很簡(jiǎn)單,MOSFET可以雙向?qū)щ?而且反向?qū)щ娍梢酝ㄟ^(guò)本身,也可以通過(guò)體二極管.
那就有一個(gè)問(wèn)題,當(dāng)MOSFET是有驅(qū)動(dòng)的時(shí)候.反向電流是如何在MOSFET 本體和體二級(jí)管分布的.
當(dāng)電流增大到什么程度,MOSFET導(dǎo)通壓降將被體二極管的壓降鉗住?
各位探討探討!
問(wèn)一個(gè)比較實(shí)際的MOSFET的問(wèn)題,看看有誰(shuí)知道?
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500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/39/1141302678.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
有趣.
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@inherit
MOS管本來(lái)就是可以雙向?qū)ǖ?但是由于襯底與導(dǎo)電極之間是PN極的關(guān)系因此常常使他們之間必須有一個(gè)反向電壓以防止電極與襯底之間形成通路燒壞.因此將襯底與一極相連,才有D、S的區(qū)分,說(shuō)可以反向使用是可以的,但會(huì)帶來(lái)許多問(wèn)題.三極管C、E可以反向使用,放大倍數(shù)就很小了(遠(yuǎn)小于1).因此上述兩種使用只是理論分析可行,在實(shí)際使用中毫無(wú)意義,說(shuō)明對(duì)器件結(jié)構(gòu)的不清楚.
我看到很多資料都說(shuō)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET的S、D是可以互換的,至于MOSFET,只有本論壇有關(guān)同步整流的帖子有所提及,假如這樣,那FET的反向耐壓等等參數(shù)跟正常使用狀態(tài)有區(qū)別嗎?望請(qǐng)賜教.
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@stonego
[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/39/1141302678.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">有趣.
多謝各位關(guān)注.
不過(guò)好像暫時(shí)沒(méi)有人回答這個(gè)問(wèn)題.當(dāng)然這個(gè)問(wèn)題也并不是一般情況可能遇見(jiàn)的.
一般的說(shuō)法就是電流傾向由MOSFET本體流通,但是壓降隨著電流增大而增大.最大壓降小于DATESHEET中給出的體二極管壓降.
不過(guò)這樣的話,損耗計(jì)算就只能適用體二極管壓降,計(jì)算出來(lái)稍微增加.
不過(guò)好像暫時(shí)沒(méi)有人回答這個(gè)問(wèn)題.當(dāng)然這個(gè)問(wèn)題也并不是一般情況可能遇見(jiàn)的.
一般的說(shuō)法就是電流傾向由MOSFET本體流通,但是壓降隨著電流增大而增大.最大壓降小于DATESHEET中給出的體二極管壓降.
不過(guò)這樣的話,損耗計(jì)算就只能適用體二極管壓降,計(jì)算出來(lái)稍微增加.
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從S~D導(dǎo)通時(shí),mos在有驅(qū)動(dòng)時(shí)通常情況下體二極管是沒(méi)有電流流過(guò)的,因?yàn)镽ds上的壓降通常很小.從D~S導(dǎo)通時(shí),體二極管反向當(dāng)然更不通了.
兩種導(dǎo)通方式都在大量使用,從D~S導(dǎo)通:在POWER中做開(kāi)關(guān)管.從S~D導(dǎo)通:同步整流用.
------------------------------------
假如MOSFET體電阻0.2歐姆,當(dāng)電流10安的時(shí)候已經(jīng)有2V壓降了.這時(shí)候體二極管肯定導(dǎo)通了吧?
這種情況也應(yīng)該是很容易遇到的吧.10A其實(shí)很小了.
兩種導(dǎo)通方式都在大量使用,從D~S導(dǎo)通:在POWER中做開(kāi)關(guān)管.從S~D導(dǎo)通:同步整流用.
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假如MOSFET體電阻0.2歐姆,當(dāng)電流10安的時(shí)候已經(jīng)有2V壓降了.這時(shí)候體二極管肯定導(dǎo)通了吧?
這種情況也應(yīng)該是很容易遇到的吧.10A其實(shí)很小了.
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@inherit
MOS管本來(lái)就是可以雙向?qū)ǖ?但是由于襯底與導(dǎo)電極之間是PN極的關(guān)系因此常常使他們之間必須有一個(gè)反向電壓以防止電極與襯底之間形成通路燒壞.因此將襯底與一極相連,才有D、S的區(qū)分,說(shuō)可以反向使用是可以的,但會(huì)帶來(lái)許多問(wèn)題.三極管C、E可以反向使用,放大倍數(shù)就很小了(遠(yuǎn)小于1).因此上述兩種使用只是理論分析可行,在實(shí)際使用中毫無(wú)意義,說(shuō)明對(duì)器件結(jié)構(gòu)的不清楚.
毫無(wú)意義?
那同步整流怎么辦?
現(xiàn)在研究熱火的無(wú)橋PFC電路怎么辦?
那同步整流怎么辦?
現(xiàn)在研究熱火的無(wú)橋PFC電路怎么辦?
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@jurda
從S~D導(dǎo)通時(shí),mos在有驅(qū)動(dòng)時(shí)通常情況下體二極管是沒(méi)有電流流過(guò)的,因?yàn)镽ds上的壓降通常很小.從D~S導(dǎo)通時(shí),體二極管反向當(dāng)然更不通了.兩種導(dǎo)通方式都在大量使用,從D~S導(dǎo)通:在POWER中做開(kāi)關(guān)管.從S~D導(dǎo)通:同步整流用.------------------------------------假如MOSFET體電阻0.2歐姆,當(dāng)電流10安的時(shí)候已經(jīng)有2V壓降了.這時(shí)候體二極管肯定導(dǎo)通了吧?這種情況也應(yīng)該是很容易遇到的吧.10A其實(shí)很小了.
從效率方面考慮,通常希望電流盡量流過(guò)Rds,以你的例子,是不是應(yīng)該選用更低Rds的MOS.
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@jurda
從S~D導(dǎo)通時(shí),mos在有驅(qū)動(dòng)時(shí)通常情況下體二極管是沒(méi)有電流流過(guò)的,因?yàn)镽ds上的壓降通常很小.從D~S導(dǎo)通時(shí),體二極管反向當(dāng)然更不通了.兩種導(dǎo)通方式都在大量使用,從D~S導(dǎo)通:在POWER中做開(kāi)關(guān)管.從S~D導(dǎo)通:同步整流用.------------------------------------假如MOSFET體電阻0.2歐姆,當(dāng)電流10安的時(shí)候已經(jīng)有2V壓降了.這時(shí)候體二極管肯定導(dǎo)通了吧?這種情況也應(yīng)該是很容易遇到的吧.10A其實(shí)很小了.
此時(shí)Pd已達(dá)20W,似不妥當(dāng),大電流MOSFEI的Rds(on)均在0.1以下,如6030為0.013歐姆.
同步整流的初衷就是為了降低二極管正向?qū)▔航档膿p耗,如果MOSFET壓降比用二極管整流的還大,那應(yīng)算是比較失敗的吧.
我的疑問(wèn)是,正反向應(yīng)用,MOSFET各項(xiàng)參數(shù)有無(wú)不同?
同步整流的初衷就是為了降低二極管正向?qū)▔航档膿p耗,如果MOSFET壓降比用二極管整流的還大,那應(yīng)算是比較失敗的吧.
我的疑問(wèn)是,正反向應(yīng)用,MOSFET各項(xiàng)參數(shù)有無(wú)不同?
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@inherit
MOS管本來(lái)就是可以雙向?qū)ǖ?但是由于襯底與導(dǎo)電極之間是PN極的關(guān)系因此常常使他們之間必須有一個(gè)反向電壓以防止電極與襯底之間形成通路燒壞.因此將襯底與一極相連,才有D、S的區(qū)分,說(shuō)可以反向使用是可以的,但會(huì)帶來(lái)許多問(wèn)題.三極管C、E可以反向使用,放大倍數(shù)就很小了(遠(yuǎn)小于1).因此上述兩種使用只是理論分析可行,在實(shí)際使用中毫無(wú)意義,說(shuō)明對(duì)器件結(jié)構(gòu)的不清楚.
三極管C、E可以反向使用,放大倍數(shù)就很小了(遠(yuǎn)小于1).
＝＝大約是5-10之間.
＝＝大約是5-10之間.
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@u-571
我看到很多資料都說(shuō)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET的S、D是可以互換的,至于MOSFET,只有本論壇有關(guān)同步整流的帖子有所提及,假如這樣,那FET的反向耐壓等等參數(shù)跟正常使用狀態(tài)有區(qū)別嗎?望請(qǐng)賜教.
MOSFET的D、S是可以互換使用,但要注意制作的工藝,在很多器件里S極與襯底相連,因此該類型的器件是不能互換使用的.如果要互換使用,需選擇襯底不與S極相連的,且襯源間的電壓必須保證襯源間的PN結(jié)是反向偏置,結(jié)果溝道的寬度受UGS和UBS雙重控制,使UGS(th)的絕對(duì)值增大.
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