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C1充電是主要是在下橋T2導(dǎo)通時(shí)充電充飽的吧。帶電機(jī)狀態(tài)下，另一橋臂T4長(zhǎng)通時(shí)，T1關(guān)斷時(shí)C1是可通過T4構(gòu)成一個(gè)充電回路，只能充到VCC的73%左右。呵呵，個(gè)人愚見哈！

望各路大俠多指導(dǎo)

謝謝！在兩個(gè)D之間加電容比D與公共抽頭之間加電容承受的電壓要大一倍吧，我想把電容加在中心抽頭與D之間會(huì)好些，因?yàn)橛袃蓚€(gè)電容，兩個(gè)原邊每個(gè)周期電容都在充放電，開關(guān)管之間電容加大后尖峰電壓是有所抑制，但效率會(huì)有所影響，不是解決問題的根本！我發(fā)現(xiàn)死區(qū)在負(fù)載越輕的它對(duì)開關(guān)管的損耗越大（變壓的勵(lì)磁電感與漏感串聯(lián)，在開關(guān)管關(guān)斷后，電流不能突變，由于漏感的原因初級(jí)的能量不能耦合到次級(jí)去，自感的條件下形成一個(gè)反向的電壓阻礙電流的變小）在這我想變壓器的匝比變大后，漏感與磁場(chǎng)強(qiáng)度與dv/di的某些直接聯(lián)系!在網(wǎng)上也看了不少這方面的資料,想實(shí)驗(yàn)在兩原邊各開關(guān)管D管腳去中心抽頭中間加個(gè)MOS管在死區(qū)時(shí)間讓它導(dǎo)通,這樣開關(guān)管在死區(qū)時(shí)鉗位于Vdc.不知道這樣妥不妥，在死區(qū)時(shí)導(dǎo)通的MOS管實(shí)際上就是把原邊繞組短路，這時(shí)對(duì)副邊兩個(gè)二極管續(xù)流有沒有影響！ 

謝謝大家,尖峰寬有710NS了,請(qǐng)問有沒有好的繞制方法了!減少漏感!

我現(xiàn)在重繞了一個(gè)變壓器，我懷疑是漏感太大造成的！

第一圖是半橋上管驅(qū)動(dòng)的VGS，第四圖是下管VDS，，測(cè)量上管的VGS與VDS都沒有下管的好看！測(cè)時(shí)并發(fā)出吱吱聲！還望各路朋友說(shuō)說(shuō)，不吝賜教！

我想，輸入是會(huì)引起輸出變化的，掉電的時(shí)候，是不是輸入也在發(fā)生改變，有些地方是不是電壓要多維持住一會(huì)！

謝樓主,好東西,謝謝

先謝樓上的兄弟,初級(jí)電感量由漏感和勵(lì)磁電感組成,勵(lì)磁電感決定勵(lì)磁電流,成正比,他是一個(gè)初始磁導(dǎo)率下的電感量!我做的不是反激,我看書上的電感量與磁性材料,匝數(shù),和氣隙有關(guān),公司每次出去打樣都標(biāo)了一個(gè)電感量,我就在想,匝數(shù)有了,磁性材料確定了,除反激外一般變壓器不開氣隙,因?yàn)闅庀兜脑黾?勵(lì)磁電流的增大,漏感的增加,所以效率就降低了.為什么要寫電感量呢,

十二、各繞組線徑確定電流密度J=Kj*Ap-0.14/100=531*2.36-0.14/100=4.71A/mm21、Snp1=N1*I0/Np/J=10*12.5/13/4.71=2.04mm2,30股0.302直徑線并繞2、Sn1=Sn2=0.707*I0/J=0.707*12.5/4.71=1.88mm2,30股0.302直徑線并繞十三、磁芯尺寸的檢驗(yàn)總線面積=(30*13+30*10*2)*0.302*0.302/4*3.1416=70.9mm2磁芯窗口面積Aw=265mm2窗口利用率70.9/265=26.8%,滿足要求I1m=4.3A,I1=I1m*=0.43A取電流密度j=400A/cm2,則初次級(jí)導(dǎo)線截面為Su1=I1/j=0.43/400=0.11*10-2cm2=0.11mm2Su2=Su3=I2/j=0.215/400=0.055mm2考慮集膚效應(yīng),工作頻率100KHz時(shí),查得導(dǎo)線線徑不能大于2*0.2=0.4mm,取d1=0.38mm,Su1=0.114mm2d2=d3=0.27m,Su2=Su3=0.0573mm26.校核鐵芯窗口面積Ku=0.114*38+2*0.055*38/25.8=0.336