目前比較流行的低成本、超小占用空間方案設計基本都是采用PSR原邊反饋反激式，
通過原邊反饋穩壓省掉電壓反饋環路（TL431和光耦）和較低的EMC輻射省掉Y電容，
不僅省成本而且省空間，得到很多電源工程師采用。
比較是新技術，目前針對PSR原邊反饋開關電源方案設計的相關訊息在行業中欠缺。
下面結合實際來講講我對PSR原邊反饋開關電源設計的“獨特”方法——以實際為基礎。
要求條件：
全電壓輸入，輸出5V/1A，符合能源之星2之標準，符合IEC60950和EN55022安規及EMC標準。
因充電器為了方便攜帶，一般都要求小體積，所以針對5W的開關電源充電器一般都采用體積較小的EFD-15和EPC13的變壓器，此類變壓器按常規計算方式可能會認為CORE太小，做不到，如果現在還有人這樣認為，那你就OUT了。
磁芯以確定，下面就分別講講采用EFD15和EPC13的變壓器設計5V/1A 5W的電源變壓器。
1. EFD15變壓器設計
目前針對小變壓器磁芯，特別是小公司基本都無從得知CORE的B/H曲線，因PSR線路對變壓器漏感有所要求。
所以從對變壓器作最小漏感設計入手：
已知輸出電流為1A，5W功率較小，所以銅線的電流密度選8A/mm2,
次級銅線直徑為:SQRT(1/8/3.14)*2=0.4mm。
通過測量或查詢BOBBIN資料可以得知，EFD15的BOBBIN的幅寬為9.2mm。
因次級采用三重絕緣線，0.4mm的三重絕緣線實際直徑為0.6mm.
為了減小漏感把次級線圈設計為1整層，次級雜數為：9.2/0.6mm=15.3Ts,取15Ts.
因IC內部一般內置VDS耐壓600~650V的MOS，考慮到漏感尖峰，需留50~100V的應力電壓余量，所以反射電壓需控制在100V以內，
得：(Vout+VF)*n<100,即：n<100/（5+1）,n<16.6,
取n=16.5,得初級匝數NP=15*16.5=247.5
取NP=248，代入上式驗證，（Vout+VF）*(NP/NS)<100,
即(5+1)*(248/15)=99.2<100,成立。
確定NP=248Ts.
假設:初級248Ts在BOBBIN上采用分3層來繞，因多層繞線考慮到出線間隙和次層以上不均勻，需至少留1Ts余量（間隙）。
得：初級銅線可用外徑為：9.2/(248/3+1)=0.109mm，對應的實際銅線直徑為0.089mm，太小（小于0.1mm不易繞制），不可取。
假設:初級248Ts在BOBBIN上采用分4層來繞，
初級銅線可用外徑為：9.2/(248/4+1)=0.146mm，對應的銅線直徑為0.126mm，實際可用銅線直徑取0.12mm。
IC的VCC電壓下限一般為10~12V，考慮到至少留3V余量，取VCC電壓為15V左右，
得：NV=Vnv/(Vout+VF)*NS=15/(5+1)*15=37.5Ts,取38Ts.
因PSR采用NV線圈穩壓，所以NV的漏感也需控制，仍然按整層設計，
得：NV線徑=9.2/(38+1)=0.235mm, 對應的銅線直徑為0.215mm，實際可用銅線直徑取0.2mm。也可采用0.1mm雙線并饒。
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大家來討論下~~~
