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打嗝模式是芯片短路保護(hù)(過流保護(hù))一種形式.

打嗝模式是就是電源的過流保護(hù)的一種模式，電源故障排除恢復(fù)正常工作，其實(shí)就是我們平常的打嗝，2樓說的很對(duì)，就是個(gè)很形象的比喻。

如果你仔細(xì)讀了DATASHEET，就應(yīng)該清楚了，其實(shí)UCC2897有兩種打嗝保護(hù)，一種是當(dāng)CS腳檢測(cè)信號(hào)峰值達(dá)到0.5V，進(jìn)入到Cycle by cycle模式，當(dāng)達(dá)到0.7V之后會(huì)進(jìn)入打嗝模式。

另外一種是OV保護(hù)功能，此引腳超過1.27V也會(huì)進(jìn)入打嗝模式。所以要判定屬于那種，最好檢測(cè)下這兩個(gè)引腳

如果是第一種，該如何解決呢？謝謝

請(qǐng)教一下老梁頭，我現(xiàn)在手頭遇到一個(gè)是在輸入電壓高端測(cè)過壓保護(hù)時(shí)次級(jí)的MOS的擊穿，去掉過壓保護(hù)MOS不會(huì)擊穿。不知道是什么原因

看過波形，不是電壓擊穿

老梁頭！為啥一到過壓保護(hù)次級(jí)MOS的電壓很高呢？就是我把過壓保護(hù)的電阻減小，輸入電壓減小到四五十伏，過壓保護(hù)后次級(jí)MOS仍然擊穿呢？

 如果是第一種保護(hù)，CS檢測(cè)門檻達(dá)到0.7V。

0.7V意味著二級(jí)防護(hù)啟動(dòng)，要檢查是否存在磁飽和現(xiàn)象。

通常出現(xiàn)在啟動(dòng)，短路極限狀態(tài)，占空比很小時(shí)，能量又傳輸很多，勢(shì)必達(dá)到門檻。

一般這種可能性極小。

第二種是說OVP保護(hù)

在實(shí)際應(yīng)用中遇到過OVP打嗝，次級(jí)MOSFET擊穿的問題

這個(gè)問題很是難分析

個(gè)人覺得，這個(gè)芯片對(duì)布板要求特別高

在某些特殊情況下，我懷疑芯片死區(qū)設(shè)置出現(xiàn)了問題

導(dǎo)致啟動(dòng)波形紊亂

一般損壞

都是MOSFET上有大電流，大電壓燒毀晶圓。

可以讓MOSFET廠家?guī)湍惴治?