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大家好，我是電源漫談，在SiC功率器件或者模塊的可靠性測試中有一項H3TRB測試比較典型，今天我們來簡要討論一下。

圖1 典型功率模塊的IDSS漏電流指標

在一般的規格書電氣特性中，我們可以看到會標識功率模塊的漏電流參數值，以MSCSM120AM16CT1AG這個1200V 12.5mohm典型阻抗的功率半橋模塊來說，其漏電流為如圖1所示，這個1200V可以看出IDSS這個漏電流參數，在1200V漏極電壓反偏下，門級電壓為0V,典型值為20uA，最大值200uA。

H3TRB, 具體含義是High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias，即高壓高溫高濕反偏測試，這項測試是測試功率器件在此惡略嚴酷環境下的使用的可靠性，對于功率模塊而言，在其內部會使用硅膠作為絕緣材料，硅膠在潮濕環境下容易吸濕，在無法做到完全密封的模塊條件下，隨著時間的推移，這將導致功率模塊的絕緣性能受損，繼而在電路運行中發生故障。

圖2 H3TRB測試典型規范

測試SiC MOSFET的H3HTRB測試和Si MOSFET測試區別主要是施加的漏極電壓或者反向電壓不同，一般測試Si 器件的反向電壓較低，而SiC MOSFET的施加電壓卻達到0.8倍的額定電壓，更為嚴苛，根據上述典型的測試規范，在高溫高濕條件下，施加0.8倍的額定電壓下，門級施加0V電壓，測試1000小時以上，漏電流沒有明顯變大以證明其可靠性。

參考資料: 部分資料整理自網絡。