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硬件筆記本
認(rèn)證:優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
作者動(dòng)態(tài)
硬件玄學(xué)現(xiàn)場(chǎng):模塊‘八字不合’,一接地就干擾,不接就沒(méi)事,你遇到過(guò)嗎?
05-22 09:15
大電流下,如何讓MOS管/IGBT乖乖聽話?驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南請(qǐng)收下
05-19 10:46
20000mAh的充電寶!我手賤,用了一根短路的USB數(shù)據(jù)線……
05-11 09:32
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05-07 14:13
這里有70個(gè)經(jīng)典運(yùn)放電路,直接套用省時(shí)50%
05-06 15:34

大電流下,如何讓MOS管/IGBT乖乖聽話?驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南請(qǐng)收下

今天為大家?guī)?lái)的是由TI編撰的《MOSFET與IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)原理》專業(yè)技術(shù)文檔。這份資料對(duì)于咱們做開關(guān)電源研發(fā)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源逆變系統(tǒng)等領(lǐng)域的工程師具有重要的參考價(jià)值。

作為開關(guān)電源系統(tǒng)的核心功率器件,MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)直接關(guān)系到系統(tǒng)整體性能表現(xiàn)。在實(shí)際工程應(yīng)用中,柵極驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化是解決炸管、電源效率、熱管理和EMI等關(guān)鍵問(wèn)題的核心所在。本文檔系統(tǒng)性地分析了當(dāng)前主流的驅(qū)動(dòng)電路解決方案。

文檔內(nèi)容采用循序漸進(jìn)的組織方式:首先從MOSFET基礎(chǔ)技術(shù)原理和開關(guān)運(yùn)行機(jī)制切入,逐步深入到各類實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景。其中特別值得關(guān)注的是對(duì)以下內(nèi)容的詳細(xì)闡述:

  1. 接地參考型與高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路的完整設(shè)計(jì)流程

  2. 交流耦合與變壓器隔離的兩種驅(qū)動(dòng)方案

  3. 同步整流器應(yīng)用中MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的特殊設(shè)計(jì)考量

以下是設(shè)計(jì)指導(dǎo)

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