯著升高），小電流或脈沖電流測試，內阻降低（因為結溫沒有大幅升高，沒熱積累）。

所以選擇標準是找Qgs和Qgd小的mos管，并同時符合低內阻的mos管。

但在同樣工藝下，這2個影響充電電荷的參數和芯片面積成正比（就是芯片面積越小電容越小），而Rdson內阻和芯片面積成反比（芯片面積越大內阻越小）。

而在大功率應用場合，內阻還是起主導地位的。

那有沒有既符合低內阻，電容特性又比較好的呢？半導體制造和設計一直在進步。即使目前特性不好的管子放在以前也是最好的。所以只有相對的更好。