我前面講過(guò)EMI輸入濾波器的設(shè)計(jì)；對(duì)于>75w有PFC的設(shè)計(jì)；我有很多客戶(hù)經(jīng)常碰到30MHZ-50MHZ的EMI設(shè)計(jì)問(wèn)題；

通過(guò)分析AC輸入端增加PFC升壓電感電路-30MHZ-50MHZ/EMI優(yōu)化設(shè)計(jì)分析如下圖；

我先分析系統(tǒng)的騷擾源的情況：

差模騷擾的產(chǎn)生主要是由于開(kāi)關(guān)管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài),當(dāng)開(kāi)關(guān)管開(kāi)通時(shí)流過(guò)電源線的電流線性上升,開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)電流突變?yōu)榱?因此，流過(guò)電源線的電流為高頻的三角脈動(dòng)電流,含有豐富的高頻諧波分量,隨著頻率的升高，該諧波分量的幅度越來(lái)越小，因此差模騷擾隨頻率的升高而降低;

共模騷擾的產(chǎn)生主要原因是電源與大地（保護(hù)地）之間存在分布電容，電路中方波電壓的高頻諧波分量通過(guò)分布電容傳入大地，與電源線構(gòu)成回路，產(chǎn)生共模騷擾。

進(jìn)行原理圖的重要分布參數(shù)的等效分析：

L、N為電源輸入，C1、C2、C3、C4、C5、LCL1、LCL2組成輸入EMI濾波器,DB1為整流橋,VT2為PFC開(kāi)關(guān)管,開(kāi)關(guān)管安裝在散熱器上時(shí)，開(kāi)關(guān)管的D極與散熱器相連，與散熱器之間形成一個(gè)耦合電容C7,VT2工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài),其D極的電壓為高頻方波，方波的頻率為開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)頻率，方波中的各次諧波就會(huì)通過(guò)耦合電容、L、N電源線構(gòu)成回路，產(chǎn)生共模騷擾。

電源與大地的分布電容比較分散，其它的分布參數(shù)我先不作分析；

從圖來(lái)看,VT2的D極與散熱器之間耦合電容的作用最大，從BD1到電感L3之間的電壓為100Hz，而從L3到VD1和VT2的D極之間的連線的電壓均為方波電壓，含有大量的高次諧波。其次L3的影響也比較大，但L3與機(jī)殼的距離比較遠(yuǎn)，分布電容比開(kāi)關(guān)管和散熱器之間的耦合電容小得多，

因此，我們主要考慮開(kāi)關(guān)管與散熱器之間的耦合電容=C7。

解決PFC的30MHZ-50MHZ輻射騷擾的問(wèn)題方法如下：

增加一個(gè)高頻電容C8，接在開(kāi)關(guān)管散熱器與輸出地之間，該電容與散熱器的連接處離開(kāi)關(guān)管越近越好，該電容選用安規(guī)電容，容量在470PF到0.01μF之間，太大會(huì)使電源的漏電流超標(biāo)，經(jīng)過(guò)電容C7耦合到散熱器上的騷擾信號(hào)經(jīng)過(guò)C8衰減，衰減的系數(shù)為：

由于C8比C7大的多，上式可以簡(jiǎn)化為：C7/C8 –

進(jìn)行理論計(jì)算：

注意：C7為 PFC開(kāi)關(guān)MOS與散熱器的耦合電容；計(jì)算數(shù)據(jù)我們可以進(jìn)行估算：假設(shè)C7為30PF，C8為470PF，則向外發(fā)射的騷擾信號(hào)被衰減了15.7倍，近25dB。

我的實(shí)踐測(cè)試數(shù)據(jù)是：通過(guò)增加這個(gè)C8-Y電容后，測(cè)試效果很明顯。