先附上IPP60R190C6 datasheet

IPP60R190C6-DS-v02_02-EN.pdf

對于MOSFET Datasheet上的參數，你最關心的是哪一個/幾個：

VDS？ID？RDS(on)？Vgs(th)？封裝？Ciss,Coss？Qgs,Qgd,Qg？體二極管？雪崩？……

沒人回應

那我就從VDS開始吧！

datasheet上電氣參數第一個就是V(BR)DSS，即DS擊穿電壓，也就是我們關心的MOSFET的耐壓

此處V(BR)DSS的最小值是600V，是不是表示設計中只要MOSFET上電壓不超過600V MOSFET就能工作在安全狀態？

相信很多人的答案是“是！”，曾經我也是這么認為的，但這個正確答案是“不是！”

這個參數是有條件的，這個最小值600V是在Tj=25℃的值，也就是只有在Tj=25℃時，MOSFET上電壓不超過600V才算是工作在安全狀態。

MOSFET V(BR)DSS是正溫度系數的，其實datasheet上有一張V(BR)DSS與Tj的關系圖（Table 17），如下：

要是電源用在寒冷的地方，環境溫度低到-40℃甚至更低的話，MOSFET V(BR)DSS值<560V，這時候600V就已經超過MOSFET耐壓了。

所以在MOSFET使用中，我們都會保留一定的VDS的電壓裕量，其中一點就是為了考慮到低溫時MOSFET V(BR)DSS值變小了，另外一點是為了應對各種惡例條件下開關機的VDS電壓尖峰

說到電流，那么接下來就開始看ID

相信大家都知道MOSFET最初都是按xA, xV的命名方式（比如20N60~），慢慢的都轉變成Rds(on)和電壓的命名方式(比如IPx60R190C6, 190就是指Rds(on)~).

其實從電流到Rds(on)這種命名方式的轉變就表明ID和Rds(on)是有著直接聯系的，那么它們之間有什么關系呢？

在說明ID和Rds(on)的關系之前，先得跟大家聊聊封裝和結溫：

1. 封裝：影響我們選擇MOSFET的條件有哪些？

a) 功耗跟散熱性能 -->比如：體積大的封裝相比體積小的封裝能夠承受更大的損耗；鐵封比塑封的散熱性能更好

b) 對于高壓MOSFET還得考慮爬電距離 -->高壓的MOSFET就沒有SO-8封裝的，因為G/D/S間的爬電距離不夠

c) 對于低壓MOSFET還得考慮寄生參數 -->引腳會帶來額外的寄生電感、電阻，寄生電感往往會影響到驅動信號，寄生電阻會影響到Rds(on)的值

d) 空間/體積 -->對于一些對體積要求嚴格的電源，貼片MOSFET就顯得有優勢了

2.  結溫：MOSFET的最高結溫Tj_max=150℃，超過此溫度會損壞MOSFET，實際使用中建議不要超過70%~90% Tj_max.

回到正題，MOSFET ID和Rds(on)的關系:

(1) 封裝能夠承受的損耗和封裝的散熱性能(熱阻)之間的關系

(2) MOSFET通過電流ID產生的損耗

(1), (2)聯立，計算得到ID和Rds_on的關系

其實ID只是個參考值，損耗【ID*Rds(on)^2】引起的溫升超過Tj_max才是MOSFET壞掉最終原因

Rds(on)

從MOSFET Rds(on)與Tj的圖表中可以看到：Tj增加Rds(on)增大，即Rds(on)是正溫度系數，MOSFET的這一特性使得MOSFET易于并聯使用。

Vgs(th)

相信這個值大家都熟悉，但是Vgs(th)是負溫度系數有多少人知道，你知道嗎？(下面兩圖分別來自BSC010NE2LS和IPP075N15N3 G datasheet.)

相信會有很多人沒有注意到Vgs(th)的這一特性，這也是正常的，因為高壓MOSFET的datasheet中壓根就沒有這個圖，這一點可能是因為高壓MOSFET的Vgs(th)值一般都是2.5V以上，高溫時也就到2V左右。但對于低壓MOSFET就有點不一樣了，很多低壓MOSFET的Vgs(th)在常溫時就很低，比如BSC010NE2LS的Vgs(th)是1.2V~2V，高溫時最低都要接近0.8V了，這樣只要在Gate有一個很小的尖峰就可能誤觸發MOSFET開啟從而引起整個電源系統異常。

所以，低壓MOSFET使用時一定要留意Vgs(th)的這個負溫度系數的特性！！

睡覺

這個參數我一直不知道什么意思。 100V 100Amos  但是不是每個手冊里面都有這個參數的

并不是這樣的，每個MOSFET都得有自己的驅動電阻，建議最好每個驅動電阻再串聯一個小磁珠