關(guān)于IGBT/MOSFET驅(qū)動峰值電流的問題
小弟請教有經(jīng)驗(yàn)的前輩，要使IGBT/MOSFET能快速開關(guān)，必須提供足夠的驅(qū)動峰值電流，一般驅(qū)動芯片（VCC=15V）的輸出都接了10歐左右的限流電阻，如果驅(qū)動大功率的IGBT（需要3~4A驅(qū)動峰值電流），這個限流電阻可否省略？請各位不吝賜教！
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@hardisli
MOSFE和IGBT的驅(qū)動電阻的大小選擇主要是考慮開通和關(guān)斷時的VDS和IDS上升和下降時間，在最大的dV/dt允許的情況下，盡量選擇小的驅(qū)動電阻可以加快開通速度，減少損耗，由于MOSFET和IGBT的G極內(nèi)阻很小，一般要加個驅(qū)動電阻，更加細(xì)致的設(shè)計需要將開通和關(guān)斷電阻分開設(shè)計，以使開通和關(guān)斷速度都做到最大，同時不會損壞管子，可以去算下開關(guān)時間。dv/dt做到20V/ns基本上是現(xiàn)在許多管子的極限。
從該MOSFET的PDF文檔上看，它的導(dǎo)通電阻為18毫歐，外接1歐的限流電阻也行，如果用10V電壓驅(qū)動的話，那么驅(qū)動峰值電流可以達(dá)到10A，下面是MOSFET的開關(guān)特性參數(shù)，請各位幫小弟看看。如果驅(qū)動芯片的輸出電壓為12V，輸出峰值電流上限為4A的話，限流電阻取3歐應(yīng)該可以吧？但是問題是電阻的功率怎么選擇，有沒有經(jīng)驗(yàn)值可供參考呢？請各位大蝦幫忙指點(diǎn)一下！
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@kuernikewa
[圖片]從該MOSFET的PDF文檔上看，它的導(dǎo)通電阻為18毫歐，外接1歐的限流電阻也行，如果用10V電壓驅(qū)動的話，那么驅(qū)動峰值電流可以達(dá)到10A，下面是MOSFET的開關(guān)特性參數(shù)，請各位幫小弟看看。如果驅(qū)動芯片的輸出電壓為12V，輸出峰值電流上限為4A的話，限流電阻取3歐應(yīng)該可以吧？但是問題是電阻的功率怎么選擇，有沒有經(jīng)驗(yàn)值可供參考呢？請各位大蝦幫忙指點(diǎn)一下！[圖片] （點(diǎn)擊放大）
小弟初學(xué)，請各位大蝦幫忙看看吧！
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