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大家對變壓器的繞法

如題

本人用過的方法有

三明治發

次包初

初包次等方法

 

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2011-05-20 12:47
繞的方法很多,根據產品不同繞法不同。
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LV.1
3
2011-05-20 14:35
@隱形專家
繞的方法很多,根據產品不同繞法不同。

恩。。

專家說的對。

好像要根據你的輸出電壓、電流、以及大小和工作狀態來繞制。。

真希望哪位高手總結一下。。

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2011-05-23 19:04
 變壓器的繞制方法與注意事項


  普通分層繞法:


  一般的單輸出電源,變壓器分為3個繞組,初級繞組Np,次級繞組Ns,輔助電源繞組Nb;當實用普通分層繞法時,繞制的順序是:Np--Ns--Nb,當然也有的是采用Nb--Ns--Np的繞法,但不常用。

  


此主題相關圖片如下:圖片5.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20


  此種繞法工藝簡單,易于控制磁芯的各種參數,一致性較好,繞線成本低,適用于大批量的生產,但漏感稍大,故適用于對漏感不敏感的小功率場合,一般功率小于10W的電源中普遍實用這種繞法


  三明治繞法


  三明治繞法久負盛名,幾乎每個做電源的人都知道這種繞法,但真正對三明治繞法做過深入研究的人,應該不多。相信很多人都吃過三明治,就是兩層面包中 間夾一層奶油。顧名思義,三明治繞法就是兩層夾一層的繞法。由于被夾在中間的繞組不同,三明治又分為兩種繞法:初級夾次級,次級夾初級。先來看第一種,初 級夾次級的繞法(也叫初級平均繞法)

  


此主題相關圖片如下:圖片6.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20


  如上圖,順序為Np/2,Ns,Np/2,Nb,此種繞法有量大優點,由于增加了初次級的有效耦合面積,可以極大的減少變壓器的漏感,而減少漏感 帶來的好處是顯而易見的:漏感引起的電壓尖峰會降低,這就使MOSFET的電壓應力降低,同時,由MOSFET與散熱片引起的共模干擾電流也可以降低,從 而改善EMI;由于在初級中間加入了一個次級繞組,所以減少了變壓器初級的層間分布電容,而層間電容的減少,就會使電路中的寄生振蕩減少,同樣可以降低 MOSFET與次級整流管的電壓電流應力,改善EMI。


  第二種,次級夾初級的繞法(也叫次級平均繞法)

  


此主題相關圖片如下:圖片7.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20


  如上圖,順序為Ns/2,Np,Ns/2,Nb。當輸出是低壓大電流時,一般采用此種繞法,其優點有二:


  1、可以有效降低銅損引起的溫升:由于輸出是低壓大電流,故銅損對導線的長度較為敏感,繞在內側的Ns/2可以有效較少繞線長度,從而降低此Ns/2繞組的銅損及發熱。外層的Ns/2雖說繞線相對較長,但是基本上是在變壓器的外層,散熱良好故溫度也不會太高。


  2、可以減少初級耦合至變壓器磁芯高頻干擾。由于初級遠離磁芯,次級電壓低,故引起的高頻干擾小。


  我們大家來進一步深入討論下這個三明治繞發對EMI的影響。首先,我們來看初級夾次級的繞法,我們知道,變壓器的初級由于電壓較高,所以繞組較多, 一般要超過2層,有時甚至達到4-5層,這就給變壓器帶來一個分布參數---層間電容,形成原理相信大家都清楚,我就不多解釋了。當MOSFET關斷的時 候,變壓器的漏感與MOSFET的結電容以及變壓器的層間電容會產生振動,幅度達到幾十甚至超過一百V,這對MOSFET與EMI來說都是不允許的,所 以,我們增加RCD吸收來抑制這個振蕩,達到保護MOSFET與改善EMI的目的。

  


此主題相關圖片如下:圖片8.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20

  上圖即為反激電源MOSFET的Vds波形

  從這個角度來說,三明治繞法是可以在一定程度上改善EMI。從另外一個角度來說,三明治繞法確實是增加了初次級的耦合面積,減少了漏感,同時又使初 次級的耦合電容增加了;當開關管反復開關時,電容也會反復充放電,也就是說會引起振蕩,此振蕩正比于開關頻率,會對EMI產生不利的影響。

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zvszcs
LV.12
5
2011-05-23 21:11
@隱形專家
 變壓器的繞制方法與注意事項  普通分層繞法:  一般的單輸出電源,變壓器分為3個繞組,初級繞組Np,次級繞組Ns,輔助電源繞組Nb;當實用普通分層繞法時,繞制的順序是:Np--Ns--Nb,當然也有的是采用Nb--Ns--Np的繞法,但不常用。  [圖片]此主題相關圖片如下:圖片5.jpg[圖片]  此種繞法工藝簡單,易于控制磁芯的各種參數,一致性較好,繞線成本低,適用于大批量的生產,但漏感稍大,故適用于對漏感不敏感的小功率場合,一般功率小于10W的電源中普遍實用這種繞法  三明治繞法  三明治繞法久負盛名,幾乎每個做電源的人都知道這種繞法,但真正對三明治繞法做過深入研究的人,應該不多。相信很多人都吃過三明治,就是兩層面包中間夾一層奶油。顧名思義,三明治繞法就是兩層夾一層的繞法。由于被夾在中間的繞組不同,三明治又分為兩種繞法:初級夾次級,次級夾初級。先來看第一種,初級夾次級的繞法(也叫初級平均繞法)  [圖片]此主題相關圖片如下:圖片6.jpg[圖片]  如上圖,順序為Np/2,Ns,Np/2,Nb,此種繞法有量大優點,由于增加了初次級的有效耦合面積,可以極大的減少變壓器的漏感,而減少漏感帶來的好處是顯而易見的:漏感引起的電壓尖峰會降低,這就使MOSFET的電壓應力降低,同時,由MOSFET與散熱片引起的共模干擾電流也可以降低,從而改善EMI;由于在初級中間加入了一個次級繞組,所以減少了變壓器初級的層間分布電容,而層間電容的減少,就會使電路中的寄生振蕩減少,同樣可以降低MOSFET與次級整流管的電壓電流應力,改善EMI。  第二種,次級夾初級的繞法(也叫次級平均繞法)  [圖片]此主題相關圖片如下:圖片7.jpg[圖片]  如上圖,順序為Ns/2,Np,Ns/2,Nb。當輸出是低壓大電流時,一般采用此種繞法,其優點有二:  1、可以有效降低銅損引起的溫升:由于輸出是低壓大電流,故銅損對導線的長度較為敏感,繞在內側的Ns/2可以有效較少繞線長度,從而降低此Ns/2繞組的銅損及發熱。外層的Ns/2雖說繞線相對較長,但是基本上是在變壓器的外層,散熱良好故溫度也不會太高。  2、可以減少初級耦合至變壓器磁芯高頻干擾。由于初級遠離磁芯,次級電壓低,故引起的高頻干擾小。  我們大家來進一步深入討論下這個三明治繞發對EMI的影響。首先,我們來看初級夾次級的繞法,我們知道,變壓器的初級由于電壓較高,所以繞組較多,一般要超過2層,有時甚至達到4-5層,這就給變壓器帶來一個分布參數---層間電容,形成原理相信大家都清楚,我就不多解釋了。當MOSFET關斷的時候,變壓器的漏感與MOSFET的結電容以及變壓器的層間電容會產生振動,幅度達到幾十甚至超過一百V,這對MOSFET與EMI來說都是不允許的,所以,我們增加RCD吸收來抑制這個振蕩,達到保護MOSFET與改善EMI的目的。  [圖片]此主題相關圖片如下:圖片8.jpg[圖片]  上圖即為反激電源MOSFET的Vds波形  從這個角度來說,三明治繞法是可以在一定程度上改善EMI。從另外一個角度來說,三明治繞法確實是增加了初次級的耦合面積,減少了漏感,同時又使初次級的耦合電容增加了;當開關管反復開關時,電容也會反復充放電,也就是說會引起振蕩,此振蕩正比于開關頻率,會對EMI產生不利的影響。
凡事都有利有弊
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2011-05-23 22:42
@zvszcs
凡事都有利有弊
我們用的都是NP-NB-NS呀!
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2011-05-23 23:55
@zvszcs
凡事都有利有弊
反饋繞組一般有一個腳是接地,一個腳是接信號端,請問老師,這兩個腳,哪個腳是入線呢,還是隨便接?
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LV.1
8
2011-05-24 08:52
@隱形專家
 變壓器的繞制方法與注意事項  普通分層繞法:  一般的單輸出電源,變壓器分為3個繞組,初級繞組Np,次級繞組Ns,輔助電源繞組Nb;當實用普通分層繞法時,繞制的順序是:Np--Ns--Nb,當然也有的是采用Nb--Ns--Np的繞法,但不常用。  [圖片]此主題相關圖片如下:圖片5.jpg[圖片]  此種繞法工藝簡單,易于控制磁芯的各種參數,一致性較好,繞線成本低,適用于大批量的生產,但漏感稍大,故適用于對漏感不敏感的小功率場合,一般功率小于10W的電源中普遍實用這種繞法  三明治繞法  三明治繞法久負盛名,幾乎每個做電源的人都知道這種繞法,但真正對三明治繞法做過深入研究的人,應該不多。相信很多人都吃過三明治,就是兩層面包中間夾一層奶油。顧名思義,三明治繞法就是兩層夾一層的繞法。由于被夾在中間的繞組不同,三明治又分為兩種繞法:初級夾次級,次級夾初級。先來看第一種,初級夾次級的繞法(也叫初級平均繞法)  [圖片]此主題相關圖片如下:圖片6.jpg[圖片]  如上圖,順序為Np/2,Ns,Np/2,Nb,此種繞法有量大優點,由于增加了初次級的有效耦合面積,可以極大的減少變壓器的漏感,而減少漏感帶來的好處是顯而易見的:漏感引起的電壓尖峰會降低,這就使MOSFET的電壓應力降低,同時,由MOSFET與散熱片引起的共模干擾電流也可以降低,從而改善EMI;由于在初級中間加入了一個次級繞組,所以減少了變壓器初級的層間分布電容,而層間電容的減少,就會使電路中的寄生振蕩減少,同樣可以降低MOSFET與次級整流管的電壓電流應力,改善EMI。  第二種,次級夾初級的繞法(也叫次級平均繞法)  [圖片]此主題相關圖片如下:圖片7.jpg[圖片]  如上圖,順序為Ns/2,Np,Ns/2,Nb。當輸出是低壓大電流時,一般采用此種繞法,其優點有二:  1、可以有效降低銅損引起的溫升:由于輸出是低壓大電流,故銅損對導線的長度較為敏感,繞在內側的Ns/2可以有效較少繞線長度,從而降低此Ns/2繞組的銅損及發熱。外層的Ns/2雖說繞線相對較長,但是基本上是在變壓器的外層,散熱良好故溫度也不會太高。  2、可以減少初級耦合至變壓器磁芯高頻干擾。由于初級遠離磁芯,次級電壓低,故引起的高頻干擾小。  我們大家來進一步深入討論下這個三明治繞發對EMI的影響。首先,我們來看初級夾次級的繞法,我們知道,變壓器的初級由于電壓較高,所以繞組較多,一般要超過2層,有時甚至達到4-5層,這就給變壓器帶來一個分布參數---層間電容,形成原理相信大家都清楚,我就不多解釋了。當MOSFET關斷的時候,變壓器的漏感與MOSFET的結電容以及變壓器的層間電容會產生振動,幅度達到幾十甚至超過一百V,這對MOSFET與EMI來說都是不允許的,所以,我們增加RCD吸收來抑制這個振蕩,達到保護MOSFET與改善EMI的目的。  [圖片]此主題相關圖片如下:圖片8.jpg[圖片]  上圖即為反激電源MOSFET的Vds波形  從這個角度來說,三明治繞法是可以在一定程度上改善EMI。從另外一個角度來說,三明治繞法確實是增加了初次級的耦合面積,減少了漏感,同時又使初次級的耦合電容增加了;當開關管反復開關時,電容也會反復充放電,也就是說會引起振蕩,此振蕩正比于開關頻率,會對EMI產生不利的影響。
我們用初級夾次級的交多。。
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Wxgshou
LV.5
9
2011-08-28 22:56
@
我們用初級夾次級的交多。。
三明治繞法
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2011-08-29 10:03
@隱形專家
 變壓器的繞制方法與注意事項  普通分層繞法:  一般的單輸出電源,變壓器分為3個繞組,初級繞組Np,次級繞組Ns,輔助電源繞組Nb;當實用普通分層繞法時,繞制的順序是:Np--Ns--Nb,當然也有的是采用Nb--Ns--Np的繞法,但不常用。  [圖片]此主題相關圖片如下:圖片5.jpg[圖片]  此種繞法工藝簡單,易于控制磁芯的各種參數,一致性較好,繞線成本低,適用于大批量的生產,但漏感稍大,故適用于對漏感不敏感的小功率場合,一般功率小于10W的電源中普遍實用這種繞法  三明治繞法  三明治繞法久負盛名,幾乎每個做電源的人都知道這種繞法,但真正對三明治繞法做過深入研究的人,應該不多。相信很多人都吃過三明治,就是兩層面包中間夾一層奶油。顧名思義,三明治繞法就是兩層夾一層的繞法。由于被夾在中間的繞組不同,三明治又分為兩種繞法:初級夾次級,次級夾初級。先來看第一種,初級夾次級的繞法(也叫初級平均繞法)  [圖片]此主題相關圖片如下:圖片6.jpg[圖片]  如上圖,順序為Np/2,Ns,Np/2,Nb,此種繞法有量大優點,由于增加了初次級的有效耦合面積,可以極大的減少變壓器的漏感,而減少漏感帶來的好處是顯而易見的:漏感引起的電壓尖峰會降低,這就使MOSFET的電壓應力降低,同時,由MOSFET與散熱片引起的共模干擾電流也可以降低,從而改善EMI;由于在初級中間加入了一個次級繞組,所以減少了變壓器初級的層間分布電容,而層間電容的減少,就會使電路中的寄生振蕩減少,同樣可以降低MOSFET與次級整流管的電壓電流應力,改善EMI。  第二種,次級夾初級的繞法(也叫次級平均繞法)  [圖片]此主題相關圖片如下:圖片7.jpg[圖片]  如上圖,順序為Ns/2,Np,Ns/2,Nb。當輸出是低壓大電流時,一般采用此種繞法,其優點有二:  1、可以有效降低銅損引起的溫升:由于輸出是低壓大電流,故銅損對導線的長度較為敏感,繞在內側的Ns/2可以有效較少繞線長度,從而降低此Ns/2繞組的銅損及發熱。外層的Ns/2雖說繞線相對較長,但是基本上是在變壓器的外層,散熱良好故溫度也不會太高。  2、可以減少初級耦合至變壓器磁芯高頻干擾。由于初級遠離磁芯,次級電壓低,故引起的高頻干擾小。  我們大家來進一步深入討論下這個三明治繞發對EMI的影響。首先,我們來看初級夾次級的繞法,我們知道,變壓器的初級由于電壓較高,所以繞組較多,一般要超過2層,有時甚至達到4-5層,這就給變壓器帶來一個分布參數---層間電容,形成原理相信大家都清楚,我就不多解釋了。當MOSFET關斷的時候,變壓器的漏感與MOSFET的結電容以及變壓器的層間電容會產生振動,幅度達到幾十甚至超過一百V,這對MOSFET與EMI來說都是不允許的,所以,我們增加RCD吸收來抑制這個振蕩,達到保護MOSFET與改善EMI的目的。  [圖片]此主題相關圖片如下:圖片8.jpg[圖片]  上圖即為反激電源MOSFET的Vds波形  從這個角度來說,三明治繞法是可以在一定程度上改善EMI。從另外一個角度來說,三明治繞法確實是增加了初次級的耦合面積,減少了漏感,同時又使初次級的耦合電容增加了;當開關管反復開關時,電容也會反復充放電,也就是說會引起振蕩,此振蕩正比于開關頻率,會對EMI產生不利的影響。

總結得太好了,贊一個

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zevin
LV.4
11
2012-09-06 17:00
@隱形專家
 變壓器的繞制方法與注意事項  普通分層繞法:  一般的單輸出電源,變壓器分為3個繞組,初級繞組Np,次級繞組Ns,輔助電源繞組Nb;當實用普通分層繞法時,繞制的順序是:Np--Ns--Nb,當然也有的是采用Nb--Ns--Np的繞法,但不常用。  [圖片]此主題相關圖片如下:圖片5.jpg[圖片]  此種繞法工藝簡單,易于控制磁芯的各種參數,一致性較好,繞線成本低,適用于大批量的生產,但漏感稍大,故適用于對漏感不敏感的小功率場合,一般功率小于10W的電源中普遍實用這種繞法  三明治繞法  三明治繞法久負盛名,幾乎每個做電源的人都知道這種繞法,但真正對三明治繞法做過深入研究的人,應該不多。相信很多人都吃過三明治,就是兩層面包中間夾一層奶油。顧名思義,三明治繞法就是兩層夾一層的繞法。由于被夾在中間的繞組不同,三明治又分為兩種繞法:初級夾次級,次級夾初級。先來看第一種,初級夾次級的繞法(也叫初級平均繞法)  [圖片]此主題相關圖片如下:圖片6.jpg[圖片]  如上圖,順序為Np/2,Ns,Np/2,Nb,此種繞法有量大優點,由于增加了初次級的有效耦合面積,可以極大的減少變壓器的漏感,而減少漏感帶來的好處是顯而易見的:漏感引起的電壓尖峰會降低,這就使MOSFET的電壓應力降低,同時,由MOSFET與散熱片引起的共模干擾電流也可以降低,從而改善EMI;由于在初級中間加入了一個次級繞組,所以減少了變壓器初級的層間分布電容,而層間電容的減少,就會使電路中的寄生振蕩減少,同樣可以降低MOSFET與次級整流管的電壓電流應力,改善EMI。  第二種,次級夾初級的繞法(也叫次級平均繞法)  [圖片]此主題相關圖片如下:圖片7.jpg[圖片]  如上圖,順序為Ns/2,Np,Ns/2,Nb。當輸出是低壓大電流時,一般采用此種繞法,其優點有二:  1、可以有效降低銅損引起的溫升:由于輸出是低壓大電流,故銅損對導線的長度較為敏感,繞在內側的Ns/2可以有效較少繞線長度,從而降低此Ns/2繞組的銅損及發熱。外層的Ns/2雖說繞線相對較長,但是基本上是在變壓器的外層,散熱良好故溫度也不會太高。  2、可以減少初級耦合至變壓器磁芯高頻干擾。由于初級遠離磁芯,次級電壓低,故引起的高頻干擾小。  我們大家來進一步深入討論下這個三明治繞發對EMI的影響。首先,我們來看初級夾次級的繞法,我們知道,變壓器的初級由于電壓較高,所以繞組較多,一般要超過2層,有時甚至達到4-5層,這就給變壓器帶來一個分布參數---層間電容,形成原理相信大家都清楚,我就不多解釋了。當MOSFET關斷的時候,變壓器的漏感與MOSFET的結電容以及變壓器的層間電容會產生振動,幅度達到幾十甚至超過一百V,這對MOSFET與EMI來說都是不允許的,所以,我們增加RCD吸收來抑制這個振蕩,達到保護MOSFET與改善EMI的目的。  [圖片]此主題相關圖片如下:圖片8.jpg[圖片]  上圖即為反激電源MOSFET的Vds波形  從這個角度來說,三明治繞法是可以在一定程度上改善EMI。從另外一個角度來說,三明治繞法確實是增加了初次級的耦合面積,減少了漏感,同時又使初次級的耦合電容增加了;當開關管反復開關時,電容也會反復充放電,也就是說會引起振蕩,此振蕩正比于開關頻率,會對EMI產生不利的影響。

學習了

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2016-12-27 09:31
@zevin
學習了

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