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九條小魚兒
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功率MOSFET應(yīng)用指南-12-時(shí)間失效率FIT
近年來(lái),汽車電子產(chǎn)品的功能安全話題越來(lái)越熱,功能安全的需求需要在產(chǎn)品的概念設(shè)計(jì),系統(tǒng)設(shè)計(jì),硬件開發(fā)及軟件開發(fā)中來(lái)實(shí)現(xiàn)。那么在硬件設(shè)計(jì)中就需要針對(duì)于產(chǎn)品中所用到的所有的所有的電子元件進(jìn)行FMEDA分析,
2020-12-13 22:37
來(lái)自專題:
功率MOSFET應(yīng)用指南
功率MOSFET應(yīng)用指南-11-EOS的失效特征
當(dāng)面對(duì)客戶返回的失效產(chǎn)品時(shí),往往被要求給出失效的根本原因,是否產(chǎn)品存在潛在的設(shè)計(jì)或質(zhì)量問(wèn)題等,這就要求我們要針對(duì)于失效產(chǎn)品進(jìn)行細(xì)節(jié)縝密的分析。我一直認(rèn)為一個(gè)好的售后產(chǎn)品分析工程師都可以成為一位接觸的偵
2020-11-15 21:59
來(lái)自專題:
功率MOSFET應(yīng)用指南
功率MOSFET應(yīng)用指南-10-散熱設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)
MOSFET的失效很多都是由于過(guò)熱導(dǎo)致的,那么在選件選型,電路設(shè)計(jì)及PCB布局時(shí)就要格外注意應(yīng)用情況和設(shè)計(jì)余量,確保MOSFET的Tj不會(huì)超過(guò)其最大值。本文將會(huì)講述MOSFET散熱設(shè)計(jì)一定要注意的幾個(gè)
2020-11-07 16:46
來(lái)自專題:
功率MOSFET應(yīng)用指南
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功率MOSFET應(yīng)用指南-9-RC snubber的設(shè)計(jì)
RC snubber即為電阻和電容組成的緩沖電路,它是Mosfet開關(guān)電路中極為常見(jiàn)的過(guò)沖和振鈴的解決方案。本文將按照下面的思路來(lái)探討下RC snubber的相關(guān)話題。Mosfet開關(guān)電路中的過(guò)沖和振
2020-10-27 21:55
來(lái)自專題:
功率MOSFET應(yīng)用指南
功率MOSFET應(yīng)用指南-8-MOSFET可不可以并聯(lián)使用?
MOSFET元件在理論上是可以并聯(lián)使用的,目的是來(lái)增強(qiáng)電路的電流驅(qū)動(dòng)能力。但在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中,有很多問(wèn)題是值得我們高度注意的,核心問(wèn)題就是并不是所有的MOSFET性能參數(shù)都是完全一致的,設(shè)計(jì)時(shí)要充分考
2020-10-08 22:16
來(lái)自專題:
功率MOSFET應(yīng)用指南
功率MOSFET應(yīng)用指南-7-RC熱阻模型及熱仿真
一. 熱阻抗的定義:我們今天要談及的MOSFET的熱阻模型其實(shí)是指熱阻抗Zth,它包含了兩部分:熱阻和熱容,即Zth=Rth+Cth。他們都是MOSFET固有的物理屬性。熱阻Rth:是指當(dāng)有熱量在物體
2020-09-27 21:42
來(lái)自專題:
功率MOSFET應(yīng)用指南
功率MOSFET應(yīng)用指南-6-淺談MOSFET中的電容
在本專輯第2篇文章的彌勒平臺(tái)中,談到了MOSFET的開啟與關(guān)閉過(guò)程就是對(duì)其中的電荷進(jìn)行充電和放電的過(guò)程,電荷量的多少直接影響了MOSFET開關(guān)速度。電容的值一般會(huì)取決于測(cè)量時(shí)所設(shè)置的電壓和頻率,所以相
2020-09-24 22:01
來(lái)自專題:
功率MOSFET應(yīng)用指南
LTspice的發(fā)展
2020-09-22 21:11
內(nèi)含資料
LTspice視頻教程49-應(yīng)用實(shí)例-DCDC降壓轉(zhuǎn)換器
2020-09-21 19:34
來(lái)自專題:
LTspice視頻教程
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LTspice視頻教程48-應(yīng)用實(shí)例-EMC瞬態(tài)干擾及電性能測(cè)試
2020-09-21 19:31
來(lái)自專題:
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