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一個(gè)LLC變壓器的繞組結(jié)構(gòu)的思考

前言:

最近發(fā)幾篇很早以前寫了發(fā)布在QQ空間的文章,本文主要是對(duì)一個(gè)LLC變壓器的繞組和結(jié)構(gòu)進(jìn)行思考,有圖為證:

當(dāng)選擇EI3027的磁芯作為12V70A的變壓器時(shí),我就很想知道這款變壓器的結(jié)構(gòu)和繞線。所以我砸開了一款,通過幾張照片來對(duì)其一探究竟:

1、首先是副邊繞組的設(shè)計(jì),副邊繞組采用0.8mm厚度,寬度5mm,其橫截面積是4mm^2的成型銅箔。在暫時(shí)不考慮集膚效應(yīng),對(duì)副邊繞組進(jìn)行直流電阻測(cè)試,其直流DCR = 0.62m ohm 。繞組采用一根銅條一體成型,分別是兩個(gè)繞組的引出線和中間抽頭共用腳,可見下圖所示。

(變壓器副邊繞組結(jié)構(gòu))

2、通過拆解可以看到副邊和原邊繞組的結(jié)構(gòu),原邊繞組繞在骨架的最里層。然后是副邊繞組的銅條。對(duì)于繞組結(jié)構(gòu)來說,這應(yīng)該算不上是“三明治繞法”。只能算是普通的繞法。但由于原邊和副邊都只有一層,所以從等效的角度來看,繞組的層數(shù)也只能算一層,即一層原邊一層副邊。可見下圖  。

變壓器結(jié)構(gòu)

3,原邊是采用0.7mm的三層絕緣線,副邊是0.8mm厚度的銅帶。現(xiàn)在從趨膚深度和臨近效應(yīng)的角度考慮一下這個(gè)結(jié)構(gòu)的交流耗損。原副邊的等效層數(shù)都是一層,所以當(dāng)利用DOWLL曲線分析就特別方便,因?yàn)長(zhǎng)LC的原邊電流波形就是一個(gè)正弦電流,完全符合Dowll基于正弦電流的分析依據(jù)。根據(jù)150KHZ計(jì)算出來的集膚深度是0.228mm,副邊繞組等效的厚度是0.62mm。通過計(jì)算,實(shí)際選擇線徑是趨膚深度的2.72倍。根據(jù)DOWLL曲線可以得知,RAC/RDC = 2.8倍。實(shí)際測(cè)量原邊繞組的直流電阻為:40 ohm,所以得到交流阻抗為112m ohm。然后根據(jù)原邊電流有效值,計(jì)算得到原邊繞組的耗損為:3.6W。 

(應(yīng)用于正弦波的Dowll曲線

4,副邊繞組的耗損:副邊采用0.8mm厚度的銅箔,其等效厚度就是0.8mm。計(jì)算出來和趨膚深度的比例為3.5。 但是副邊繞組的電流波形,不是完整的的正弦波形。也就是不能完全按Dowll曲線來照搬,需要做一點(diǎn)改變。在《應(yīng)用于電力電子技術(shù)的變壓器和電感器 -- 理論、設(shè)計(jì)和應(yīng)用》一書中給出了這種電流波形的計(jì)算和方法。可參見下圖,第二行。

( 應(yīng)用于電力電子技術(shù)的變壓器和電感器 -- 理論、設(shè)計(jì)和應(yīng)用 第137頁)  

按書里的對(duì)于非標(biāo)準(zhǔn)正弦電流波形的計(jì)算方法,要對(duì)其進(jìn)行波形進(jìn)行傅里葉分解。因?yàn)槿我庑螤畹牟ㄐ味伎梢杂酶道锶~分解,得到基波和各種高次的正弦余弦組合起來。然后還考慮各次諧波的引起耗損,然后在把這些累加起來得到總耗損。經(jīng)過各種變換,其詳細(xì)推導(dǎo)過程見該書第134頁,作者給出了一個(gè)三維的曲線圖,用來快速選型。其中P是繞組層數(shù),D 是繞組實(shí)際厚度和趨膚深度之比, V 是等效阻抗Rrff/Rdc。然后就可以根據(jù)你的變壓器的實(shí)際層數(shù),實(shí)際繞組直流阻抗,開關(guān)頻率,來得到等效交流阻抗。

根據(jù)實(shí)際參數(shù), 得到等效交流阻抗是直流的2.045倍。因此可以計(jì)算得到副邊等效的阻抗為 0.62*2.045 = 1.2679m ohm 。根據(jù)副邊電流有效值為52A,計(jì)算可以得到耗損為3.5W損耗。  然后根據(jù)匝數(shù)算磁芯損耗,就不多說了。這里我主要參考了《應(yīng)用于電力電子技術(shù)的變壓器和電感器 -- 理論、設(shè)計(jì)和應(yīng)用》這本書中關(guān)于Dowll曲線應(yīng)用。

小結(jié):變壓器的繞組損耗計(jì)算一直是個(gè)難點(diǎn),特別是開關(guān)電源中電流波形根本不是正弦波,如果按Dowll曲線分析,那肯定是會(huì)有較大的誤差的。但這本書中提到了這個(gè)算法,我也不敢在應(yīng)用中保證絕對(duì)正確,但是能為我們?cè)诿悦V姓业揭粭l道路。變壓器的設(shè)計(jì),總是要經(jīng)過的實(shí)際測(cè)試,如果能把實(shí)際測(cè)試和理論結(jié)合起來那就太妙了。 

在實(shí)際中這種也用的挺多:

Matlab代碼:

%problem 6.7 Plot of Reff/Rdelta versus Delta for various numbers of layers

 

close all

clear all

clc

 

Io = 1;

 D = 0.5;

 Idc = Io*2*D / pi;

 Irms = Io*sqrt(D/2);

for p = [1:10]

u=1;

    for delta = [0.01:0.04:3.5];

        sum = 0;

        for n = [1:13]

            deltan = delta*sqrt(n);

            kpn = deltan*((sinh(2*deltan)+sin(2*deltan))/(cosh(2*deltan)-cos(2*deltan))+2*(p^2-1)/3*(sinh(deltan)-sin(deltan))/(cosh(deltan)+cos(deltan)));

            In = Io/sqrt(2)*(sinc(n*D/2))^2;

            y = kpn*In^2;

            sum = sum+y;

        end

        R = (Idc^2+sum)/(delta*Irms^2);

        V(p,u) = R;

        De(u)= delta;

        u=u+1;       

    end   

end

 

 

mesh(De,1:10,V)

title('Figure 6.11 Plot of Reff/Rdelta versus Delta for various numbers of layers')

xlabel('D')

ylabel('p')

zlabel('V')

axis([0 3.5 1 10 0 100])

grid off

hold on

 

for p = [0.1:0.1:10]

u=1;

    for delta = [0.01:0.01:3.5];

        sum = 0;

        for n = [1:13]

            deltan = delta*sqrt(n);

            kpn = deltan*((sinh(2*deltan)+sin(2*deltan))/(cosh(2*deltan)-cos(2*deltan))+2*(p^2-1)/3*(sinh(deltan)-sin(deltan))/(cosh(deltan)+cos(deltan)));

            In = Io/sqrt(2)*(sinc(n*D/2))^2;

            y = kpn*In^2;

            sum = sum+y;

        end

        R = (Idc^2+sum)/(delta*Irms^2);

        V(round(p*10),u) = R;

        De(u)= delta;

        u=u+1;  

    end   

end

 

 

for p=0.1:0.1:10

    [krmin,delopt]=min(V(round(p*10),:));

    A(round(p*10))=delopt/100;

    B(round(p*10))=p;

    C(round(p*10))=krmin+0.1;

end

 

plot3(A,B,C,'k','LineWidth',2)

axis([0 3.5 0 10 0 100])

hold on 

參考文獻(xiàn): 

1、應(yīng)用于電力電子技術(shù)的變壓器和電感器 -- 理論、設(shè)計(jì)和應(yīng)用 

2、精通開關(guān)電源設(shè)計(jì) 第二版 

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  • ruohan 2023-07-06 14:02
    這變壓器哪里做的
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  • 臺(tái)灣奇高/CG8015 LLC 可提供技術(shù)支持,有樣機(jī)參考驗(yàn)證
    回復(fù)
  • 蔡徐坤 2023-07-05 15:38
    趨膚深度損耗占比本身就不高。本質(zhì)就是銅的利用率不高。真正的損耗是臨近損耗,他是占的很大的一部分所以說盡可能減少初次級(jí)耦合電容。
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