請教：RCD電阻比較燙

在調試的過程中，改變RCD的R和C,分別是27nF并15K和47nF并75K，電阻是兩個2W的并聯的。在265V，滿載的情況下，電阻都比較燙，然后測量RCD和DS的電壓，發現前一種的電壓峰值只有105伏，VDS的峰值電壓528伏；后一種是分別是124伏和540伏，為什么RCD箝位電壓越高，反而VDS也升高了呢？此外，下圖是27nF并15K時，VDS的波形圖，是否有什么不對的地方？謝謝！

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zq2007

LV.11

2012-03-30 21:03

吸收太重啦，可以適當調整一下R的值。

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cheng111

LV.11

2012-03-30 21:23

電阻值太小了。增大到100K試一試。

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gohey

LV.2

2012-03-31 08:31

@cheng111

電阻值太小了。增大到100K試一試。

謝謝樓上的兩位解答，我今天再測試一下。

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asouth

LV.8

2012-03-31 09:05

吸收太重啦，可以適當調整一下R的值.可以用103及100K或51K來測試下。

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gohey

LV.2

2012-03-31 09:09

現在將電阻改為150K，在265V輸入的情況下，測試的VDS波形如下：

VDS的峰值增加到548V，現在選用的MOS是600V的，會不會電壓應力不夠？而且，VDS的振蕩頻率7MHz左右，比較明顯。同時，測試RCD電阻兩端的電壓峰值是134V，波形如下：

電阻發熱的情況好轉，但是，從波形看，振蕩的比較明顯，這樣會造成EMI影響嗎？謝謝！

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asouth

LV.8

2012-03-31 09:18

@gohey

現在將電阻改為150K，在265V輸入的情況下，測試的VDS波形如下：[圖片] VDS的峰值增加到548V，現在選用的MOS是600V的，會不會電壓應力不夠？而且，VDS的振蕩頻率7MHz左右，比較明顯。同時，測試RCD電阻兩端的電壓峰值是134V，波形如下：[圖片] 電阻發熱的情況好轉，但是，從波形看，振蕩的比較明顯，這樣會造成EMI影響嗎？謝謝！

MOS用的是什么型號的？

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