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MOSFE和IGBT的驅動電阻的大小選擇主要是考慮開通和關斷時的VDS和IDS上升和下降時間，在最大的dV/dt允許的情況下，盡量選擇小的驅動電阻可以加快開通速度，減少損耗，由于MOSFET和IGBT的G極內阻很小，一般要加個驅動電阻，更加細致的設計需要將開通和關斷電阻分開設計，以使開通和關斷速度都做到最大，同時不會損壞管子，可以去算下開關時間。dv/dt做到20V/ns基本上是現在許多管子的極限。

TOP設計簡單,3842控制環設計麻煩點.

你們有什么合作項目,我在從事重慶科委LED驅動電源研發任務.

我看電路有問題,不能直接接在這里.

老大是個大好人啊，不知你有沒有用cadence和ansoft聯合仿真？

上面的老兄講的好啊,不過各位問問題要尊重下人家,不要隨便啥都問.

我裝上了，謝謝了。

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麻煩你傳下安裝文件吧，要不發我EMAIL吧

發個1.0的就可以啊，謝謝了。